借助直接化學(xué)氣相沉積(Direct-CVD)技術(shù)在傳統(tǒng)鈉鈣玻璃等基底上生長(zhǎng)的石墨烯從而獲得功能性石墨烯玻璃復(fù)合材料方面具有重要意義。然而,目前使用的手段很難實(shí)現(xiàn)大面積的均勻性;而且,直接制備柔性石墨烯玻璃尚未見(jiàn)諸報(bào)道?;诖?,本文設(shè)計(jì)了一種泡沫銅輔助、等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在各種柔性玻璃基底上直接可控生長(zhǎng)石墨烯。所獲得的柔性石墨烯玻璃具有良好的柔韌性,導(dǎo)電性,可調(diào)的透明度以及較好的宏觀均勻性。此外,利用這種方法還可實(shí)現(xiàn)在柔性玻璃基底上異質(zhì)原子(如氮原子)的摻雜和5.5英寸大面積柔性石墨烯玻璃的快速制備。本文進(jìn)一步揭示了所制備的柔性石墨烯玻璃材料作為柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電層、以及作為非貴金屬電解水析氫催化反應(yīng)的活性電極的潛在應(yīng)用。這對(duì)于柔性電子及儲(chǔ)能器件的構(gòu)筑具有顯著意義。
近日,蘇州大學(xué)能源學(xué)院、能源與材料創(chuàng)新研究院的孫靖宇教授、劉忠范院士以及北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心的張艷鋒研究員(共同通訊作者)等采用泡沫銅輔助的PECVD策略,利用柔性及超薄玻璃作為生長(zhǎng)基底,成功實(shí)現(xiàn)大面積制備柔性石墨烯玻璃這種新型復(fù)合材料。論文的共同第一作者為碩士研究生魏南、李秋珵博士和叢珊博士。合作者包括蘇州大學(xué)能源學(xué)院的鄒貴付教授等。在低溫條件下生長(zhǎng)石墨烯可以實(shí)現(xiàn)低能耗,低成本的生長(zhǎng),可能實(shí)現(xiàn)批量化制備。這種方法通過(guò)改變生長(zhǎng)溫度、時(shí)間、前驅(qū)體和爐體尺寸即可調(diào)控石墨烯薄膜厚度、摻雜量以及生產(chǎn)規(guī)模。因此,可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)雜原子摻雜(如氮原子)石墨烯的生長(zhǎng)和5.5英寸柔性石墨烯玻璃的制備。采用制備的柔性石墨烯玻璃作為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電層和電解水析氫反應(yīng)的活性電極,可直接應(yīng)用于下一代柔性電子和儲(chǔ)能設(shè)備。相關(guān)成果以“Direct synthesis of flexible graphene glass with macroscopic uniformity enabled by copper-foam-assisted PECVD”為題發(fā)表在Journal of Materials Chemistry A上。
圖一、泡沫銅輔助PECVD技術(shù)生長(zhǎng)柔性石墨烯玻璃的制備工藝及樣品表征
(a)泡沫銅輔助PECVD技術(shù)生長(zhǎng)石墨烯的制備工藝示意圖;
(b)在700oC, 100 sccm Ar, 30 sccm H2, 10 sccm CH4條件下:生長(zhǎng)60 min, 120 min, 180 min的柔性石墨烯玻璃和空白玻璃的對(duì)比圖;
(c-d)具有良好柔性的石墨烯玻璃實(shí)物照片;
(e)在650oC(藍(lán)), 700oC(紅), 750oC(綠)溫度條件下生長(zhǎng)的石墨烯薄膜拉曼光譜;
(f)靜態(tài)水接觸角隨石墨烯生長(zhǎng)時(shí)間的變化圖(插圖展示了生長(zhǎng)石墨烯前后玻璃的親水和疏水特性);
(g)石墨烯玻璃的紫外可見(jiàn)透過(guò)光譜及其對(duì)應(yīng)的面電阻值;
(h)本工作與文獻(xiàn)報(bào)道的石墨烯玻璃面電阻及透過(guò)率的對(duì)比。
圖二、等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)在柔性玻璃上生長(zhǎng)石墨烯的結(jié)構(gòu)表征
