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如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

h1654155971.7596 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:伍文輝 ? 2018-07-22 10:32 ? 次閱讀

在中國(guó)與美國(guó)的貿(mào)易沖突中,半導(dǎo)體領(lǐng)域是其中的一個(gè)重點(diǎn),它是《中國(guó)制造2025》路線圖中第一個(gè)要解決的高科技領(lǐng)域,也是中國(guó)制造業(yè)目前的薄弱之處,在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造到封裝三個(gè)環(huán)節(jié)中,半導(dǎo)體制造是國(guó)內(nèi)急需突破的領(lǐng)域,但它也是技術(shù)門(mén)檻最高的,國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體制造公司中芯國(guó)際的營(yíng)收只有第一大晶圓代工公司臺(tái)積電的1/20,與英特爾相比更是只有1/20,但是這些芯片制造公司都離不開(kāi)一個(gè)設(shè)備——光刻機(jī),它是整個(gè)半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠。

這兩年國(guó)內(nèi)大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之后,“光刻機(jī)對(duì)中國(guó)禁售”、“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不起來(lái)就是沒(méi)有光刻機(jī)”等似是而非的說(shuō)法也為人津津樂(lè)道,而荷蘭ASML(中文名阿斯麥)公司也因?yàn)槭悄壳白钪匾墓饪虣C(jī)供應(yīng)商而被更多網(wǎng)友提起,大家感慨荷蘭這么小的國(guó)家竟然能研發(fā)出這么高精尖的設(shè)備。

如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

針對(duì)這些問(wèn)題,今天的超能課堂我們就來(lái)聊聊光刻機(jī),建議閱讀本文之前大家先看看我們之前做過(guò)的一期超能課堂文章——沙子做的CPU,憑什么賣(mài)那么貴?,里面介紹了CPU的制造過(guò)程,其中光刻的過(guò)程就是CPU生產(chǎn)的核心,這一過(guò)程就是在光刻機(jī)中完成的。

光刻機(jī)為何被稱(chēng)為半導(dǎo)體設(shè)備上的明珠?它到底有多重要?

其實(shí)簡(jiǎn)單的流程圖并不能反映出光刻在芯片制造過(guò)程中的重要性的,我們?cè)賮?lái)一個(gè)更簡(jiǎn)單、直接的有關(guān)芯片是如何研發(fā)、生產(chǎn)的,來(lái)看下面的示意圖:

如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

如果AMD/NVIDIA/高通要研發(fā)新一代CPU/GPU芯片,他們會(huì)使用到Cadence、Synospsys提供的EDA工具來(lái)輔助設(shè)計(jì)芯片,期間會(huì)用到各種IP核心,有的是來(lái)自ARM等第三方公司授權(quán),也有的是公司自己研發(fā)的,設(shè)計(jì)完成之后他們會(huì)把芯片交給TSMC臺(tái)積電、UMC聯(lián)電、SMIC中芯國(guó)際等晶圓代工廠,這些代工廠的生產(chǎn)設(shè)備則來(lái)自ASML、AMAT應(yīng)用材料、Lam等,8寸、12英寸硅片則是來(lái)自日本信越、Sumco勝高等公司公司,當(dāng)然半導(dǎo)體制造中使用的材料還有很多,比如光刻膠、清洗劑等等,這些都可以歸類(lèi)于半導(dǎo)體材料行業(yè)中。

之前看到過(guò)一個(gè)好笑但也很有趣的悟空問(wèn)答,有人問(wèn)臺(tái)積電能給AMD、NVIDIA、高通等公司代工處理器,難道不怕臺(tái)積電偷偷學(xué)習(xí)他們的芯片然后自己生產(chǎn)嗎?先不說(shuō)這么做的法律風(fēng)險(xiǎn),單從技術(shù)上來(lái)說(shuō)代工廠復(fù)制芯片設(shè)計(jì)也沒(méi)普通人想象的那么容易,因?yàn)?a target="_blank">IC設(shè)計(jì)公司并不是把芯片設(shè)計(jì)圖給代工廠,代工廠是通過(guò)他們制作好的光罩或者說(shuō)光掩膜版(mask)來(lái)生產(chǎn)芯片的。

