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Intel發(fā)布了首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p

SwM2_ChinaAET ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-09-03 08:55 ? 次閱讀

本月初,Intel發(fā)布了首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p。

性能上達到主流M.2 NVMe的水準,最高連續(xù)讀寫速度可達1800MB/s。同時,價格相當給力,512GB賣99.99美元(約合683元)。

不過,澳媒報道稱,接近IMFlash閃存工廠(Intel/美光合資)的人士透露,目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%,也就是生產(chǎn)出來的成片過半報廢。對比之下,64層TLC閃存的良率已經(jīng)達到了90%以上。

這意味著,4bit QLC看似容量密度提高了,但實際成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是,消息人士稱,Intel/美光第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個生命期。

對于QLC閃存,大家普遍關(guān)心的問題其實就兩個,一個是價格,一個就是可靠性,英特爾發(fā)布的首款消費級QLC硬盤660P的512GB版只要100美元,1TB版也只要200美元,折合每GB價格才1.3元,是目前最便宜的M.2 SSD,這就是QLC顆粒的最大優(yōu)勢,通過提升密度來降低成本,畢竟現(xiàn)在首發(fā)的QLC閃存核心容量就達到了1024Gb,是TLC閃存的2-4倍。

可靠性方面,根據(jù)Intel官方給出的是0.1DWPD,按照Intel自己的PE計算方式:0.1×365×5=182.5,再考慮寫入放大的因子2~5,那么最終PE將會在365~912.5之間,也符合之前說QLC顆粒PE次數(shù)在1000左右的說法,200TB應(yīng)該是Intel比較保守的數(shù)值。

英特爾的660P硬盤的性能也沒什么挑剔的,讀寫1800MB/s,隨機讀寫220K IOPS,不算多高,但也不算低,在低價M.2硬盤中紙面性能是說得過去的。

從現(xiàn)在的情況來看,首款上市的消費級QLC硬盤不論性能、可靠性還是售價都比當初三星首發(fā)TLC閃存的硬盤時好很多,至少沒多少明顯的槽點。

不過在廠商這邊,QLC閃存的問題還沒有解決,Tweaktown表示他們得到的消息稱英特爾64層堆棧的QLC閃存良率并不好,目前只有48%,不到一半的晶圓核心可以用于制造SSD硬盤,一半多的核心都要廢掉。

這也意味著消費者買到的QLC閃存硬盤雖然比TLC閃存硬盤更便宜,但在廠商這邊QLC閃存現(xiàn)在的成本是比TLC閃存還要高的。

對于以上消息,尚無其它報道形成佐證。這會否造成以660p為代表的初代QLC SSD延遲上市或者漲價還需要觀察。

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原文標題:【業(yè)內(nèi)熱點】傳英特爾64層QLC良率僅48%,生產(chǎn)兩塊就一塊是壞的

文章出處:【微信號:ChinaAET,微信公眾號:電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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