欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

跨界經(jīng)營 全新技術(shù)存儲器未來商機可期

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:cg ? 2018-12-25 14:39 ? 次閱讀

過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時代,存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場,而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。MRAM雖然還沒有真正量產(chǎn),但技術(shù)上讀寫速度已達20ns,甚至略優(yōu)于DRAM,前景看好。

這些新技術(shù)的推進,打破原先的產(chǎn)業(yè)格局,每家廠商都想搶得先機,鴨子劃水般的投資暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈,晶圓代工大廠不會缺席,國內(nèi)也想彎道超車。

2018年前十大半導(dǎo)體業(yè)者營收預(yù)估

至于誰會領(lǐng)先達陣?當DRAM因為技術(shù)極限而可能成為消費商品時,倚賴政府投資的半導(dǎo)體大廠能否后來居上,而在智財權(quán)的緊箍咒下,國內(nèi)如何成為多元應(yīng)變的“孫猴子”呢?這些都是2019年觀察產(chǎn)業(yè)的重點。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估

存儲器與晶圓代工產(chǎn)業(yè)跨界經(jīng)營

由于DRAM最新工藝轉(zhuǎn)換不易,服務(wù)器等需求依然暢旺,Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴大,都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化,既是進入障礙也是商機的來源,但非存儲器的商機仍然占了半導(dǎo)體市場的65.5%。如果瞄準未來的市場,CMOS影像傳感器(CIS)、行動AP與車聯(lián)網(wǎng)等三大需求依舊是市場的保證。

更重要的是臺積電稱雄晶圓代工業(yè),自然會多元耕耘,不讓他人染指。但三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)都有分散業(yè)務(wù)過度集中于存儲器的策略,國內(nèi)的IC設(shè)計業(yè)也開始超車,系統(tǒng)IC與晶圓代工的競爭依然波濤洶涌。

2017年全球存儲器市場為1,303億美元,比2016年的713億美元暴增82.6%,估計2018年仍維持26.3%的成長率。在市場的驅(qū)動下,韓國兩大存儲器體業(yè)者的資本支出也持續(xù)擴大,直到2018年底才出現(xiàn)減緩的趨勢。

另據(jù)SEMI資料,全球半導(dǎo)體材料市場將從2017年的247億美元,增加到2018年的278億美元,成長率12.7%。從2016年開始的半導(dǎo)體高峰期,延續(xù)到2018年底,半導(dǎo)體業(yè)者也順勢推舟,在資本支出上更進一步的提高。

對照存儲器業(yè)者2016年的資本支出為243億美元,2017年達到401億美元,2018年預(yù)估為440億美元,也可以理解全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在投資的高峰期。但美中貿(mào)易是最大變數(shù),2018年底三星的人事布局、擴張策略趨于保守,顯示主力大廠對于2019年的投資采謹慎態(tài)度。

全球DRAM仍處于寡占狀態(tài)

全球DRAM市場95%以上掌握在前三大廠手中,由于競爭相對緩和,主力大廠在2017年的資本支出,竟然比2016年減少3.8%。因服務(wù)器需求高于預(yù)期,新工藝轉(zhuǎn)換的過程難度也高于預(yù)期,而每臺設(shè)備所搭載的DRAM也相應(yīng)提高,因此2018年的企業(yè)投資仍高于往年。

2018年起,三星量產(chǎn)1ynm(10nm中段級技術(shù)),由于難度比1xnm(10nm級后段技術(shù))高出不少,因此在工藝轉(zhuǎn)換上比原先預(yù)計的要長。SK海力士也將從2017年下半開始前進1xnm的工藝,2018年下半期起比重便顯著增加,也進入了1ynm等級的工程技術(shù)。

