近日，納芯微全新推出CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET ——NPM12023A系列產(chǎn)品，優(yōu)異的短路過(guò)流能力與雪崩過(guò)壓能力、更強(qiáng)的機(jī)械壓力耐受能力，可以為便攜式鋰電設(shè)備充放電提供全面的保護(hù)。

來(lái)源：納芯微

納芯微全新CSP封裝MOSFET系列產(chǎn)品，采用自有專(zhuān)利芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，綜合性能優(yōu)于業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)Trench VDMOS工藝，擁有超低導(dǎo)通阻抗及高ESD (>2kV) 保護(hù)功能等特點(diǎn)。該技術(shù)兼顧了產(chǎn)品小型化和高過(guò)流要求，同時(shí)解決了傳統(tǒng)CSP封裝芯片機(jī)械強(qiáng)度低、雪崩能量小、生產(chǎn)組裝加工困難等問(wèn)題，為客戶提供更安全、更可靠的產(chǎn)品，簡(jiǎn)化客戶的設(shè)計(jì)。

圖1：納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)（來(lái)源：納芯微）

便攜式鋰電設(shè)備對(duì)于充放電保護(hù)的要求：高強(qiáng)度，小體積

智能手機(jī)、平板電腦等便攜式鋰電設(shè)備變得比以前更輕薄，功能更強(qiáng)大，同時(shí)對(duì)設(shè)備的充放電功率要求也越來(lái)越高：從最初的3-5W，到現(xiàn)在超過(guò)100W的充放電功率，使人們?cè)谙硎芨憬莸纳畹耐瑫r(shí)，提高了充電效率，減少了電量焦慮的困擾。充放電功率的不斷提高，對(duì)用于鋰電池保護(hù)的MOSFET的性能提出了更高的挑戰(zhàn)：如何在降低內(nèi)阻的同時(shí)，兼顧機(jī)械應(yīng)力及雪崩能量等要求，成為聚焦的重點(diǎn)。

圖2：CSP封裝MOSFET典型應(yīng)用場(chǎng)景（來(lái)源：納芯微）

技術(shù)特點(diǎn)：

專(zhuān)有的CSP封裝技術(shù)

傳統(tǒng)CSP封裝結(jié)構(gòu)為了降低襯底電阻，采用了芯片厚度減薄的方法，從而降低了該封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度，隨之而來(lái)的，在生產(chǎn)組裝過(guò)程中，可能會(huì)造成芯片翹曲變形甚者產(chǎn)生裂紋，從而導(dǎo)致應(yīng)用端不良等問(wèn)題。

納芯微全新CSP封裝系列產(chǎn)品在設(shè)計(jì)之初就在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上做了調(diào)整，使導(dǎo)通電流平行于芯片表面，縮短電流路徑，從而降低導(dǎo)通電阻，也就從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機(jī)械強(qiáng)度問(wèn)題（耐受機(jī)械壓力>60N），更高的機(jī)械強(qiáng)度，可以幫助芯片在兼顧輕薄化、小型化的基礎(chǔ)上，最大程度上降低使用過(guò)程中的變形、裂片等問(wèn)題，保證了產(chǎn)品的可靠性和安全性。

圖3：納芯微CSP封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)CSP封裝結(jié)構(gòu)對(duì)比（來(lái)源：納芯微）

高抗短路和雪崩的能力

作為鋰電池保護(hù)電路中的關(guān)鍵器件，CSP封裝MOSFET的短路過(guò)流能力和雪崩過(guò)壓能力也是衡量該芯片的重要參數(shù)指標(biāo)。相比市場(chǎng)上其他產(chǎn)品，納芯微該系列產(chǎn)品具備非常好的抗短路和雪崩的能力：短路電流測(cè)試達(dá)到280A，雪崩能力測(cè)試>30A(225mJ)。

圖4：納芯微CSP封裝MOSFET短路及雪崩測(cè)試（來(lái)源：納芯微）

納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品選型表

（來(lái)源：納芯微）


審核編輯 黃宇