如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

如上圖所示,臺(tái)積電等晶圓代工廠做的工作實(shí)際上就是將IC設(shè)計(jì)公司做好的光罩通過(guò)光刻工藝復(fù)制一遍到買(mǎi)來(lái)的晶圓上,所以這也是他們?yōu)槭裁幢环Q(chēng)為晶圓代工廠的原因,做的就是幫助別人加工成芯片的工作。

這些話說(shuō)來(lái)簡(jiǎn)單,但半導(dǎo)體芯片的實(shí)際制造過(guò)程非常復(fù)雜,如今的半導(dǎo)體芯片越來(lái)越強(qiáng)大,從28nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始已經(jīng)不是一次光刻就能實(shí)現(xiàn)的了,所以出現(xiàn)了多重曝光這樣的技術(shù),就是多次光刻處理,工藝越先進(jìn),芯片越復(fù)雜,所需的光刻次數(shù)就會(huì)越多,但需要多次消耗光刻膠及多次清洗,這樣就會(huì)增加芯片生產(chǎn)的時(shí)間,提高了生產(chǎn)的復(fù)雜度,帶來(lái)的后果就是芯片成本越來(lái)越高。

半導(dǎo)體芯片在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中可能需要20-30次的光刻,耗時(shí)占到了生產(chǎn)環(huán)節(jié)的一半,成本能占到三分之一。

光刻不僅是影響代工廠的生產(chǎn)效率及成本,更主要的是光刻機(jī)的技術(shù)水平?jīng)Q定了芯片的制程工藝,這個(gè)才是最關(guān)鍵的,這也是光刻機(jī)最重要的功能。

光刻機(jī)的原理及結(jié)構(gòu),堪稱(chēng)人類(lèi)最精密的設(shè)備之一

光刻在芯片生產(chǎn)過(guò)程中如此重要,這也奠定了光刻機(jī)在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的地位——沒(méi)有先進(jìn)的光刻機(jī),其他過(guò)程都是舍本逐末。

光刻機(jī),按照不同的用途及光源有多種分類(lèi),現(xiàn)在大家說(shuō)的主要是紫外光刻機(jī),我們這里提到的主要有DUV深紫外光及EUV極紫外光,DUV光刻機(jī)是目前大量應(yīng)用的光刻機(jī),波長(zhǎng)是193nm,光源是ArF(氟化氬)準(zhǔn)分子激光器,從45nm到10nm工藝都可以使用這種光刻機(jī),而EUV極紫外光波長(zhǎng)是13.5nm,波長(zhǎng)為何影響制程工藝后面再說(shuō),EUV光刻機(jī)主要用于7nm及以下節(jié)點(diǎn)。

如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

ASML光刻機(jī)工作原理

以ASML典型的沉浸式步進(jìn)掃描光刻機(jī)為例來(lái)看下光刻機(jī)是怎么工作的——首先是激光器發(fā)光,經(jīng)過(guò)矯正、能量控制器、光束成型裝置等之后進(jìn)入光掩膜臺(tái),上面放的就設(shè)計(jì)公司做好的光掩膜,之后經(jīng)過(guò)物鏡投射到曝光臺(tái),這里放的就是8寸或者12英寸晶圓,上面涂抹了光刻膠,具有光敏感性,紫外光就會(huì)在晶圓上蝕刻出電路。

同樣地,這個(gè)過(guò)程說(shuō)起來(lái)很簡(jiǎn)單,實(shí)際上超級(jí)復(fù)雜,ASML的光刻機(jī)靠著沉浸式及雙機(jī)臺(tái)等技術(shù)打敗了原本由日本佳能、尼康公司占據(jù)的光刻機(jī)市場(chǎng),別的不說(shuō),光是雙機(jī)臺(tái)技術(shù)就不知道有多高的要求了,芯片生產(chǎn)是nm級(jí)別的精度,兩個(gè)機(jī)臺(tái)的精度控制需要極高的工藝水平,也許差了幾nm就可能導(dǎo)致報(bào)廢。

