本文介紹了背金工藝的工藝流程。

本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。

背金工藝的工藝流程

如上圖，步驟為： tape→grinding →Si etch→ Detape→ Pre-treatment→back metal 即貼膠紙→減薄→硅刻蝕→撕膠紙→前處理→背面金屬化

1，tape

在晶圓正面貼上上圖所示的藍(lán)色膠帶，保護(hù)晶圓正面的圖形。 2，grinding ：將硅片背面研磨，減薄到適宜厚度，采用機(jī)械拋光的方法 3，Si etch：在背面減薄之后，硅片背面會(huì)有很多缺陷，并且有硅粉殘留。此時(shí)wafer內(nèi)部應(yīng)力很大，容易碎片，硅腐蝕可以消除其內(nèi)部應(yīng)力，并且使其表面粗糙度更大，金屬更容易在其上淀積。

常用硝酸和氫氟酸進(jìn)行刻蝕處理，方程式為： Si+HNO3+6HF=H2SiF6+H2NO2+H2O+H2 4，Pre-treatment：硅片背面的清潔度對(duì)種子層金屬與Si的結(jié)合力影響很大，因此要保證足夠的清潔。一般用BOE洗去硅表面的自然氧化層。

5，back metal：用電子束蒸發(fā)或磁控濺射的方法，沉積相應(yīng)的金屬層，以Ti/Ni/Au（Ag）為例，我曾見過的對(duì)應(yīng)的金屬厚度為：Ti1k?，Ni3.5k?，Au（Ag）1k?（6k?），當(dāng)然厚度可以根據(jù)具體的場(chǎng)景而不同。 END 轉(zhuǎn)載內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn) 不代表中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所立場(chǎng)