在這種背景下,三星曾明確的表達擴大投資的計劃構(gòu)想,而SK海力士原先計劃在2019年啟動的增產(chǎn)計劃,也提前到2018年下半。

手機市場上,Mobile DRAM受限于手機市場飽和之苦,但即將來臨的5G商機、手機游戲、AR/VR、4K影像、智慧城市等領(lǐng)域都將帶來龐大的機會。手機搭載DRAM平均容量從3GB起跳,2019年甚至上看10GB;2018年出貨的iPhone Xs已使用每層4GB的雙層DRAM架構(gòu)。

美日韓對決96層3D NAND

相較于DRAM的積極投資,韓國雙雄在NAND的投資反而保守。關(guān)鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態(tài),三星必須積極投資,而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極,并往3D多層化的方向進展。

NAND同樣必須以良率在市場上競爭,加以十分耗電,因此小面積、大容量便成為競爭關(guān)鍵。2D的NAND在10xnm階段便遭遇技術(shù)壓力,因此三星、東芝(Toshiba)都向3D發(fā)展。相較于2017年,三星2018年的資本支出會少一點點,但比起往年仍是大幅成長,而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應(yīng)市場的需求。

目前三星以64層NAND為主力,2018年下半推進到96層,2019年初便會進展到128層。另外,英特爾(Intel)與美光也在2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。

為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲器大廠都卯盡全力,在96層的堆疊技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五代的96層V NAND量產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)完全克服,而64層的產(chǎn)品在總產(chǎn)量中的比重也將持續(xù)提高,借以取得更好的競爭優(yōu)勢。

排名第二的東芝也與技術(shù)合作伙伴威騰(WD)合作名為“BiCS4”的96層3D NAND技術(shù),這是東芝的戰(zhàn)略武器。此外,與英特爾合作的美光,也發(fā)表了96層技術(shù)順利進展的消息,并發(fā)表第一款單芯片容量超過1TB的QLC新產(chǎn)品,而稍微落后的SK海力士則以2018年底完成技術(shù)研發(fā),2019年量產(chǎn)為推進的進度。

從64層一路往上提升到96層,并劍指128層的技術(shù),關(guān)鍵就在于存儲容量的提高,但相對的也必須面對包括控制IC在內(nèi)的技術(shù)更新,而一旦存儲量提高,也可能會有使用壽命縮短的問題,透過控制IC也可以適度的延長壽命。

近期存儲器需求看淡 設(shè)備投資恐遞延

存儲器價格下滑、數(shù)據(jù)中心的需求也有減緩的跡象,三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導(dǎo)體投資的征候。原先計劃進駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設(shè)備時間延后,SK海力士也將新設(shè)備的進駐時間從2019年上半延遲到2019年下半,此為韓廠正在盤算的重要議題。

目前SK海力士正在興建的是C2 Fab廠,該廠的4萬片產(chǎn)能如期進駐,但之后的6萬片似乎仍有疑慮。此外,SK海力士預(yù)計在利川興建的F16工廠,原計劃是2020年10月完工,除了這兩個新廠的計劃之外,SK海力士顯然以目前的工藝轉(zhuǎn)換、升級為主要的任務(wù)。

除了必要的工藝轉(zhuǎn)換投資之外,三星對于新廠的投資計劃趨于保守,除了平澤2萬張的晶圓產(chǎn)能的DRAM設(shè)備展延,西安工廠的NAND工廠擴廠計劃也有暫緩的跡象。韓國業(yè)界人士認為,三星乃根據(jù)市場需求狀況,延后到2019下半才開始啟動生產(chǎn)設(shè)備進駐的作業(yè),而全年的設(shè)備采購金額,也會少于原來的估計。

IC Insights最新報告指出,三星2018年的總投資金額為226.2億美元,估計2019年會減少到180億美元,比2018年減少20%左右,而SK海力士2019年估計投資金額為100億美元,比2018年減少22%。

對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的短中長期展望而言,2019年下半開始的5G手機,人工智能與新世代的微處理器,都會帶動存儲器的需求,而未來的自駕車、數(shù)據(jù)中心的需求,都是非常令人期待的商機。

