文章來源：學(xué)習(xí)那些事

原文作者：小陳婆婆

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。

常壓及低壓化學(xué)氣相沉積

1.1 常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)

在碳化硅MEMS技術(shù)的早期發(fā)展階段，常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)是主要的多晶碳化硅沉積技術(shù)。由于APCVD已廣泛用于電子器件中碳化硅薄膜的外延生長，因此將其擴(kuò)展到多晶碳化硅的沉積相對容易。APCVD多晶碳化硅的生長通常使用最初為硅上3C-SiC異質(zhì)外延生長設(shè)計的反應(yīng)腔，包括立式和臥式兩種。

APCVD的生長方式：多晶碳化硅可以通過硅烷和丙烷等雙重前體實現(xiàn)生長，這些前體氣體分別提供硅和碳元素。也可以使用如六甲基乙硅烷(HMDS)的單一前體進(jìn)行生長。

APCVD的特點：在這兩種生長方式中，都使用氫氣作為載體氣體，并在1050℃以上的溫度下實現(xiàn)化學(xué)計量比的多晶碳化硅薄膜的生長。然而，APCVD存在一些固有的缺點，如感應(yīng)加熱的石墨基座限制了襯底的尺寸和反應(yīng)腔的容量，從而限制了產(chǎn)量。沉積溫度高也是一個問題，因為無法在許多其他材料上沉積多晶碳化硅，并且對于與集成電路有關(guān)的單片集成來說也是一個挑戰(zhàn)。

1.2 低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)

為了解決APCVD的缺點，低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)應(yīng)運而生。LPCVD是一種成熟的硅半導(dǎo)體和MEMS工藝技術(shù)，與APCVD相比具有許多優(yōu)勢。

LPCVD的特點：LPCVD實現(xiàn)了對氣體輸運特性的精確控制，能夠沉積具有優(yōu)異均勻性和極好臺階覆蓋的薄膜，這些特性對制造MEMS至關(guān)重要。LPCVD反應(yīng)腔具有高純度、大尺寸晶片生產(chǎn)能力和多晶片容量的特性，對高質(zhì)量薄膜的高產(chǎn)量生產(chǎn)極具吸引力。

LPCVD在碳化硅生長中的應(yīng)用：LPCVD已被證明可用于生長具有廣泛電氣、機(jī)械和化學(xué)特性的多晶碳化硅薄膜。研究和實踐集中在開發(fā)用于大面積多晶片反應(yīng)腔中的多晶碳化硅沉積工藝。目前，LPCVD工藝可用于直徑高達(dá)150mm的襯底上的薄膜沉積。

前體氣體的應(yīng)用

在LPCVD中，多種單、雙前體氣體已被用于多晶碳化硅的生長。

單一前體：包括二硅丁烷(DSB)、三甲基硅烷和六甲基二硅氮烷等。其中，1,3-二硅丁烷是研究最多的前體，能夠在大約800℃的溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的多晶碳化硅，并且可以在低至650℃的溫度下沉積非晶碳化硅。

雙前體：通常將硅烷或二氯硅烷用作硅的前體，而將甲烷、丁烷或乙炔用作碳的前體。二氯硅烷和乙炔的組合是雙前體LPCVD多晶碳化硅的主要選擇，因其在MEMS級薄膜上的早期生長和過程特性良好。

前體氣體的選擇對沉積工藝的影響：不同的前體氣體組合會影響沉積溫度、生長速率、薄膜的電學(xué)和機(jī)械性能等?；诙瓒⊥榈腖PCVD具有高共形性，是使MEMS結(jié)構(gòu)具備耐磨和耐化學(xué)腐蝕涂層的理想特性。

隨著對LPCVD和多晶碳化硅生長工藝的不斷研究和實踐，技術(shù)成熟度不斷提高。目前，大多數(shù)MEMS器件都使用LPCVD技術(shù)沉積的薄膜制造，如耐高溫抗沖擊應(yīng)變儀、惡劣環(huán)境加速計和用于氣缸內(nèi)壓力測量的壓力傳感器等。

