MOSFET的原理及開關(guān)特性分析
從模擬及電源出發(fā)，系統(tǒng)系列地講解了電路設(shè)計(jì)上的基礎(chǔ)知識(shí)，從多方面多角度給學(xué)員提供了全面學(xué)習(xí)的機(jī)會(huì)，也是工程師快速查找相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的便捷手段。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電路
+關(guān)注
關(guān)注
173文章
5974瀏覽量
173027 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
7988瀏覽量
213003 -
MOSEFT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
4445
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性
發(fā)表于 01-04 12:37
Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理
MOSFET、同步 Buck 變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開關(guān)管，其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過程。功率 MOSFET 的體二極管的反向恢復(fù)的
新型驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開關(guān)特性
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新型驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開關(guān)特性.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-24 10:00
?0次下載
功率MOSFET故障分析
控制、轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。然而，由于其工作環(huán)境復(fù)雜且多變，功率MOSFET在使用過程中可能會(huì)遇到各種故障。本文將對(duì)功率MOSFET的常見故障進(jìn)行分析，并探討其故障機(jī)制和預(yù)防措施。
影響MOSFET開關(guān)損耗的因素
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開關(guān)損耗是電子工程中一個(gè)關(guān)鍵的性能參數(shù)，它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計(jì)和可靠性。下面將詳細(xì)闡述
碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護(hù)方案
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖峰的問題。本文將從專業(yè)硬件工程師的角度，探討
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
的反向阻斷和導(dǎo)通特性有明顯的影響。
為分析和表述方便，定義柵極到源極（就是柵極到體端）的電壓為UGS，漏極到源極的電壓為UDS，流經(jīng)MOSFET的電流，即流入漏極的電流為ID。
MOSFET
發(fā)表于 06-13 10:07
功率 MOSFET、其電氣特性定義
本應(yīng)用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機(jī)制和對(duì)策及其應(yīng)用和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。電氣特性定義及使用說明
功率
發(fā)表于 06-11 15:19
開關(guān)MOSFET為什么會(huì)有振鈴和電壓尖峰
開關(guān)MOSFET中產(chǎn)生振鈴和電壓尖峰的現(xiàn)象是電力電子轉(zhuǎn)換過程中常見的問題，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中更是如此。這接下來，我們將詳細(xì)探討這些現(xiàn)象的起因。 振鈴的成因 寄生電感：在MOSFET
MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性
集成電路、功率電子、模擬電路等領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細(xì)闡述MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性，并通過數(shù)字和信息進(jìn)行具體說明。
IGBT的基本工作原理、開關(guān)特性及其輸入特性
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降特性，因此在高電壓、大電流的電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。
MOSFET在開關(guān)電源中的作用
MOSFET作為開關(guān)元件，在開關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài)：導(dǎo)通和截止，以控制電流的通斷。這種切換過程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
如何選擇開關(guān)電源的MOSFET
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn)， 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論