賽靈思關(guān)于汽車電子堆疊硅互連技術(shù)演示
測(cè)試堆疊硅互連技術(shù)的車輛演示
被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無(wú)源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 （TSV）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了多芯片可編程平臺(tái)。對(duì)于那些需要高密度晶體管和邏輯、以及需要極大的處理能力和帶寬性能的市場(chǎng)應(yīng)用而言，這些28nm平臺(tái)和單芯片方法相比，將提供更大的容量，更豐富的資源，并顯著降低功耗。
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