從這里也可以看出光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)也很復(fù)雜,其中最重要的部分主要有激光器、物鏡及工作臺(tái),其中激光器負(fù)責(zé)光源產(chǎn)生,而光源對(duì)制程工藝是決定性影響的,而且激光的產(chǎn)生過(guò)程需要耗費(fèi)能量,這也是光刻機(jī)需要消耗大量電力的根源。

還有物鏡系統(tǒng),光刻機(jī)里面的光學(xué)鏡片不是一兩片,而是一套多達(dá)數(shù)十個(gè)光學(xué)鏡片組成的系統(tǒng),視不同結(jié)構(gòu),鏡片數(shù)量可能達(dá)到20片以上,而且面積很大,有如鍋蓋一般大小,不僅制作復(fù)雜,還需要精確的反射控制,玩單反的愛(ài)好者就知道鏡頭設(shè)計(jì)是多么復(fù)雜的了,更何況光刻機(jī)使用的是超大、超多組鏡片了。

還有就是工作機(jī)臺(tái),雙機(jī)臺(tái)大幅提高了晶圓生產(chǎn)的效率,可以一邊測(cè)量一邊曝光,但是雙機(jī)臺(tái)的控制又提高了復(fù)雜度,對(duì)工藝要求非常高。

2006年全球首臺(tái)EUV光刻機(jī)原型

如果只看光刻機(jī)的示意圖,大家同樣不會(huì)理解光刻機(jī)這貨到底有多大,上圖是ASML公布過(guò)的一張光刻機(jī)真身,大家可以看看光刻機(jī)到底有多大。

為何需要EUV光刻機(jī)?先進(jìn)工藝要么改光源要么改物鏡

193nm的DUV光刻機(jī)已經(jīng)使用多年,而且售價(jià)普遍在5000萬(wàn)美元,產(chǎn)能也高,為什么臺(tái)積電、三星還要找ASML買(mǎi)單價(jià)不低于1.2億美元的EUV光刻機(jī),而且還要忍受產(chǎn)量低、能耗大等問(wèn)題?他們顯然不是吃飽了撐的,因?yàn)橐雽?shí)現(xiàn)7nm及更先進(jìn)的工藝,現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)不夠用了,需要13.5nm波長(zhǎng)的EUV光刻機(jī)。

如何光刻機(jī)會(huì)稱(chēng)為半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠?

光刻機(jī)的分辨率取決于波長(zhǎng)、NA孔徑等

前面說(shuō)了,光刻機(jī)決定了半導(dǎo)體工藝的制程工藝,光刻機(jī)的精度跟光源的波長(zhǎng)、物鏡的數(shù)值孔徑是有關(guān)系的,有公式可以計(jì)算:

光刻機(jī)分辨率=k1*λ/NA

k1是常數(shù),不同的光刻機(jī)k1不同,λ指的是光源波長(zhǎng),NA是物鏡的數(shù)值孔徑,所以光刻機(jī)的分辨率就取決于光源波長(zhǎng)及物鏡的數(shù)值孔徑,波長(zhǎng)越短越好,NA越大越好,這樣光刻機(jī)分辨率就越高,制程工藝越先進(jìn)。

在現(xiàn)有技術(shù)條件上,NA數(shù)值孔徑并不容易提升,目前使用的鏡片NA值是0.33,大家可能還記得之前有過(guò)一個(gè)新聞,就是ASML投入20億美元入股卡爾·蔡司公司,雙方將合作研發(fā)新的EUV光刻機(jī),許多人不知道EUV光刻機(jī)跟蔡司有什么關(guān)系,現(xiàn)在應(yīng)該明白了,ASML跟蔡司合作就是研發(fā)NA 0.5的光學(xué)鏡片,這是EUV光刻機(jī)未來(lái)進(jìn)一步提升分辨率的關(guān)鍵,不過(guò)高NA的EUV光刻機(jī)至少是2025-2030年的事了,還早著呢,光學(xué)鏡片的進(jìn)步比電子產(chǎn)品難多了。