低壓化學(xué)氣相沉積摻雜

在MEMS應(yīng)用中，多晶碳化硅的電導(dǎo)率可調(diào)性是一個關(guān)鍵特性，這通常通過在其生長過程中進(jìn)行摻雜來實現(xiàn)。由于多晶碳化硅不適合采用擴(kuò)散摻雜，因此需要在生長過程中向反應(yīng)腔中添加摻雜劑前體來實現(xiàn)雜質(zhì)原子的受控?fù)诫s。

摻雜類型的選擇：在MEMS應(yīng)用中，材料的導(dǎo)電性通常比雜質(zhì)類型(N型或P型摻雜)更為重要。因此，氮摻雜的N型多晶碳化硅因其處理簡單而更受歡迎。與其他摻雜原子(如磷、鋁和硼)相比，氮在碳化硅中具有更低的電離能，這使得氮成為首選的摻雜劑。

摻雜的挑戰(zhàn)：盡管氮摻雜在碳化硅外延摻雜和晶錠生長中已得到廣泛應(yīng)用，但在MEMS級多晶碳化硅中的摻雜卻相對困難。這主要是由于多晶碳化硅的材料特性和低溫沉積條件所致。摻雜前體必須在低溫下分解，而多晶碳化硅中晶界的存在也使得低溫下?lián)诫s劑的摻入和載流子的輸運變得困難。摻雜原子在晶界的俘獲和原子遷移率的降低將直接影響生長過程，從而導(dǎo)致薄膜性質(zhì)發(fā)生變化。

氨摻雜的研究：對于低溫沉積的多晶碳化硅，氨摻雜已進(jìn)行了大量研究。Wijesundara等人成功地嘗試了在850℃下使用二硅丁烷生長多晶碳化硅的同時對其進(jìn)行摻雜，將電阻率降低到了0.02Ω·cm。后來，在低至800℃的生長溫度下對多晶碳化硅的摻雜也證實了氨氣作為多晶碳化硅低溫沉積的摻雜前體的可行性。下圖展示了進(jìn)料氣中氨的增加對碳化硅薄膜電阻率的影響曲線。

目前，氨氣已被廣泛用作單一前體和雙重前體沉積體系中沉積多晶碳化硅的摻雜前體。

摻雜對性能的影響：對多晶碳化硅進(jìn)行摻雜的關(guān)鍵問題是如何在優(yōu)化電性能的同時保持MEMS應(yīng)用所需的機(jī)械性能。摻雜會導(dǎo)致生長速率、結(jié)晶度、晶粒尺寸、殘余應(yīng)力等生長特性的變化，并影響多晶碳化硅的楊氏模量等機(jī)械性能。有研究者觀察到由摻雜變化引起的晶體質(zhì)量的變化，指出晶格常數(shù)隨著摻雜濃度的增加而降低。此外，最近的研究還表明，由摻雜引起的晶粒尺寸的變化會影響彎曲模多晶碳化硅橫向諧振器的品質(zhì)因數(shù)。這些結(jié)果表明，多晶碳化硅的機(jī)械性能和摻雜水平是相互影響的。

摻雜作為調(diào)整器件特性的工具：摻雜不僅可以用于調(diào)整多晶碳化硅的電導(dǎo)率，還可以作為調(diào)整器件特性的重要工具和手段來滿足工藝的需要。通過精確控制摻雜劑的種類、濃度和沉積條件，可以實現(xiàn)對多晶碳化硅薄膜性能的精細(xì)調(diào)控，從而滿足MEMS器件對材料性能的多樣化需求。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)為制備能在惡劣環(huán)境下工作的MEMS結(jié)構(gòu)材料提供了一種有效的方法。其中，非晶碳化硅因其理想的化學(xué)和機(jī)械性能而受到廣泛關(guān)注。PECVD非晶碳化硅的沉積溫度極低(<600℃)，這一特性使得它能夠集成到各種襯底中，成為碳化硅微系統(tǒng)制造的關(guān)鍵技術(shù)。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：PECVD非晶碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括器件封裝、保護(hù)涂層和電介質(zhì)層的形成。在器件封裝方面，它能夠提供優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性;作為保護(hù)涂層，它能夠抵御惡劣環(huán)境的侵蝕;而在形成電介質(zhì)層時，它則能展現(xiàn)出良好的電學(xué)性能。