(a)采用泡沫銅輔助PECVD技術(shù)在柔性玻璃上生長(zhǎng)的垂直結(jié)構(gòu)石墨烯的SEM圖像;
(b)將制備的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到SiO2/Si基底上的光學(xué)圖像;
(c)在柔性玻璃上生長(zhǎng)的垂直石墨烯的AFM圖像;
(d-f)將垂直石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到銅網(wǎng)上的連續(xù)放大的TEM圖像。
圖三、泡沫銅輔助PECVD生長(zhǎng)的柔性石墨烯玻璃的宏觀均勻性和柔性展示
(a)在700oC, 100 sccm Ar, 30 sccm H2, 10 sccm CH4for 60 and 180 min條件下:常規(guī)生長(zhǎng)的石墨烯(左)和泡沫銅輔助法生長(zhǎng)的石墨烯(右)的對(duì)比圖;
(b-c)在柔性玻璃上常規(guī)生長(zhǎng)和泡沫銅輔助生長(zhǎng)石墨烯的面電阻mapping圖;
(d)柔性石墨烯玻璃在彎曲狀態(tài)下光照100 s的表面溫度mapping圖;
(e)直接生長(zhǎng)的石墨烯薄膜的拉曼G峰強(qiáng)度的mapping圖;
(f)柔性石墨烯玻璃作為柔性導(dǎo)電電極直接集成在LED燈的展示。
圖四、柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的性能展示
(a)基于柔性石墨烯玻璃的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖;
(b)各層對(duì)應(yīng)的能級(jí)圖;
(c)改性前后的石墨烯玻璃的紫外可見(jiàn)透射光譜(插圖:改性后的透明導(dǎo)電電極實(shí)物圖);
(d)柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能圖;
(e)可穿戴的柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池展示照片。
圖五、在玻璃纖維上直接生長(zhǎng)氮摻雜石墨烯的電解水析氫反應(yīng)性能
(a)在玻璃纖維基底上,氮摻雜石墨烯的電阻變化隨彎曲次數(shù)分布圖(插圖:測(cè)量樣品的彎曲狀態(tài));
(b)氮摻雜石墨烯玻璃纖維的電導(dǎo)率分布圖;
(c-d)純玻璃纖維,石墨烯玻璃纖維以及氮摻雜石墨烯玻璃纖維的LSV曲線及其對(duì)應(yīng)的塔菲爾斜率;
(d-f)氮摻雜石墨烯玻璃纖維循環(huán)1000圈后的LSV曲線及過(guò)電位在400 mV時(shí)的循環(huán)穩(wěn)定性。
本文提供了一種泡沫銅輔助PECVD技術(shù)直接制備大面積均勻的柔性石墨烯玻璃材料。通過(guò)調(diào)控生長(zhǎng)溫度,時(shí)間,載氣比等生長(zhǎng)參數(shù)及爐體尺寸,即可對(duì)所生長(zhǎng)的石墨烯薄膜厚度,雜原子摻雜及制備規(guī)模進(jìn)行調(diào)控,從而實(shí)現(xiàn)低溫快速制備5.5英寸的柔性石墨烯玻璃。此外,還實(shí)現(xiàn)了在各種柔性基底(如柔性玻璃,云母,玻璃纖維等)上低溫可控制備石墨烯。這種方法生長(zhǎng)的石墨烯具有良好的導(dǎo)電性,均勻性和透光度,可直接應(yīng)作柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電層。在玻璃纖維上生長(zhǎng)的氮摻雜的石墨烯可以用作電解水析氫反應(yīng)的廉價(jià)活性電極。這為下一代直接集成柔性電子和儲(chǔ)能器件的發(fā)展提供方案,且這種創(chuàng)新的方法可以延伸到在柔性基底上制備其他石墨烯相關(guān)材料,因此在可穿戴領(lǐng)域有著較為廣闊的應(yīng)用前景。
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原文標(biāo)題:蘇州大學(xué)&北京大學(xué)J. Mater. Chem. A:利用泡沫銅輔助的PECVD技術(shù)直接可控制備柔性石墨烯玻璃
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