在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來自暗處的挑戰(zhàn) —— 測(cè)量探頭的 “溫漂” 問題。深入探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源，以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測(cè)量帶來的全方位影響，對(duì)于保障半導(dǎo)體制造工藝的高質(zhì)量推進(jìn)有著舉足輕重的意義。

一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生土壤

1，環(huán)境溫度的 “暗流涌動(dòng)”

半導(dǎo)體制造車間仿若一個(gè)龐大且復(fù)雜的熱動(dòng)力學(xué) “迷宮”，諸多因素交織在一起，使得車間內(nèi)的溫度始終處于動(dòng)態(tài)變化之中。一方面，車間內(nèi)各類大型設(shè)備宛如永不熄火的 “火爐”，在運(yùn)行過程中源源不斷地釋放出大量熱量。光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積設(shè)備等長(zhǎng)時(shí)間高強(qiáng)度作業(yè)，它們所散發(fā)的熱量讓車間局部區(qū)域溫度急劇攀升。以一臺(tái)先進(jìn)的光刻設(shè)備為例，其運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量足以使周邊數(shù)平方米范圍內(nèi)的空氣溫度升高好幾攝氏度。

另一方面，車間的通風(fēng)與溫控系統(tǒng)若存在哪怕細(xì)微的調(diào)控短板，都難以平衡內(nèi)外氣流交換以及設(shè)備散熱不均帶來的溫差。再加上外界氣候變化無常，人員頻繁進(jìn)出車間引發(fā)的冷熱氣流交互，這些因素如同隱匿在暗處的 “暗流”，悄無聲息地推動(dòng)著車間溫度的起伏波動(dòng)。

對(duì)于對(duì)溫度敏感度極高的測(cè)量探頭而言，哪怕是極其微小的溫度變化，都如同在平靜湖面投下一顆石子，能在探頭內(nèi)部引發(fā)一系列連鎖反應(yīng)。基于電學(xué)原理工作的探頭，溫度一旦升高，電子元件內(nèi)部原子的熱運(yùn)動(dòng)便會(huì)加劇，使得電子遷移率發(fā)生改變，進(jìn)而影響電子元件的導(dǎo)電性。根據(jù)電信號(hào)與厚度測(cè)量轉(zhuǎn)換的精密算法，這細(xì)微的導(dǎo)電性變化會(huì)直接反映在測(cè)量信號(hào)上，導(dǎo)致厚度測(cè)量值出現(xiàn)偏差，成為 “溫漂” 現(xiàn)象的起始源頭。

2， 探頭自身的 “發(fā)熱隱患”

測(cè)量探頭在執(zhí)行測(cè)量任務(wù)時(shí)，自身并非處于完全的 “熱平衡” 狀態(tài)，其運(yùn)行過程同樣會(huì)產(chǎn)生熱量。從電學(xué)角度深入剖析，當(dāng)電流持續(xù)流經(jīng)探頭內(nèi)部電路，依據(jù)焦耳定律，電能不可避免地會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，也就是我們熟知的焦耳熱。尤其是在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)對(duì)氮化鎵襯底進(jìn)行厚度測(cè)量時(shí)，熱量會(huì)如同滾雪球一般不斷累積。

若探頭缺乏有效的散熱機(jī)制，這些熱量便會(huì)在探頭內(nèi)部積聚形成局部高溫區(qū)域。在這個(gè)局部高溫 “溫床” 中，光學(xué)探頭的光路系統(tǒng)首當(dāng)其沖受到影響。光學(xué)鏡片的折射率會(huì)隨著溫度升高而發(fā)生改變，光線在鏡片間的傳播路徑就會(huì)偏離理想軌跡，致使測(cè)量光路出現(xiàn)偏差。同時(shí)，機(jī)械結(jié)構(gòu)部件也難逃熱脹冷縮的物理規(guī)律，尺寸的微小改變進(jìn)一步擾亂測(cè)量的精準(zhǔn)度，為 “溫漂” 現(xiàn)象的加劇添柴加薪。

3，材料熱特性的 “先天局限”

現(xiàn)有的測(cè)量探頭通常是由多種材料復(fù)合構(gòu)建而成，以滿足復(fù)雜多樣的測(cè)量需求。然而，大多數(shù)材料在溫度變化面前都難以擺脫自身的熱物理特性束縛。常見的金屬部件，隨著溫度變化，原子間的晶格振動(dòng)加劇，宏觀表現(xiàn)為材料的熱膨脹，導(dǎo)致探頭的機(jī)械結(jié)構(gòu)尺寸精度受損。

即使選用了低熱膨脹系數(shù)的材料，在納米級(jí)精度要求的氮化鎵襯底厚度測(cè)量場(chǎng)景下，材料熱脹冷縮帶來的微小形變依然足以引發(fā)顯著的測(cè)量誤差。再者，對(duì)于光學(xué)材料如玻璃鏡片，溫度不僅影響其折射率，還可能導(dǎo)致鏡片內(nèi)部應(yīng)力分布變化，產(chǎn)生額外的光學(xué)畸變，進(jìn)一步惡化測(cè)量精度，成為 “溫漂” 問題滋生的內(nèi)在溫床。

二、對(duì)氮化鎵襯底厚度測(cè)量的深遠(yuǎn) “沖擊”

4，精度的 “精準(zhǔn)度殺手”

