薄膜電容器之所以能被廣泛使用，被各大廠商使用，是因為薄膜電容器具有自愈能力。薄膜電容器的自愈有兩種不同的機理：一種是放電自愈；另一種是電化學自愈。放電自愈是發(fā)生在電壓較高下，所以也稱為高壓自愈；電化學自愈在電壓很低的情況下也出現(xiàn)，所以稱為低壓自愈。

1、放電自愈

假設在兩個金屬化電極間的薄膜中有一瑕疵點，電阻為R。按瑕疵點的性質，它可能是金屬性瑕疵點，也可能是半導體或劣質絕緣性瑕疵點。當疵點是金屬性瑕疵點時，在低電壓下，電容器就已經(jīng)發(fā)生放電自愈。而是半導體或劣質絕緣性瑕疵點時，才出現(xiàn)高壓放電自愈。

放電自愈的過程是：在薄膜電容器上施加電壓V后，有歐姆電流I=V/R通過瑕疵點。流經(jīng)金屬化電極的電流密度J=V/Rπr2。也就是在金屬化電極內，離瑕疵點越近的區(qū)域，其電流密度越大。由于瑕疵點功耗W=(V2/R)r引起的焦爾熱，是半導體性或絕緣性瑕疵點的電阻R成指數(shù)性下降。因此電流I和功耗W又迅速增大，結果在金屬化電極離瑕疵點很近的區(qū)域中，電流密度J1= J=V/πr12急劇上升到其焦爾熱能將該區(qū)金屬化層的熔化，引起電極間在此處飛弧，電弧很快蒸發(fā)和拋散掉該處熔融金屬，形成無金屬層的絕緣隔離區(qū)，電弧熄滅，實現(xiàn)自愈。

2、電化學自愈

一般在低壓下，薄膜電容器會出現(xiàn)這種自愈情況。這種自愈的機理如下：假設在金屬化有機薄膜電容器的介質薄膜中有一瑕疵點，在電容器上加上電壓以后，通過疵點將有較大的漏電流，表現(xiàn)為電容器的絕緣電阻遠低于技術條件中的規(guī)定值。

因為薄膜電容器都有一定的吸水率，而且在電容器制造、儲存和使用過程中，電容器可能受潮，在漏電流中含有離子電流，也可能含有電子電流。所以在離子電流中會有相當一部分是因水被電解而產(chǎn)生的O2-離子和H-離子電流。O2-離子到達AL金屬化陽極以后，與AL結合形成AL2O3。隨著時間的增長，逐漸形成AL2O3絕緣層將疵點覆蓋和隔離，從而電容器絕緣電阻大為提高，達到自愈。

要注意的是，薄膜電容器要完成自愈，需要一定的能量，其能量有兩個來源：一個是來自電源，另一個是來自瑕疵點部分金屬的氧化和氮化放熱反應。