全球存儲器市場需求持續(xù)不減，國際大廠紛紛投入擴產(chǎn)行動。包括龍頭三星在NAND Flash方面，宣布中國西安開始第2期的建設(shè)工程，DRAM上也有意在韓國平澤（Pyeongtaek）廠大幅生產(chǎn)。

而另一家韓國大廠SK海力士，除了生產(chǎn)NAND Flash的M15廠預(yù)期在2019年正式營運之外，在DRAM部分也斥資86億美元，將在中國無錫興建第2期廠房。

另外，專注在NAND Flash產(chǎn)品的東芝，除了Fab 6廠即將在2019年營運外，還斥資70億美元用于興建Fab7廠，完成后將用于96層堆疊的3D NAND Flash生產(chǎn)。

美光部分，日前除宣布將在新加坡設(shè)立NAND Flash的第3座工廠之外，在DRAM產(chǎn)品方面，雖然無新擴建產(chǎn)能的計劃，但是預(yù)計將在中國***地區(qū)以提高生產(chǎn)效率來拉高位成長率的方式，提升產(chǎn)能。

因此，面對各家國際存儲器大廠的來勢洶洶，中國的存儲器廠投資也開始急起直追，預(yù)計也將在2019年加入全球擴產(chǎn)戰(zhàn)局。

根據(jù)TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式存儲器的合肥長鑫，以及致力于利基型存儲器晉華集成3大陣營為主。

以目前3家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018年下半年，隨著3大陣營的量產(chǎn)的時間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國存儲器生產(chǎn)元年。

DRAMeXchange表示，從3大廠目前布局進(jìn)度來看，合肥長鑫的廠房已于2017年6月封頂完工，并且于第3季開始移入測試用機臺。合肥長鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時程將會落于2018年第3季，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年，時程較預(yù)期落后。

此外，由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權(quán)外，初期可能將鎖定于中國銷售。

反觀，專注于利基型存儲的晉華集成，在2016年7月宣布于福建省晉江市建12寸廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來看，其利基型存儲器的試產(chǎn)延后至2018年第3季度，量產(chǎn)時程也將落在2019年上半年。

此外，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進(jìn)程來看，2016年12月底，由長江存儲主導(dǎo)的國家存儲器基地正式動土，官方預(yù)期分3階段，共建立3座3D-NAND Flash廠房。

第一階段廠房已于2017年9月完成興建，預(yù)定2018年第3季開始移入機臺，并于第4季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計劃。

DRAMeXchange指出，觀察中國存儲器廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019年將是中國存儲器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年。但也由于2家DRAM廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期難撼動全球市場現(xiàn)有格局。

無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)品，各家都是初試啼聲，相較于耕耘多年的既有存儲器大廠所面臨的挑戰(zhàn)更多，因此亦不排除量產(chǎn)時間點也可能比原先預(yù)期延后。

長期來看，隨著中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計2020年到2021年，2家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預(yù)估下，屆時2家廠商合計約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。

另一方面，長江存儲計劃設(shè)有的3座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來3到5年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。