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IC Insights:2018半導體存儲IC資本支出540億美元 產(chǎn)業(yè)占比53%

漁翁先生 ? 來源:IC Insights ? 作者:尹志堅編譯 ? 2018-08-29 17:05 ? 次閱讀
預計閃存占資本支出的最大份額,而DRAM資本支出今年以最高的速度增長。
IC Insights預測,今年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)一年來第一次在資本支出上花費超過1000億美元。這1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%,比2016年增長了38%。
圖1顯示,超過一半的行業(yè)資本支出預計用于內(nèi)存生產(chǎn)-主要是DRAM和閃存-包括對現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設施的升級。總的來說,預計今年內(nèi)存將占到半導體資本支出的53%。存儲設備的資本支出份額在六年內(nèi)大幅增加,幾乎翻了一番,從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53%(540億美元),相當于2013-2018復合年增長率為30%。

圖1

在所顯示的主要產(chǎn)品類別中,預計DRAM/SRAM的支出增幅最大,但預計閃存占今年資本支出的最大份額(圖2)。預計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強勁增長82%后出現(xiàn)41%的增長。預計2017年閃存的資本支出將在2017年增長91%后增長13%。


圖2

經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加,現(xiàn)有存在的主要問題是,高水平的支出是否會導致產(chǎn)能過剩和價格下滑。記憶市場的歷史先例表明,過多的支出通常會導致產(chǎn)能過剩和隨后的價格疲軟。三星,SK海力士,美光,英特爾,東芝/西部數(shù)據(jù)/SanDisk和XMC/長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量(以及新的中國內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進入市場),IC Insights認為,未來3D NAND閃存市場需求過高的風險正在高漲且不斷增長。
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