IGBT是電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)的核心，決定了整車的能源效率。IGBT是一種全控型電壓驅(qū)動式復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，為世界公認(rèn)的電力電子領(lǐng)域第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，具有高開關(guān)頻率、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被譽為功率變流裝置的“CPU”，但這一關(guān)鍵技術(shù)長期被國外品牌壟斷。

隨著國內(nèi)新能源汽車突飛猛進地發(fā)展，國產(chǎn)IGBT相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)也有重大突破，其中表現(xiàn)最突出的便是比亞迪自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品。

有數(shù)據(jù)顯示，比亞迪IGBT模塊V-315系列是全球首款大批量應(yīng)用于雙模混合動力汽車的1200V大功率IGBT模塊，是全球裝車量最多的全橋IGBT模塊。

V-315系列 IGBT模塊采用比亞迪完全自主知識產(chǎn)權(quán)的IGBT和FRD芯片，針對汽車級IGBT高可靠性、高耐流和高效率的設(shè)計和制造難題，提出元胞精細(xì)化與復(fù)合場終止的設(shè)計方案，突破了IGBT內(nèi)部電場優(yōu)化、加工工藝及減薄等關(guān)鍵技術(shù)，從而使得芯片開關(guān)速度大幅提升，具備與NPT技術(shù)相同的魯棒性，優(yōu)于國際先進廠商同類產(chǎn)品的雪崩吸收能力。

此外，在模塊封裝結(jié)構(gòu)上采用復(fù)合熱傳導(dǎo)模型的IGBT Pin-fin針狀直接冷卻結(jié)構(gòu)，并基于航空材料鋁碳化硅（AlSiC）具有密度小、硬度高、熱膨脹系數(shù)與Si材料匹配性好的特性，創(chuàng)新性地采用了優(yōu)化的鋁碳化硅（AlSiC）代替銅（Cu）作為模塊底板材料，極大地提升了模塊的使用壽命，冷熱循環(huán)能力是傳統(tǒng)銅底板模塊的10倍以上，同時模塊重量減輕了一半。

比亞迪自2006年開始致力于IGBT相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，現(xiàn)已形成包括IGBT和FRD芯片設(shè)計、模塊設(shè)計及封裝制造和大功率模塊測試應(yīng)用平臺在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局，在國內(nèi)IGBT領(lǐng)域已處于行業(yè)領(lǐng)先地位。