1、溫度上升電阻下降的特性
2、整流效應(yīng)
3、光伏特效應(yīng)
4、光電導(dǎo)效應(yīng)
半導(dǎo)體的重要特性
1、熱敏特性
半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來(lái)的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半導(dǎo)體的熱敏特性,可以制作感溫元件——熱敏電阻,用于溫度測(cè)量和控制系統(tǒng)中。值得注意的是,各種半導(dǎo)體器件都因存在著熱敏特性,在環(huán)境溫度變化時(shí)影響其工作的穩(wěn)定性。
2、光敏特性
半導(dǎo)體的電阻率對(duì)光的變化十分敏感。有光照時(shí)、電阻率很??;無(wú)光照時(shí),電阻率很大。例如,常用的硫化鎘光敏電阻,在沒(méi)有光照時(shí),電阻高達(dá)幾十兆歐姆,受到光照時(shí).電阻一下子降到幾十千歐姆,電阻值改變了上千倍。利用半導(dǎo)體的光敏特性,制作出多種類型的光電器件,如光電二極管、光電三極管及硅光電池等.廣泛應(yīng)用在自動(dòng)控制和無(wú)線電技術(shù)中。
3、摻雜特性
在純凈的半導(dǎo)體中,摻人極微量的雜質(zhì)元素,就會(huì)使它的電阻率發(fā)生極大的變化。例如.在純硅中摻人。百萬(wàn)分之—的硼元素,其電阻率就會(huì)從214000歐。里面一下于減小到0.4歐。里面.也就是硅的導(dǎo)電能為提高了50多萬(wàn)倍。人們正是通過(guò)摻入某些特定的雜質(zhì)元素,人為地精確地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,制造成不同類型的半導(dǎo)體器件??梢院敛豢鋸埖恼f(shuō),幾乎所有的半導(dǎo)體器件,都是用摻有特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料制成。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作
發(fā)表于 01-23 17:09
?277次閱讀
與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理
發(fā)表于 11-14 14:55
?1110次閱讀
今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來(lái)展開(kāi)介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。
一芯片強(qiáng)國(guó)的初、興、盛、衰
首先,大家可以先了解一下日本半導(dǎo)體
發(fā)表于 11-04 12:00
人們通常將半導(dǎo)體激光器輸出的光場(chǎng)分布分別用近場(chǎng)與遠(yuǎn)場(chǎng)特性來(lái)描述。
發(fā)表于 10-30 10:45
?435次閱讀
半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變。 一、材料特性的區(qū)
發(fā)表于 10-17 15:26
?1472次閱讀
半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性是半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容,對(duì)于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對(duì)
發(fā)表于 09-24 18:01
?2576次閱讀
晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于巖石、沙子和土壤中,這使得硅材料的獲取相對(duì)容易
發(fā)表于 09-21 11:46
?1631次閱讀
p型半導(dǎo)體(也稱為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個(gè)涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過(guò)程。以下是對(duì)p型半導(dǎo)體形成過(guò)程的詳細(xì)解析,包括其定義、摻雜原理
發(fā)表于 08-15 17:02
?3565次閱讀
本人接觸質(zhì)量工作時(shí)間很短,經(jīng)驗(yàn)不足,想了解一下,在半導(dǎo)體行業(yè)中,由于客戶端使用問(wèn)題造成器件失效,失效率為多少時(shí)會(huì)接受客訴
發(fā)表于 07-11 17:00
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括
發(fā)表于 06-18 09:56
?2432次閱讀
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括
發(fā)表于 05-30 09:39
?1933次閱讀
半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量應(yīng)力和應(yīng)變的傳感器。它具有多種特性,這些特性受到多種因素的影響。
發(fā)表于 05-16 16:31
?3360次閱讀
半導(dǎo)體器件物理模型是指基于半導(dǎo)體器件物理的基本理論及器件的結(jié)構(gòu)特性來(lái)計(jì)算器件的電學(xué)等行為,通常需要求解泊松方程、電流連續(xù)性方程、復(fù)合模型、隧
發(fā)表于 04-29 16:18
?2903次閱讀
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
發(fā)表于 03-27 16:17
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
發(fā)表于 03-13 16:52
評(píng)論