沉積條件與薄膜性能：與其他沉積技術(shù)類似，PECVD非晶碳化硅薄膜的性能在很大程度上取決于沉積條件。通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)，如沉積溫度、壓力、等離子體功率和氣相組成，可以根據(jù)特定的應(yīng)用需求和允許的最大熱預(yù)算來調(diào)整薄膜的性能。在傳統(tǒng)的PECVD反應(yīng)腔中，通常使用加熱的襯底支架進(jìn)行沉積。甲烷和硅烷是常用的前體材料，但也可以使用單一前體，如二硅丁烷或甲基硅烷。這些前體在等離子體的作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成非晶碳化硅薄膜。

應(yīng)力控制與退火處理：一般情況下，PECVD薄膜會表現(xiàn)出壓縮應(yīng)力。然而，通過優(yōu)化工藝條件，如降低等離子體功率和提高沉積溫度，可以將應(yīng)力水平調(diào)整到所需值。有時，為了進(jìn)一步降低應(yīng)力水平，可能需要在450℃~600℃的溫度下進(jìn)行沉積后的退火處理。

應(yīng)用實例與潛力：PECVD生長的非晶碳化硅在MEMS制造中具有廣泛的應(yīng)用潛力。它可以作為支架層，為MEMS器件提供穩(wěn)定的支撐;同時，也可以作為最終的密封層，確保器件的密封性和可靠性。早期的研究還表明，PECVD非晶碳化硅可用于封裝領(lǐng)域，如下圖所示。

該圖展示了使用PECVD非晶碳化硅封裝的圓形裂膜的SEM俯視圖。

然而，需要注意的是，由于PECVD非晶碳化硅的導(dǎo)電性不足，它難以成為獨立的MEMS材料。因此，在實際應(yīng)用中，可能需要結(jié)合其他導(dǎo)電材料或進(jìn)行額外的處理以滿足特定的電學(xué)性能要求。

離子束輔助沉積技術(shù)

離子束輔助沉積(IBAD)是一種結(jié)合物理沉積與離子轟擊的薄膜制備技術(shù)。該技術(shù)利用濺射沉積或蒸發(fā)沉積作為物理沉積手段，并通過輔助離子源對沉積表面進(jìn)行離子轟擊，以實現(xiàn)薄膜的致密化、改性界面生成或復(fù)合材料制備。

系統(tǒng)構(gòu)成與操作模式：IBAD系統(tǒng)通常配備有濺射離子源(靶材)和輔助離子源(離子轟擊源)。輔助離子源的配置可根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行調(diào)整。例如，使用稀有氣體(如氬氣)電離的離子進(jìn)行轟擊，可以致密化沉積的薄膜或在襯底與薄膜之間生成改性界面。當(dāng)輔助離子源提供反應(yīng)性離子(如氧離子或氮離子)時，可以在生長表面生成復(fù)合材料，如金屬氧化物或氮化物。

應(yīng)用領(lǐng)域：IBAD薄膜被廣泛用作磁性薄膜、保護(hù)涂層和硬涂層。在磁性薄膜領(lǐng)域，IBAD技術(shù)可以制備具有優(yōu)異磁性能的薄膜材料。作為保護(hù)涂層和硬涂層，IBAD薄膜能夠顯著提高基材的耐磨性、耐腐蝕性和硬度。

復(fù)合薄膜的制備：為了使用IBAD技術(shù)形成諸如碳化硅的復(fù)合薄膜，通常需要采用雙離子束系統(tǒng)，并為每種類型的元素配置單獨的靶材。這是因為使用離子束濺射時，兩種元素的濺射速率可能不一致，導(dǎo)致難以形成化學(xué)計量的復(fù)合薄膜。然而，通過優(yōu)化濺射條件和選擇合適的靶材，可以制備出具有理想化學(xué)計量比的碳化硅薄膜。

沉積參數(shù)與薄膜性能：IBAD薄膜的沉積速率、應(yīng)力和化學(xué)計量比等性能受多種沉積參數(shù)的影響。沉積速率主要取決于濺射源的離子通量，通常在5~15nm/min之間。沉積薄膜的應(yīng)力屬于壓縮應(yīng)力，受沉積溫度、沉積壓力、沉積角度和輔助離子等因素的影響。隨著沉積溫度的升高，應(yīng)力水平會降低;較高的沉積壓力會導(dǎo)致壓縮應(yīng)力的減小;沉積角度的變化會影響堆積密度和壓縮應(yīng)力;而輔助離子則會增加壓縮應(yīng)力并微調(diào)化學(xué)計量比。

