氮化鎵GaN功率元件產(chǎn)業(yè)逐步發(fā)展
2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬美元，研究機構Yole Développemen研究顯示預計到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復合成長率高達79%。包括LiDAR、無線功率和封包追蹤等應用，尤其是高階低/中壓應用，GaN技術是滿足其特定需求的唯一現(xiàn)有解決方案。
雖然目前只有少數(shù)廠商展示商業(yè)化的GaN技術，但事實上已有許多公司投入GaN技術。因此，功率GaN供應鏈逐步發(fā)展中，在2016~2017年期間，Yole分析師發(fā)現(xiàn)很多支持GaN元件開發(fā)和商品化的投資。Yole將GaN電源供應??鏈劃分為兩個主要模型：IDM和代工廠。
目前的GaN元件市場主要由支持200V以下應用的元件為主。預計600V元件將起飛并保持成長。但是，當GaN開始取代不同應用中的MOSFET并實現(xiàn)新的應用時，200V以下元件的市場比重將再次增加，硅基GaN氮化鎵一直是一個有前途的解決方案，因為其與CMOS制程的相容性和降低成本的潛力。
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原文標題：氮化鎵GaN功率元件產(chǎn)業(yè)逐漸起飛
文章出處：【微信號：iawbs2016，微信公眾號：寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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