非存儲器市場的商機可期

2018年全球4,780億美元的半導(dǎo)體市場,其實有65.5%來自非存儲器市場,但韓國擅長存儲器,在非存儲器領(lǐng)域的市占率不到5%,不僅不如英特爾的20.3%,也不如高通(Qualcomm)的6.8%,甚至遠遠落后兩岸半導(dǎo)體同業(yè)。

2017年5月,三星將內(nèi)部的系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)(System LSI)中的晶圓代工部門獨立,同時從事IC設(shè)計和晶圓代工;SK海力士也加碼投資,并將部分產(chǎn)能移往無錫,希望爭取國內(nèi)市場的商機。

在晶圓代工市場,***地區(qū)業(yè)者掌握7成商機,韓國業(yè)者近兩年才急起直追,并將存儲器生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為非存儲器。三星在晶圓代工的市占率為8%,目前三星的非存儲器營收僅占7.1%,但占有技術(shù)優(yōu)勢,主流技術(shù)為14/10nm,目前正朝8/4nm的新目標邁進,預(yù)期貢獻值也將提高。

其次,韓國業(yè)者向來關(guān)注CIS市場,而應(yīng)用處理器(AP)的商機更被期待。SK海力士即將目標放在CIS與DDI、PMIC等領(lǐng)域。雖然目前對營收的貢獻很低,但SK海力士寄望5G與物聯(lián)網(wǎng)集成存儲器的商機浮現(xiàn)。單以CIS而言,目前手機市場貢獻73%,有11.5%來自國防航天產(chǎn)業(yè),而5.5%則是汽車。

2014年雙鏡頭手機比重為74.5%,估計在2018年時達88%,甚至三鏡頭也會有4.8%的貢獻。2019年5G手機上市時,三星預(yù)告會有正面雙鏡頭、背面4鏡頭的產(chǎn)品。2014年車用CIS賣掉2.7億顆,到2020年時可達7.9億顆,年均成長率達20%以上。在CIS市場上,Sony市占率45%,三星以16%居次。

AP市占率以高通42%最高,其次依序為蘋果20%、聯(lián)發(fā)科14%、三星11%與海思8%。三星在EUV設(shè)備的加持下,市占率仍有上揚的空間。過去客戶都擔心相關(guān)技術(shù)流出,因此不愿將訂單交給三星,逼得三星將晶圓代工事業(yè)部獨立,借以改善這種不利的狀況。展望未來,智慧城市、智能家庭、車聯(lián)網(wǎng)等商機浮現(xiàn),AP商機也將水漲船高。

車用半導(dǎo)體規(guī)模2017年時為357億美元,估計2023年時達535億美元,CAGR是18%,其中先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)相關(guān)從2017年的35億美元,增加到2023年的103億美元,年均成長率(CAGR)高達19%,更是大家關(guān)注的焦點。三星除了斥資買下Harman,近期也與奧迪(Audi)簽約代工生產(chǎn)半導(dǎo)體,便是看準了車用商機。目前一輛汽車約200~300顆IC,自駕車則約需2,000顆,未來商機可期。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7530

    瀏覽量

    164396
  • 晶圓代工
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    863

    瀏覽量

    48658

原文標題:【深度專題】存儲器與晶圓代工跨界經(jīng)營 全新技術(shù)存儲器炙手可熱

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    閃速存儲器屬于RAM還是ROM,閃速存儲器一般用來做什么的

    在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:53 ?175次閱讀

    什么是ROM存儲器的定義

    一、ROM存儲器的定義 ROM存儲器是一種在計算機和電子設(shè)備中用于存儲固定數(shù)據(jù)的存儲器。與RAM(隨機存取存儲器)不同,ROM
    的頭像 發(fā)表于 11-04 09:59 ?1423次閱讀