可視化沉積與蝕刻孔密封：IBAD技術(shù)的一個獨特特點是濺射粒子從靶材中出來時具有高定向性，因此可以使用準(zhǔn)直離子束進(jìn)行濺射。這一特性使得IBAD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)沉積過程的可視化，對封裝時蝕刻孔的密封非常有利。通過IBAD技術(shù)沉積的密封層可以清晰地覆蓋蝕刻孔，而不會造成不必要的質(zhì)量負(fù)載。

晶圓級封裝與真空封裝：IBAD技術(shù)在晶圓級封裝和真空封裝方面具有巨大的潛力。由于沉積通常是在較低的腔體壓力下進(jìn)行的，可以大大降低制備的振動MEMS器件的空氣阻尼。此外，可視化沉積可用于創(chuàng)建獨特的MEMS器件，如使用掩模板技術(shù)制備的3D微結(jié)構(gòu)。IBAD技術(shù)沉積的非晶碳化硅薄膜具有較高的熱穩(wěn)定性，因此在高溫應(yīng)用中具有很大的潛力。

磁控濺射沉積

磁控濺射沉積作為一種低溫沉積技術(shù)，與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)具有諸多相似之處，且該技術(shù)有望實現(xiàn)化學(xué)計量碳化硅的生長，為MEMS器件的制造提供了新可能。

磁控濺射沉積的特點與優(yōu)勢：磁控濺射沉積技術(shù)通過磁場控制電子的運動軌跡，有效提高了濺射效率和沉積速率，同時降低了基片的溫度。這一特點使得磁控濺射沉積成為低溫沉積非晶碳化硅薄膜的理想選擇。與PECVD相比，磁控濺射沉積無需使用含氫的前體材料，因此可以避免氫元素對薄膜性能的影響，從而制備出無氫的非晶碳化硅薄膜。

磁控濺射沉積在碳化硅MEMS制造中的應(yīng)用：在碳化硅MEMS制造中，磁控濺射沉積技術(shù)具有諸多優(yōu)勢。首先，該技術(shù)可以在較低溫度下生長出高質(zhì)量的碳化硅薄膜，避免了高溫處理對電子器件性能的影響。其次，磁控濺射沉積技術(shù)具有高度的可控性，可以通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)來精確控制薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能。此外，該技術(shù)還可以與離子注入等工藝相結(jié)合，實現(xiàn)碳化硅微結(jié)構(gòu)的直接合成，無需通過蝕刻步驟即可制造MEMS器件。

磁控濺射沉積面臨的挑戰(zhàn)與研究方向：盡管磁控濺射沉積技術(shù)在碳化硅MEMS制造中展現(xiàn)出巨大的潛力，但仍面臨一些挑戰(zhàn)。首先，對碳化硅薄膜機(jī)械和電氣性能的控制仍需進(jìn)一步研究。由于磁控濺射沉積過程中涉及復(fù)雜的物理和化學(xué)過程，因此需要對沉積參數(shù)進(jìn)行精確調(diào)控，以實現(xiàn)薄膜性能的優(yōu)化。其次，薄膜應(yīng)力和應(yīng)力梯度的控制也是一個需要解決的問題。離子注入等工藝可能導(dǎo)致薄膜應(yīng)力的增加，從而影響MEMS器件的性能和可靠性。

碳化硅MEMS制造技術(shù)的未來展望：隨著碳化硅MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展，對沉積技術(shù)的革新提出了更高的要求。低溫沉積工藝是實現(xiàn)全碳化硅微系統(tǒng)應(yīng)用的關(guān)鍵。磁控濺射沉積技術(shù)作為一種具有低溫沉積能力的技術(shù)，有望在碳化硅MEMS制造中發(fā)揮越來越重要的作用。未來，需要進(jìn)一步加強(qiáng)磁控濺射沉積技術(shù)的研究與開發(fā)，推動其在碳化硅MEMS制造中的廣泛應(yīng)用。同時，還需要探索與其他先進(jìn)工藝的集成方法，以實現(xiàn)更復(fù)雜、更高性能的碳化硅微系統(tǒng)的制造。