美國SSDI推出GaN FET 用于航空航天及電力電子系統(tǒng)
美國固態(tài)設(shè)備公司（SSDI）推出用于航空航天和國防用高壓氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）SGF46E70系列，可用于高效DC-DC、PoL轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、機(jī)器人和自動(dòng)化。
SGF46E70系列是46A、700V，可選TO-254通孔封裝和SMD1表貼封裝。SGF15E100是15A、1000V，采用TO-257封裝。兩個(gè)系列均是結(jié)合了GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和低壓硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）驅(qū)動(dòng)器的共源共柵器件。
GaN產(chǎn)品以其改進(jìn)的品質(zhì)因數(shù)（RDS（ON）x QG）而聞名，與傳統(tǒng)硅MOSFET相比，可提供更快的開關(guān)速度。低壓、非密封GaN器件廣泛用于商業(yè)應(yīng)用，但SSDI專注于高功率、高壓航空航天和國防應(yīng)用的密封解決方案。
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原文標(biāo)題：GaN|美國SSDI公司推出GaN FET，適用于航空航天和國防機(jī)器人及自動(dòng)化領(lǐng)域電力電子系統(tǒng)
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