NA數(shù)值一時(shí)間不能提升,所以光刻機(jī)就選擇了改變光源,用13.5nm波長(zhǎng)的EUV取代193nm的DUV光源,這樣也能大幅提升光刻機(jī)的分辨率。

但是EUV光刻機(jī)的研制并不容易,不要以為只是換個(gè)光源,從DUV換到EUV對(duì)整個(gè)光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)都有重大影響,ASML公司研發(fā)EUV光刻機(jī)已經(jīng)十幾年甚至二十年的歷史了,期間英特爾、臺(tái)積電及三星都給ASML提供支持,先后投資數(shù)十億美元給ASML(不過(guò)ASML業(yè)績(jī)轉(zhuǎn)好之后基本上都賣(mài)出了股票)輸血,即便是這樣,現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)依然談不上完全成熟。

首先EUV極其耗電,因?yàn)?3.5nm的紫外光容易被吸收,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率非常低,據(jù)說(shuō)只有0.02%,目前ASML的EUV光刻機(jī)輸出功率是250W,工作一天就要耗電3萬(wàn)度——考慮到這個(gè)轉(zhuǎn)換率是多年前的,多年來(lái)可能會(huì)有進(jìn)步,但即便ASML大幅改進(jìn)了EUV光源的效率,EUV光刻機(jī)超級(jí)耗電也是跑不了的,臺(tái)積電在權(quán)衡未來(lái)的3nm晶圓廠選址時(shí),首要考慮的就是***是否有穩(wěn)定的電力供應(yīng)。

此外,即便有如此高的電力消耗,EUV光刻機(jī)現(xiàn)在的生產(chǎn)效率還不夠好,目前ASML的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)NXE:3400B的生產(chǎn)能力是125WPH,也就是一小時(shí)處理125片晶圓,而193nm光刻機(jī)NXT:1980Di的生產(chǎn)能力是275WPH,其他型號(hào)也能達(dá)到250WPH,產(chǎn)量能相差一倍。

·EUV光刻機(jī)不是中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵,國(guó)內(nèi)能量產(chǎn)90nm級(jí)別的光刻機(jī)

盡管EUV光刻機(jī)現(xiàn)在還不夠成熟,不過(guò)三星、臺(tái)積電及Globalfoundries等公司已經(jīng)開(kāi)始在7nm節(jié)點(diǎn)上大規(guī)模應(yīng)用EUV光刻機(jī),隨著需求的增加,EUV光刻機(jī)的成本也會(huì)下降,將推動(dòng)EUV光刻機(jī)的發(fā)展。

由于EUV光刻機(jī)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體工藝非常重要,很多網(wǎng)友也把國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體不行歸咎于沒(méi)有先進(jìn)的光刻機(jī),特別是EUV光刻機(jī),而瓦森那協(xié)議中對(duì)光刻設(shè)備的限制又引申出更多猜想,認(rèn)為這些限制是國(guó)內(nèi)芯片不行的原因,實(shí)際上這些傳聞聽(tīng)著很合理,但誤解頗多。

ASML的光刻機(jī)一直都有在國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售,近年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)的擴(kuò)大,大陸地區(qū)的客戶甚至逐漸成為ASML的大客戶,Q1季度中大陸地區(qū)的營(yíng)收占比就有19%,與美國(guó)地區(qū)持平。至于EUV光刻機(jī),國(guó)內(nèi)之前沒(méi)有也不是因?yàn)榻?,首先是EUV產(chǎn)量低,三星、臺(tái)積電、英特爾下單早,ASML優(yōu)先交付他們,但最主要的原因是國(guó)內(nèi)并沒(méi)有EUV光刻機(jī)的需求,因?yàn)镋UV光刻機(jī)主要用于7nm及以下的工藝,而國(guó)內(nèi)晶圓代工廠SMIC中芯國(guó)際目前最先進(jìn)的工藝還是28nm,完全用不到EUV光刻機(jī),明年才開(kāi)始生產(chǎn)14nm工藝,依然沒(méi)必要使用EUV光刻機(jī)。