在氮化鎵襯底厚度以納米尺度嚴(yán)格把控的制造工藝中，“溫漂” 引發(fā)的精度偏差堪稱致命一擊。由于氮化鎵襯底制備工藝涉及高溫、高壓等復(fù)雜環(huán)節(jié)，其厚度公差被壓縮至極其狹窄的范圍，例如制造先進(jìn)射頻器件用的氮化鎵襯底，厚度公差通常控制在 30 納米以內(nèi)。

然而，環(huán)境溫度每波動(dòng) 1℃，對(duì)于常用的電容式測(cè)量探頭，其電容極板相關(guān)參數(shù)改變換算到襯底厚度測(cè)量值，誤差可達(dá)數(shù)納米至數(shù)十納米。這意味著原本精準(zhǔn)符合工藝標(biāo)準(zhǔn)的襯底，極有可能因 “溫漂” 被誤判為厚度不合格，反之，存在厚度缺陷的襯底卻可能在 “溫漂” 的掩蓋下悄然流入后續(xù)關(guān)鍵工序，給芯片良品率帶來災(zāi)難性打擊，使前期巨額的研發(fā)與生產(chǎn)投入付諸東流。

5.，測(cè)量穩(wěn)定性的 “動(dòng)蕩之源”

半導(dǎo)體制造流程往往要求對(duì)同一片氮化鎵襯底不同位置，或是同一批次大量襯底進(jìn)行連續(xù)測(cè)量。此時(shí)，“溫漂” 問題若得不到有效遏制，測(cè)量穩(wěn)定性將陷入混亂。由于車間溫度的自然起伏以及探頭自身發(fā)熱的不確定性，測(cè)量數(shù)據(jù)如同驚濤駭浪中的孤舟，毫無規(guī)律地大幅波動(dòng)。

工程師在上午針對(duì)一批氮化鎵襯底開啟厚度測(cè)量工作，初步獲得一組看似平穩(wěn)的測(cè)量數(shù)據(jù)，然而隨著午后車間溫度攀升，“溫漂” 肆虐，再次測(cè)量同批襯底時(shí)，數(shù)據(jù)可能出現(xiàn)整體偏移，標(biāo)準(zhǔn)差急劇增大。如此不穩(wěn)定的測(cè)量輸出，讓工藝人員在判斷襯底厚度一致性時(shí)如霧里看花，難以精準(zhǔn)把控工藝參數(shù)，給芯片制造過程中的質(zhì)量管控帶來極大困擾，延誤研發(fā)與生產(chǎn)周期，徒增成本壓力。

6，長(zhǎng)期可靠性的 “定時(shí)炸彈”

從長(zhǎng)期運(yùn)行視野審視，“溫漂” 猶如一顆潛伏的定時(shí)炸彈，對(duì)測(cè)量探頭及整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)的壽命與可靠性構(gòu)成嚴(yán)重威脅。頻繁的溫度變化促使探頭材料反復(fù)熱脹冷縮，這對(duì)內(nèi)部機(jī)械結(jié)構(gòu)而言，無疑是一場(chǎng) “慢性磨損” 噩夢(mèng)，加速零部件的磨損老化，電子元件在高溫?zé)釠_擊下，性能衰退速度遠(yuǎn)超正常水平。

長(zhǎng)此以往，探頭不僅 “溫漂” 問題愈發(fā)棘手，頻繁出現(xiàn)硬件故障，導(dǎo)致設(shè)備停機(jī)維修成為常態(tài)，大幅增加設(shè)備維護(hù)成本。更為關(guān)鍵的是，基于不準(zhǔn)確的 “溫漂”數(shù)據(jù)持續(xù)調(diào)整氮化鎵襯底加工工藝，如同推倒多米諾骨牌，在整個(gè)半導(dǎo)體制造流程中引發(fā)蝕刻不均勻、薄膜沉積失控等一系列連鎖反應(yīng)，最終侵蝕芯片的電學(xué)性能、穩(wěn)定性等核心競(jìng)爭(zhēng)力，讓產(chǎn)品在市場(chǎng)角逐中黯然失色。

綜上所述，測(cè)量探頭的 “溫漂” 問題根源復(fù)雜且影響深遠(yuǎn)，它貫穿于半導(dǎo)體制造全過程，從短期的測(cè)量精度到長(zhǎng)期的工藝可靠性，無一幸免。唯有通過材料科學(xué)創(chuàng)新、智能算法優(yōu)化、環(huán)境精細(xì)管控等全方位協(xié)同發(fā)力，才能成功馴服這只隱匿的 “精度殺手”，確保氮化鎵襯底厚度測(cè)量精準(zhǔn)無誤，為蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鋪就堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基石。

三、高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標(biāo)。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式；可一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

1，靈活適用更復(fù)雜的材料，從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++)，碳化硅，藍(lán)寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè)）

粗糙的晶圓表面，（點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測(cè)方案，不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響，因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償，加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時(shí)測(cè)量多 層 結(jié) 構(gòu)，厚 度 可 從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。

可用于測(cè)量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達(dá)1nm。

2，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng)，充分提高重復(fù)性測(cè)量能力。

采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長(zhǎng)度短，而重度依賴“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的情況。卓越的抗干擾，實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，同時(shí)也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線自動(dòng)化集成測(cè)量。

3，靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。