1.一個(gè)有趣的問(wèn)題
2 個(gè) 1kΩ 電阻串聯(lián),與 1 個(gè) 2kΩ 電阻噪聲一致嗎?
2 個(gè) 500Ω 電阻并聯(lián),與 1 個(gè) 2kΩ 電阻噪聲一致嗎?
2.噪聲的基本特性
1) 它的波形在任意時(shí)刻都是不確定的,因此它是廣譜的,有低頻也有高頻;
2) 它的幅度又是有限制的,這與數(shù)學(xué)上的高斯分布近似但不完全一致;具有短時(shí)波形性以及長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
3) 它具有無(wú)限積分趨零性。
3.怎么衡量噪聲的大小?
1) 有效值:
有效值Urms是對(duì)波動(dòng)電壓大小的描述, 而電功率EP是對(duì)波動(dòng)電壓可能做功大小的描述,它們都與負(fù)載是否接入毫無(wú)關(guān)系。
2) 獨(dú)立信號(hào)的有效值不能直接相加,電功率具有可加性。
3) 噪聲總有效值計(jì)算的核心思路
各個(gè)頻率處的電功率密度,組成了電功率隨頻率變化的曲線——電功率密度曲線,單位是V2/Hz。
,稱為噪聲電壓密度。
4.簡(jiǎn)單的運(yùn)放噪聲模型
運(yùn)放噪聲一般分為兩類:
一類為 1/f 噪聲,其電功率密度曲線隨著頻率的上升而下降;
一類為白噪聲,或者叫平坦噪聲,其電功率密度曲線是一條直線,與頻率無(wú)關(guān)。
1/f噪聲電壓密度及有效值計(jì)算
白噪聲電壓密度及有效值計(jì)算
C和K值的確定
K值直接從圖中最大頻率處讀出,為9.5nV
132=C2/1000 + 9.52 得到:C=280nV
0.1Hz-10Hz噪聲計(jì)算
聚洵低噪聲運(yùn)放GS8632低頻噪聲計(jì)算:
5.完整運(yùn)放的噪聲計(jì)算
1) 獲得等效帶寬fb,確定fa,一般是 0.1Hz 。
2) 根據(jù)前述方法, 結(jié)合帶寬計(jì)算運(yùn)放等效輸入噪聲電壓UN_I;
3) 結(jié)合帶寬計(jì)算各個(gè)電阻的熱噪聲UN_Ri;
4) 查找數(shù)據(jù)手冊(cè),獲得等效輸入電流噪聲的關(guān)鍵參數(shù)CI 和KI,結(jié)合帶寬計(jì)算等效輸入電流噪聲IN_1 和IN_2;
5) 以上述 3 類共 7 個(gè)源,分別計(jì)算在輸出端的結(jié)果 , m 代表不同的源。 其中上標(biāo) O 代表該噪聲源在運(yùn)放輸出端呈現(xiàn)的噪聲電壓有效值。
6) 對(duì)各個(gè) 實(shí)施平方式疊加,最終輸出噪聲為
1) 獲得等效帶寬fb,確定fa,一般是 0.1Hz 。
2) 根據(jù)前述方法, 結(jié)合帶寬計(jì)算運(yùn)放等效輸入噪聲電壓UN_I
3)結(jié)合帶寬計(jì)算各個(gè)電阻的熱噪聲UN_Ri。
4)帶寬計(jì)算等效輸入電流噪聲IN_1和IN_2
對(duì)于本例來(lái)說(shuō),使用的是CMOS運(yùn)放,電流噪聲相對(duì)電壓噪聲比較小,可以忽略不計(jì)。
5) 以上述 3 類共 7 個(gè)源,分別計(jì)算在輸出端的結(jié)果UOm, m 代表不同的源。 其中上標(biāo) O 代表該噪聲源在運(yùn)放輸出端呈現(xiàn)的噪聲電壓有效值。
6)對(duì)各個(gè)UOm實(shí)施平方式疊加 。
6.問(wèn)題回顧
2 個(gè) 1kΩ 電阻串聯(lián),與 1 個(gè) 2kΩ 電阻噪聲一致嗎?
2 個(gè) 500Ω 電阻并聯(lián),與 1 個(gè) 2kΩ 電阻噪聲一致嗎?
7.完整運(yùn)放的噪聲計(jì)算規(guī)則
●規(guī)則1:工藝的變化對(duì)白噪聲電壓的影響不大
●規(guī)則2:運(yùn)放噪聲受溫度變化的影響不強(qiáng)烈
●規(guī)則3:工藝的變化對(duì)閃爍噪聲的影響很大。
●規(guī)則4:對(duì)于較大IQ的運(yùn)算放大器,白噪聲電壓通常較低。
●規(guī)則5:FET放大器通常比雙極型放大器具有更低的電流噪聲。 此外,對(duì)于給定的IQ,雙極性放大器往往具有比FET低的電壓噪聲。
以上為運(yùn)放的噪聲模型和計(jì)算。
文中提到運(yùn)放品牌——聚洵,全稱為聚洵半導(dǎo)體科技(上海)有限公司,簡(jiǎn)稱聚洵Gainsil,是一家專注于高性能、高品質(zhì)模擬和混合信號(hào)集成電路研發(fā)和銷售管理的高科技公司,公司核心團(tuán)隊(duì)均來(lái)自國(guó)內(nèi)外頂尖半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司;
聚洵合作伙伴是世界知名的芯片制造公司(臺(tái)積電晶圓代工+長(zhǎng)電科技封裝測(cè)試),具有一流的工藝技術(shù)和封裝技術(shù);
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