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SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2025-01-23 15:46 ? 次閱讀

近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專(zhuān)為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面型D-MOSFET系列,不僅展現(xiàn)了SemiQ在SiC技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更為光伏、風(fēng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域提供了全新的解決方案。

QSiC? 1700V系列MOSFET以其卓越的性能脫穎而出。該系列產(chǎn)品具備高功率密度和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),極大地降低了整體系統(tǒng)成本,為用戶帶來(lái)了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí),這些器件的高可靠性設(shè)計(jì)也是其一大亮點(diǎn)。內(nèi)置的體二極管能夠在高達(dá)175°C的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,確保了設(shè)備在各種惡劣條件下的穩(wěn)定性和耐用性。

為了確保產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和安全性,SemiQ對(duì)所有QSiC? 1700V系列器件進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試。這些器件均經(jīng)過(guò)了超過(guò)1900V的高電壓測(cè)試和600mJ的UIL雪崩測(cè)試,充分證明了其在長(zhǎng)時(shí)間使用中的可靠性和安全性。

SemiQ表示,此次發(fā)布的QSiC? 1700V系列SiC MOSFET新品,是公司不斷創(chuàng)新和追求卓越的結(jié)果。未來(lái),SemiQ將繼續(xù)致力于SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和推廣,為更多領(lǐng)域提供高效、可靠、經(jīng)濟(jì)的解決方案,推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型和綠色可持續(xù)發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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