不過(guò)中芯國(guó)際還是訂購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī),主要用于7nm工藝研究,預(yù)計(jì)明年初交付。

目前的光刻機(jī)市場(chǎng)主要是掌握在ASML公司手中,日本佳能、尼康公司的光刻機(jī)已經(jīng)嚴(yán)重落伍,處于被淘汰的地位。國(guó)內(nèi)也很早就研發(fā)光刻機(jī)了,如果大家的目光不是放在EUV光刻機(jī)這樣的頂級(jí)設(shè)備上,國(guó)內(nèi)實(shí)際上已經(jīng)國(guó)產(chǎn)化了LCD、LED用的光刻機(jī),其他先進(jìn)光刻機(jī)也在攻關(guān)中。

國(guó)內(nèi)目前主攻先進(jìn)光刻機(jī)的主要有兩大陣營(yíng),一個(gè)是中科院長(zhǎng)的學(xué)院派,承擔(dān)了國(guó)家的02專(zhuān)項(xiàng)中的90nm光刻機(jī)研發(fā),旗下長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所、應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)物鏡系統(tǒng),中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所負(fù)責(zé)照明系統(tǒng),去年已經(jīng)研發(fā)成功90nm光刻機(jī),并通過(guò)驗(yàn)收。

在企業(yè)陣營(yíng)中,主攻光刻機(jī)的是上海微電子裝備集團(tuán)、中電科電子裝備集團(tuán)等,其中上海微電子集團(tuán)已經(jīng)量產(chǎn)90nm光刻機(jī),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年實(shí)現(xiàn)45nm光刻機(jī)研發(fā),不過(guò)他們?cè)诜庋b光刻機(jī)市場(chǎng)上占了國(guó)內(nèi)80%的市場(chǎng),全球占有率也達(dá)到了40%,LED投影光刻機(jī)占有率也高達(dá)20%。

對(duì)于未來(lái)的EUV光刻機(jī),國(guó)內(nèi)也啟動(dòng)了關(guān)鍵技術(shù)研發(fā),有報(bào)道稱(chēng)2016年11月15日,由長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭承擔(dān)的國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)——“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目順利完成驗(yàn)收前現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,不過(guò)官方八股文宣傳的技術(shù)突破離最終量產(chǎn)EUV光刻機(jī)還有很遠(yuǎn)的距離,90nm光刻機(jī)用了10年時(shí)間研發(fā),國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)依然有很長(zhǎng)的路要走。

總結(jié):

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過(guò)程中最重要的一環(huán),光刻機(jī)則是具體實(shí)現(xiàn)光刻處理器的設(shè)備,它對(duì)CPU以及存儲(chǔ)芯片來(lái)說(shuō)都是如此,不論是生產(chǎn)效率、成本還是技術(shù)水平,光刻機(jī)都是決定性的?,F(xiàn)代的光刻機(jī)是一臺(tái)極其精密的復(fù)雜系統(tǒng),從激光器到物鏡再到工作臺(tái)都有很高的技術(shù)門(mén)檻,光刻機(jī)確實(shí)可以說(shuō)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的明珠,EUV光刻機(jī)更是明珠中的明珠。

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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體業(yè)的明珠 —— 光刻機(jī)

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    的頭像 發(fā)表于 01-06 15:11 ?389次閱讀

    無(wú)塵車(chē)間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)

    半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)振動(dòng)極為敏感,不同的設(shè)備及工藝對(duì)振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)要求也有所不同。一般來(lái)說(shuō),無(wú)塵車(chē)間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)主要從振動(dòng)頻率、振幅等方面進(jìn)行考量: 1,光刻設(shè)備 (1)振動(dòng)頻率:通常要求在
    的頭像 發(fā)表于 01-02 15:29 ?245次閱讀
    無(wú)塵車(chē)間<b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)

