半導體制造業(yè)發(fā)展迅速，"綠色"技術無疑具有光明的未來，這就要求有新的激光加工工藝與技術來獲得更高的生產(chǎn)品質、成品率和產(chǎn)量。除了激光系統(tǒng)的不斷發(fā)展，新的加工技術和應用、光束傳輸與光學系統(tǒng)的改進、激光光束與材料之間相互作用的新研究，都是保持綠色技術革新繼續(xù)前進所必須的。下文圍繞紫外DPSS激光器、準分子激光器、光纖激光器在半導體行業(yè)中的加工應用，展開論述。

紫外DPSS激光器在LED晶圓劃片中的應用

DPSS是全固態(tài)半導體激光器的簡稱。窄脈寬、短波長紫外二極管泵浦固體激光器（DPSS）的最新進展促進了工業(yè)生產(chǎn)系統(tǒng)的發(fā)展。過去，DPSS激光器比較適用于科研而不適于工業(yè)生產(chǎn)。隨著DPSS激光器的進展，現(xiàn)已開辟出很多可能的應用，包括紅外、脈沖連續(xù)波以及Q開關產(chǎn)生具有多脈沖寬度的脈沖光波。與其他種類的激光器相比，DPSS激光器在調控脈沖形狀、重復頻率和光束質量等方面具有較大的靈活性，其生成的諧波允許用戶獲得適于多種材料加工的較短波長的光束。激光器的選擇不僅與應用有關，而且與激光束的特性直接相關。例如，用于大面積圖形加工的準分子激光器能發(fā)出具有較低脈沖重復頻率（一般低于1kHz）的較粗光束。準分子能產(chǎn)生具有中等脈沖重復頻率的高脈沖能量的激光束。目前所使用的基于Nd∶YVO4的DPSS激光器能產(chǎn)生大約1?滋m波長的紅外光束，利用諧波振蕩器進行二倍頻（輸出綠光）、三倍頻（輸出近紫外光）或者四倍頻（輸出深紫外光）。

355nm與266nm多倍頻DPSS激光器在紫外波段可以輸出數(shù)瓦的功率、kHz量級高重復頻率、高脈沖能量的激光，短脈沖的光束經(jīng)過聚焦后可以產(chǎn)生極高的功率密度，在晶圓劃片中可以使材料迅速氣化。在通常的激光劃片過程中，采用了一種遠場成像的簡易技術將光束聚焦到一個小點，然后移到晶片材料上。不同的材料由于吸收光的特性不一樣，因此需要的光強也不一樣，但是這種遠場成像的聚焦光斑在調節(jié)優(yōu)化光強時不夠靈活，光強過強或過弱都會影響激光劃片效果。而且通常的激光劃片局限于獲得最小的聚焦光斑，后者決定了劃片的分辨率。

圖1、氮化鎵-藍寶石晶圓激光劃片的切口寬度為2.5微米。

要達到理想的加工效果，優(yōu)化激光光強就很重要了，因此需要一種新的激光劃片方法來克服現(xiàn)有技術的缺陷。美國JPSA公司的技術人員開發(fā)了一種有效的光束整形與傳遞的光學系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以獲得很狹窄的2.5微米切口寬度，可以在保證最小聚焦光斑的同時調節(jié)優(yōu)化激光強度，大大提高了半導體晶圓劃片的速度，同時降低了對材料過度加熱與附帶損傷的程度。這種新的激光加工工藝與技術可以獲得更高的生產(chǎn)品質、更高的成品率和產(chǎn)量。

圖2、248nm激光剝離示意圖

圖3、248nm激光剝離藍寶石上的氮化鎵（一個脈沖激光光斑一次覆蓋9個芯片）。

JPSA對不同波長的激光進行開發(fā)，使它們特別適合于晶圓切割應用，采用266nm的DPSS激光器對藍光LED藍寶石晶圓的氮化鎵正面進行劃片，正切劃片速度可達150mm/s,每小時可加工大約15片晶圓（標準2英寸晶圓，裸片尺寸350m×350m），切口卻很?。ㄐ∮?m）。激光工藝具有產(chǎn)能高、對LED性能影響小的特點，容許晶圓的形變和彎曲，其切割速度遠高于傳統(tǒng)機械切割方法。

除了藍寶石之外，碳化硅也可以用來作為藍光LED薄片的外延生長基板。266nm和355nm紫外DPSS激光器（帶隙能量分別為4.6eV和3.5eV）可用于碳化硅（帶隙能量為2.8eV）劃片。JPSA通過持續(xù)研發(fā)背切劃片的激光吸收增強等新技術，研發(fā)了雙面劃片功能，355nm的DPSS激光器可以從LED的藍寶石面進行背切劃片，實現(xiàn)了劃片速度高達150mm/s的高產(chǎn)量背切劃片，無碎片并且不損壞外延層。對于第III-V主族半導體，例如砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）和磷化銦（InP），典型的切口深度為40m,250微米厚的晶圓劃片速度高達300mm/s.