    內(nèi)存儲器分為隨機存儲器和什么

    內(nèi)存儲器是計算機系統(tǒng)中用于臨時存儲數(shù)據(jù)和程序的關(guān)鍵部件,它直接影響到計算機的運行速度和性能。內(nèi)存儲器主要分為兩大類:隨機存儲器(RAM,Random Access Memory)和只讀
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:54 ?1609次閱讀

    恩智浦推出全新i.MX RT700MCU系列

    高度集成的全新i.MX RT700MCU旨在顯著節(jié)省功耗,配備eIQ Neutron神經(jīng)處理單(NPU),可在邊緣端提供高達172倍的AI加速。
    的頭像 發(fā)表于 10-12 11:41 ?874次閱讀

    PLC主要使用的存儲器類型

    PLC(可編程邏輯控制)中的存儲器是其重要組成部分,用于存儲程序、數(shù)據(jù)和系統(tǒng)信息。PLC的存儲器主要分為兩大類:系統(tǒng)存儲器和用戶
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:45 ?3245次閱讀

    內(nèi)部存儲器有哪些

    內(nèi)部存儲器,也稱為內(nèi)存(Memory),是計算機系統(tǒng)中用于暫時存儲程序和數(shù)據(jù)的重要組件。它直接與CPU相連,是CPU處理數(shù)據(jù)的主要來源。內(nèi)部存儲器主要由隨機存取存儲器(RAM)和只讀
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:42 ?2119次閱讀

    OptiFlash存儲器技術(shù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《OptiFlash存儲器技術(shù).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-23 10:02 ?0次下載
    OptiFlash<b class='flag-5'>存儲器</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    半導(dǎo)體存儲器的基本結(jié)構(gòu)和分類

    半導(dǎo)體存儲器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種存儲器在現(xiàn)代計算機和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色,是數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 08-20 09:34 ?1585次閱讀

    ram存儲器和rom存儲器的區(qū)別是什么

    非易失性存儲器,主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式: RAM存儲器使用動態(tài)存儲器(DRAM)或靜態(tài)
    的頭像 發(fā)表于 08-06 09:17 ?839次閱讀

    EEPROM存儲器如何加密

    擦寫、可編程的特性,EEPROM在各種應(yīng)用場景中得到了廣泛的應(yīng)用。然而,隨著技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)安全問題日益突出,對EEPROM存儲器進行加密的需求也越來越高。 EEPROM存儲器概述 1.1 EEPROM
    的頭像 發(fā)表于 08-05 18:05 ?1495次閱讀

    SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術(shù)新突破

    SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展
    的頭像 發(fā)表于 08-05 09:26 ?604次閱讀

    虛擬存儲器的概念和特征

    隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展,存儲器的容量和速度成為了影響計算機性能的關(guān)鍵因素。在解決內(nèi)存容量不足和速度瓶頸的過程中,虛擬存儲器(Virtual Memory)技術(shù)應(yīng)運而生。虛擬
    的頭像 發(fā)表于 05-24 17:23 ?2196次閱讀

    內(nèi)存儲器與外存儲器的主要區(qū)別

    在計算機系統(tǒng)中,存儲器是不可或缺的核心部件,它負責(zé)存儲和處理各種數(shù)據(jù)和信息。根據(jù)存儲位置和功能的不同,存儲器可大致分為內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存)和
    的頭像 發(fā)表于 05-22 18:16 ?5781次閱讀

    訊維融合通信技術(shù)融合:開啟全新溝通模式

    訊維融合通信技術(shù)通過其獨特的融合特性,成功開啟了一種全新的溝通模式。這種技術(shù)的核心在于其深度整合了語音、視頻、數(shù)據(jù)等多種通信方式,并通過
    的頭像 發(fā)表于 04-12 15:37 ?461次閱讀

    淺談存儲器層次結(jié)構(gòu)

    通過多級存儲器的設(shè)計,存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度,而輔助
    發(fā)表于 02-19 13:54 ?913次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>存儲器</b>層次結(jié)構(gòu)