    【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+ 半導(dǎo)體工廠建設(shè)要求

    是工廠的排氣系統(tǒng);半導(dǎo)體制造和檢驗(yàn)過(guò)程中使用多種藥液和氣體,也會(huì)產(chǎn)生大量的污水和有害氣體,如圖1-1所示,污水處理設(shè)施、廢液儲(chǔ)存罐、廢氣處理設(shè)施也是半導(dǎo)體工廠的標(biāo)配。 通過(guò)閱讀此章了解了半導(dǎo)體工廠建設(shè)所需要的條件和設(shè)備,對(duì)生產(chǎn)環(huán)
    發(fā)表于 12-29 17:52

    光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

    光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹(shù)脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
    的頭像 發(fā)表于 12-19 13:57 ?322次閱讀

    半導(dǎo)體制造行業(yè)MES系統(tǒng)解決方案

    半導(dǎo)體制造行業(yè)MES系統(tǒng)解決方案在提高生產(chǎn)效率、降低成本、提升產(chǎn)品質(zhì)量和增強(qiáng)生產(chǎn)靈活性等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。然而,在實(shí)施過(guò)程中也需要克服一系列挑戰(zhàn)。隨著科技的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷變化,MES系統(tǒng)將在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮更加廣泛和深
    的頭像 發(fā)表于 12-10 11:56 ?332次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b>MES系統(tǒng)解決方案

    光刻機(jī)的工作原理和分類(lèi)

    ,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。芯片的加工過(guò)程對(duì)精度要求極高,光刻機(jī)通過(guò)一系列復(fù)雜的技術(shù)手段,將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模,經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:16 ?2760次閱讀

    ESD靜電對(duì)半導(dǎo)體制造的影響

    半導(dǎo)體制造業(yè)是一個(gè)高度精密和復(fù)雜的行業(yè),它依賴(lài)于先進(jìn)的技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)控制來(lái)制造微型電子元件。在這個(gè)過(guò)程中,靜電放電(ESD)是一個(gè)不可忽視的問(wèn)題,因?yàn)樗赡軐?duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 11-20 09:42 ?641次閱讀

    半導(dǎo)體制造過(guò)程解析

    在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程,包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線、電氣檢測(cè)和封裝等。
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:52 ?897次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>過(guò)程解析

    國(guó)產(chǎn)EOS技術(shù)突破,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新活力!

    半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備無(wú)疑是除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類(lèi)別之一。它深度參與光刻環(huán)節(jié),對(duì)制程節(jié)點(diǎn)極為敏感
    的頭像 發(fā)表于 10-08 11:17 ?690次閱讀
    國(guó)產(chǎn)EOS技術(shù)突破,為<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)注入新活力!

    凈化機(jī)與光刻機(jī):陌路交錯(cuò),攜手開(kāi)創(chuàng)行業(yè)未來(lái)

    光刻機(jī)稱(chēng)為半導(dǎo)體行業(yè)的璀璨明珠”,融合了光學(xué)、流體力學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、軟件和圖像等多個(gè)領(lǐng)域的尖端技術(shù),其構(gòu)造由十幾萬(wàn)個(gè)部件組
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:06 ?431次閱讀

    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)速:Hyper-NA EUV光刻機(jī)挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    。在這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽中,光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備,其重要性不言而喻,而荷蘭巨頭阿斯麥(ASML)無(wú)疑是這一領(lǐng)域的領(lǐng)航者。
    的頭像 發(fā)表于 07-03 14:46 ?2487次閱讀

    ASML光刻機(jī)技術(shù)的領(lǐng)航者,挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    ASML在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的角色,其光刻機(jī)技術(shù)和市場(chǎng)地位對(duì)于全球半導(dǎo)體制造廠商來(lái)說(shuō)都具有重要意義。
    發(fā)表于 03-05 11:26 ?1469次閱讀

    光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

    光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:19 ?4984次閱讀