前段時間國內(nèi)研發(fā)成功紫外超分辨SP光刻機的消息刷屏了，使用365nm波長就能實現(xiàn)單次曝光最高線寬分辨力達到22nm，它打破了傳統(tǒng)光學(xué)光刻分辨力受限于光源波長及鏡頭數(shù)值孔徑的傳統(tǒng)路線格局，而且這套設(shè)備的價格只要1000-2000萬元，不到EUV光刻機的2%。

不過這套SP光刻機技術(shù)突破意義雖大，但并不能取代現(xiàn)有的光刻機，只適合特種工藝，不適合大規(guī)模量產(chǎn)。除了光刻機之外，半導(dǎo)體生產(chǎn)還需要其他設(shè)備，比如刻蝕機，國內(nèi)的中微電子已經(jīng)研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機，并通過了臺積電的認證，將用于全球首條5nm工藝。

在半導(dǎo)體制造過程中，光刻機是決定工藝水平的關(guān)鍵，所以光刻機在媒體上的曝光率很高，不過現(xiàn)在的的半導(dǎo)體工藝涉及數(shù)百道工序，除了最核心的光刻之外，刻蝕也是很重要的一個過程——將晶圓浸入內(nèi)含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內(nèi)，可以溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。

刻蝕機就是處理這部分工藝的，與光刻機相比，刻蝕機的價格就要低多了，通常在500萬美元以內(nèi)，不過需要的數(shù)量比光刻機更多，所以也是非常重要的半導(dǎo)體制造裝備，全球領(lǐng)先的刻蝕機設(shè)備公司主要還是LAM、AMAT應(yīng)用材料等半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，國內(nèi)主要是中微電子AMEC及北方華創(chuàng)兩家。

說完背景知識，現(xiàn)在報道的這個5nm等離子刻蝕機就是中微電子生產(chǎn)的，實際上這件事已經(jīng)是舊聞了，2017年3月11日中微電子就通過央視CCTV2頻道宣布研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機，現(xiàn)在則是刻蝕機通過了大客戶臺積電的驗證，可以用于5nm生產(chǎn)線了，只不過臺積電的5nm工藝還在研發(fā)中，明年才會試產(chǎn)，量產(chǎn)至少是2020年的事了。

考慮到它帶有5nm這樣的先進工藝字眼，估計今天這篇新聞又要被刷屏了，不過了解下基本知識的話就不用激動了，這個5nm其實跟刻蝕機無關(guān)，刻蝕機并不決定半導(dǎo)體的制造工藝。

當(dāng)然，技術(shù)進步還是值得表揚的，畢竟也是全球第一個5nm刻蝕機，能打進臺積電的供應(yīng)鏈也不容易，中微電子在刻蝕機以及其他半導(dǎo)體設(shè)備上的進展也有助于提升國內(nèi)的半導(dǎo)體技術(shù)水平。