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      ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

      半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者：工程師吳畏 ? 2018-07-17 16:46 ? 次閱讀

      ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。

      此次ANSYS取得聯(lián)電的認(rèn)證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號(hào)電子遷移（signal EM）以及自發(fā)熱（self-heat）分析。聯(lián)電的14納米FinFET技術(shù)與 28納米技術(shù)相較快55%，耗電減少50%，適合需要更多功能、超高效能與超低功耗的應(yīng)用。

      聯(lián)電智慧財(cái)產(chǎn)開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)支援部門總監(jiān)T.H. Lin表示：「聯(lián)電不斷改進(jìn)設(shè)計(jì)以支援產(chǎn)品，幫助客戶縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并加速產(chǎn)品上市時(shí)程。我們與ANSYS合作無(wú)間，雙方共同客戶能夠運(yùn)用ANSYS的多物理場(chǎng)模擬，將設(shè)計(jì)最佳化，改善效能并減少過(guò)度設(shè)計(jì)（overdesign）?！?/p>

      ANSYS總經(jīng)理John Lee表示：「深次微16納米以下的多層次實(shí)體效應(yīng)的相互依存性持續(xù)增加，如電源、可靠度和發(fā)熱議題，對(duì)設(shè)計(jì)收斂帶來(lái)重大挑戰(zhàn)。ANSYS的半導(dǎo)體解決方案架構(gòu)針對(duì)多層次實(shí)體最佳化設(shè)計(jì)，而聯(lián)電認(rèn)證ANSYS解決方案經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試和準(zhǔn)確規(guī)范的確認(rèn)，有助于雙方共同客戶加速設(shè)計(jì)收斂?！?/p>

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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