“魔煙”是一個非正式術(shù)語，用來指由過熱的電子電路和組件產(chǎn)生的腐蝕性煙氣。這個詞組幾乎每一名電氣工程師都說過 —— 通常在他們忘了去調(diào)節(jié)電源電壓電平或意外使電壓軌對邏輯引腳短路時。

該事件的技術(shù)原因是電氣過應(yīng)力（EOS）；雖然人為錯誤是一種常見根源，但還存在其它可能的原因，而且更微妙。一些張貼到TI E2E?社區(qū)電機驅(qū)動器論壇的最常見問題（包括那些以“我的電機驅(qū)動器已停止正常工作”、“我的電機驅(qū)動器被損壞了”以及“我的電機不再旋轉(zhuǎn)了”開頭的問題）的背后原因往往就是EOS。下面筆者將簡略說明EOS是什么，并列出可在電機驅(qū)動系統(tǒng)里導(dǎo)致EOS的幾大常見根源。在下一篇文章中，筆者將討論幾種能幫您防止電機驅(qū)動系統(tǒng)里出現(xiàn)EOS現(xiàn)象的方法。

EOS是當(dāng)電子器件承受超過該器件規(guī)定限值的電流或電壓時發(fā)生的熱損壞。熱損壞一般由EOS事件（跨電阻的大電流）中產(chǎn)生的過多熱量引起。這種高溫會對用來構(gòu)建集成電路的材料造成損壞，從而導(dǎo)致其運行被破壞或永久性改變。

既然您已了解EOS是什么，您如何能知道規(guī)定限值是多少呢？為達(dá)到這個目的，您必須仔細(xì)查看電子器件產(chǎn)品說明書中的絕對最大額定值表（請參看表1，它來自DRV8701產(chǎn)品說明書）。絕對最大額定值是這樣的技術(shù)規(guī)格 —— 超過它們會發(fā)生永久性損壞。在產(chǎn)品說明書中，絕對最大額定值與推薦工作條件不同；如果超過那些推薦工作條件的技術(shù)規(guī)格，器件可以繼續(xù)運行，只是在以產(chǎn)品說明書推薦工作條件范圍之外的技術(shù)規(guī)格運行。違反表1規(guī)定的一個例子是：如果由于電源軌上的瞬態(tài)事件，VM電源引腳達(dá)到了50V……

表1：DRV8701的絕對最大額定值表

那么，可在電機驅(qū)動系統(tǒng)里導(dǎo)致EOS的一些常見根源是什么？

電源過壓

EOS的最常見根源之一是器件電源輸入端上的過壓事件。電源過壓可由電機再生電能（如以前一篇文章中所概述的，示例見圖1）或系統(tǒng)的外部事件（如組件故障）引起。了解過壓事件的根源所在需要在一切可能的內(nèi)部和外部運行條件下監(jiān)測系統(tǒng)電源軌。

圖1：電源過壓瞬變

開關(guān)瞬變

導(dǎo)致電機驅(qū)動系統(tǒng)中出現(xiàn)EOS現(xiàn)象的另一種常見根源是：遭受與功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)相關(guān)的電壓瞬變。在理想的半橋開關(guān)系統(tǒng)中，電壓將在VGROUND和VSUPPLY（圖2）之間交替波動。但在現(xiàn)實世界里，功率MOSFET和印刷電路板（PCB）布局中的寄生現(xiàn)象會導(dǎo)致電壓瞬變 —— 電壓將變得低于VGROUND或高于VSUPPLY（圖3）。

圖2：理想的半橋驅(qū)動器

圖3：存在寄生現(xiàn)象的半橋驅(qū)動器

MOSFET過流

筆者將提到的最后一種EOS事件與功率MOSFET的過流有關(guān)。TI的集成電機驅(qū)動器具有過流和過溫保護功能，可防止過流情況下的EOS。筆者在以前的一篇文章中詳細(xì)討論過這些，但對于使用柵極驅(qū)動器（具有外部功率MOSFET）的系統(tǒng)，您必須注意不要違反MOSFET安全工作區(qū)規(guī)定。功率MOSFET產(chǎn)品說明書通常會包含一個安全工作區(qū)（SOA）曲線圖（如圖4所示）。功率MOSFET中電流過大將最終導(dǎo)致該器件或其封裝的熱損壞。

圖4：CSD18540Q5B最大安全工作區(qū)