準分子激光器在2D圖案成形與3D微加工、LED剝離中的應用

準分子激光器以準分子為工作物質的一類氣體激光器件。常用相對論電子束（能量大于200千電子伏特）或橫向快速脈沖放電來實現(xiàn)激勵。當受激態(tài)準分子的不穩(wěn)定分子鍵斷裂而離解成基態(tài)原子時，受激態(tài)的能量以激光輻射的形式放出。波長為193nm的ArF準分子激光，進行屈光手術的機理就是光化學效應。準分子激光單個光子的能量大約是6.4eV,而角膜組織中肽鍵與碳分子鍵的結合能量僅為3.6eV.當其高能量的光子照射到角膜，直接將組織內(nèi)的分子鍵打斷，導致角膜組織碎裂而達到消融切割組織的目的，并且由于準分子激光脈寬短（10~20nm），又是光化學效應切除。因此，對切除周圍組織的機械損傷和熱損傷極?。ī?.30μm）。

2D圖案成形與3D微加工 準分子激光器可以產(chǎn)生大面積方形或矩形的光斑，特別適合大面積圖案成形工藝與3D微加工。準分子激光器可以在相對較大的聚焦平面范圍內(nèi)高效地加工材料，例如500mJ的UV光束在能量密度為1 J/cm2時光斑的面積達到7×7mm.大面積的準分子激光束可以投射到光刻掩模上，微加工特殊的形狀和圖案；這些被稱為近場成像。通過掩膜板與加工工件的協(xié)調運動，可以微加工得到較大的復雜圖案。

圖4、薄膜太陽能電池的P1、P2、P3三層材料需要多光路激光劃片系統(tǒng)先后進行三次劃片。

LED激光剝離（LLO） LED激光剝離的基本原理是利用外延層材料與藍寶石材料對紫外激光具有不同的吸收效率。藍寶石具有較高的帶隙能量（9.9eV），所以藍寶石對于248nm的氟化氪（KrF）準分子激光（5eV輻射能量）是透明的，而氮化鎵（約3.3eV的帶隙能量）則會強烈吸收248nm激光的能量。正如圖2所示，激光穿過藍寶石到達氮化鎵緩沖層，產(chǎn)生一個局部的爆炸沖擊波，在氮化鎵與藍寶石的接觸面進行激光剝離?；谕瑯拥脑恚?93nm的氟化氬（ArF）準分子激光可以用于分離氮化鋁（AlN）與藍寶石。具有6.3eV帶隙能量的氮化鋁可以吸收6.4eV的ArF激光輻射，而9.9eV帶隙能量的藍寶石對于ArF準分子激光則是透明的。

光束均勻性和晶圓制備對于實現(xiàn)成功剝離都很重要。JPSA公司采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術使得準分子激光束在晶圓上可以產(chǎn)生最大面積達5×5毫米的均勻能量密度分布的平頂光束。設計人員通過激光剝離（LLO）工藝可以實現(xiàn)垂直結構的LED,它克服了傳統(tǒng)的橫向結構的各種缺陷。垂直結構LED可以提供更大的電流，消除電流擁擠問題以及器件內(nèi)的瓶頸問題，顯著提高LED的最大輸出光功率與最大效率。圖3展示了一個典型的剝離效果。

圖5、JPSA薄膜太陽能電池優(yōu)化劃片（左）與非JPSA薄膜太陽能電池劃片（右）的比較。

DPSS激光器與光纖激光器在薄膜太陽能電池劃片中的應用

光纖激光器是指用摻稀土元素玻璃光纖作為增益介質的激光器，光纖激光器可在光纖放大器的基礎上開發(fā)出來：在泵浦光的作用下光纖內(nèi)極易形成高功率密度，造成激光工作物質的激光能級"粒子數(shù)反轉",當適當加入正反饋回路（構成諧振腔）便可形成激光振蕩輸出。光纖激光器應用范圍非常廣泛，包括激光光纖通訊、激光空間遠距通訊、工業(yè)造船、汽車制造、激光雕刻激光打標激光切割、印刷制輥、金屬非金屬鉆孔/切割/焊接（銅焊、淬水、包層以及深度焊接）、軍事國防安全、醫(yī)療器械儀器設備、大型基礎建設等等。

DPSS激光器與光纖激光器具有體積小、功率大、倍頻波長范圍多等特點，適合在太陽能電池劃片中的應用。

由于硅材料的成本增加，很多光伏（PV）平板制造商從制造第一代的硅晶太陽能電池轉為制造第二代的薄膜太陽能電池。薄膜太陽能電池包括非晶硅（a-Si）太陽能電池、碲化鎘（CdTe）和銅銦鎵硒（CIGS）化合物半導體電池。相比硅晶電池的幾百微米硅晶厚度，薄膜太陽能電池薄膜厚度只有幾個微米，大大降低了材料的成本。薄膜太陽能電池具有材料用量少、加工工序少、有彈性、半透明、制造成本低等優(yōu)點。

JPSA設計的薄膜太陽能電池激光劃片加工系統(tǒng)采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術使得DPSS激光束產(chǎn)生均勻能量密度分布的平頂光束，根據(jù)加工材料可選擇1064nm、352nm、355nm或266nm波長的激光，多光路快速加工，可以對非平面玻璃板薄膜自動聚焦，無HAZ熱影響區(qū)，可以高產(chǎn)量、高效地進行薄膜太陽能電池的P1、P2、P3劃片與P4邊緣隔離，掃描速度可達1.5米/秒。