在IBM新一代的FlashSystem存儲(chǔ)設(shè)備中，將利用磁阻RAM（MRAM）來做寫緩存，而不再使用傳統(tǒng)的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)之一，但與NAND閃存或英特爾的3D XPoint存儲(chǔ)設(shè)備相比，它的密度嚴(yán)重受限。 到目前為止，MRAM大多都應(yīng)用在嵌入式系統(tǒng)中，MRAM可以取代小型閃存芯片或電池供電的DRAM和SRAM緩存。

Everspin是目前唯一的MRAM芯片供應(yīng)商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片將在今年年底前提供樣品，從而推動(dòng)產(chǎn)能提升。他們不再在飛思卡爾提供的晶圓上自己制造，而是與GlobalFoundries來進(jìn)行合作，以便在他們的22nm FD-SOI工藝上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中更具有吸引力，盡管目前它們的容量仍然太小而不能用作主存存儲(chǔ)器。

IBM現(xiàn)有的FlashSystem設(shè)備使用自定義外形尺寸和系統(tǒng)級(jí)別的掉電保護(hù)設(shè)計(jì)，以及基于FPGA的控制器。 新系統(tǒng)切換到標(biāo)準(zhǔn)的2.5“U.2尺寸，這需要在每個(gè)設(shè)備級(jí)別實(shí)現(xiàn)掉電保護(hù)。IBM發(fā)現(xiàn)使用足夠大的超級(jí)電容以保持FPGA控制器能夠運(yùn)行足夠長時(shí)間以刷新寫緩存的DRAM是不切實(shí)際的。但MRAM固有的非易失性可以解決對(duì)超級(jí)電容的需求。

用于IBM FlashSystem的新SSD具有64層 3D TLC NAND閃存，可用存儲(chǔ)容量高達(dá)19.2TB，使其成為密度最高的基于TLC的SSD之一。 這些SSD使用20通道NAND接口和4通道PCIe 4.0主機(jī)接口，可以在雙端口2 + 2模式下運(yùn)行。 IBM的控制器還提供可選的透明壓縮，具有典型的3：1壓縮比和符合FIPS 140標(biāo)準(zhǔn)的加密。