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Veeco和ALLOS展開(kāi)技術(shù)合作,加速200毫米硅基氮化鎵Micro-LED的應(yīng)用

XcgB_CINNO_Crea ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-11-16 16:36 ? 次閱讀

Veeco Instruments Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:VECO)和ALLOS Semiconductors GmbH在11月8號(hào)宣布了其合作開(kāi)發(fā)另一個(gè)階段的完成,這項(xiàng)合作旨在為業(yè)內(nèi)Micro-LED的生產(chǎn)提供先進(jìn)的硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)外延片。兩家公司最近這次合作的目的正是希望向一些全球著名的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司展示其200毫米硅基氮化鎵外延片技術(shù)的可重復(fù)性,該外延片由ALLOS使用Veeco的Propel?MOCVD反應(yīng)器制成。

“為了讓Micro-LED技術(shù)正真投入生產(chǎn),簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)單個(gè)指標(biāo)參數(shù)的最佳化是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。每個(gè)晶圓的整套規(guī)格都必須具備最高的良率和可重復(fù)性,”Veeco化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Peo Hansson博士說(shuō)道,“這次合作的成功再次證明了將Veeco在MOCVD領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)與ALLOS的硅基氮化鎵外延片技術(shù)相結(jié)合所帶來(lái)的巨大潛力。它為Micro-LED技術(shù)在客戶端的盡快采用提供了一種新穎的,經(jīng)過(guò)驗(yàn)證且可靠的方法?!?/p>

篩選(Sorting)和分級(jí)(binning)是實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)LED波長(zhǎng)一致性的標(biāo)準(zhǔn)方法。但是Micro-LED太小且數(shù)量巨大,無(wú)法進(jìn)行這樣的篩選和分級(jí),因此外延沉積的均勻性至為關(guān)鍵。實(shí)現(xiàn)Micro-LED顯示器大規(guī)模生產(chǎn)最重要的因素是滿足發(fā)射波長(zhǎng)極端的均勻性要求,Micro-LED發(fā)射波長(zhǎng)方面的高度均勻性可以免除對(duì)單個(gè)Micro-LED芯片進(jìn)行測(cè)試和分選的需求。依據(jù)應(yīng)用和轉(zhuǎn)移方法的不同,業(yè)內(nèi)外延片發(fā)射波長(zhǎng)的均一性要求做到+/- 1 nm至+/- 4 nm不等。通過(guò)這一項(xiàng)目的合作,Veeco和ALLOS進(jìn)一步提高了發(fā)射波長(zhǎng)的均勻性,晶圓上最佳的標(biāo)準(zhǔn)偏差僅為0.85 nm,這也是業(yè)界首次在生產(chǎn)系統(tǒng)上測(cè)得。

“Veeco和ALLOS驗(yàn)證了晶圓到晶圓的可重復(fù)性,所有晶圓發(fā)射波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差的均值為1.21 nm,峰值波長(zhǎng)在+/- 0.5 nm范圍內(nèi)。這些結(jié)果表明我們朝著外延片層面+/- 1 nm分級(jí)的目標(biāo)又邁出一大步,”ALLOS首席執(zhí)行官Burkhard Slischka說(shuō)道,“我們的技術(shù)已經(jīng)可以在200毫米直徑的晶圓上使用,這意味著在低成本、高產(chǎn)率的硅基線上生產(chǎn)Micro-LED芯片成為可能。此外,我們還有一個(gè)明確的技術(shù)路線圖,那就是將該技術(shù)從200毫米拓展到300毫米?!?/p>

顯示技術(shù)領(lǐng)域的眾多創(chuàng)新者都將Micro-LED作為下一個(gè)帶來(lái)巨大轉(zhuǎn)變的技術(shù)。根據(jù)研究公司Yole的說(shuō)法,到2025年,Micro-LED顯示器的市場(chǎng)可能達(dá)到3.3億片。這種樂(lè)觀的預(yù)測(cè)得益于Micro-LED技術(shù)(邊長(zhǎng)低于100微米)帶來(lái)的巨大潛力,它被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)更低功耗終極顯示器的關(guān)鍵技術(shù)。不過(guò),這種顯示器的開(kāi)發(fā)一直受到材料成本和芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)的阻礙。隨著持續(xù)和客戶在改進(jìn)硅基氮化鎵外延片和Micro-LED轉(zhuǎn)移技術(shù)方面的合作,Veeco和ALLOS正在有效地解決這些挑戰(zhàn)。

2018年11月12日,這兩家合作公司將在于日本金澤舉行的國(guó)際氮化物半導(dǎo)體研討會(huì)(IWN)上展示其更多的突破性成果和細(xì)節(jié)。

關(guān)于Veeco:

Veeco是一家具有創(chuàng)新能力的半導(dǎo)體工藝設(shè)備制造商。該公司產(chǎn)的MOCVD、光刻、激光退火、離子束、單晶圓蝕刻和清潔等技術(shù),在固態(tài)照明與顯示器用LED和先進(jìn)半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中發(fā)揮著不可或缺的作用。憑借這些高性能、高產(chǎn)量的設(shè)備,Veeco在所有這些服務(wù)市場(chǎng)中處于技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。

關(guān)于ALLOS半導(dǎo)體:

ALLOS是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可和技術(shù)工程公司,正致力于幫助全球半導(dǎo)體行業(yè)的客戶掌握硅基氮化鎵技術(shù),并希望推進(jìn)該市場(chǎng)的成長(zhǎng)。ALLOS正在為其專有技術(shù)和專利提供許可,這些技術(shù)和專利可以用到客戶的MOCVD反應(yīng)器中。此外,ALLOS還為下一代硅基氮化鎵技術(shù)的開(kāi)發(fā)提供客戶定制方案和咨詢服務(wù)。

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原文標(biāo)題:Micro-LED | Veeco和ALLOS展開(kāi)技術(shù)合作,加速200毫米硅基氮化鎵Micro-LED的應(yīng)用

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