欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

積極響應(yīng)低碳節(jié)能熱潮,三菱電機全新發(fā)布1200V碳化硅肖特基二極管

kus1_iawbs2016 ? 來源:YXQ ? 2019-04-10 16:21 ? 次閱讀

自2007年起,每年三月的最后一個周六,全世界的個人或團體都會自發(fā)參與由世界自然基金會(WWF)發(fā)起的“地球一小時”活動,旨在用減少耗電的行為來表明他們對應(yīng)對氣候變化行動的支持。

那么作為“全球環(huán)保先進企業(yè)”的三菱電機,又將如何借助自身技術(shù)優(yōu)勢積極響應(yīng)世界范圍內(nèi)的低碳節(jié)能熱潮呢?

早在20世紀(jì)90年代,三菱電機便開始了對碳化硅材料的研究。自2010年起,三菱電機陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD※2、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導(dǎo)體模塊,廣泛應(yīng)用于空調(diào)以及工業(yè)機械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等,為降低家電及工業(yè)機械的耗電量,縮小其體積和重量做出了貢獻。

近日,三菱電機株式會社發(fā)布了1200V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品,該產(chǎn)品有利于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、EV充電器等系統(tǒng)的損耗和體積。預(yù)計將于2019年6月提供樣品,2020年1月開始發(fā)售。

本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECHJAPAN-”(4月17日~19日于日本幕張舉行),“PCIM Europe 2019展”(5月7~9日于德國紐倫堡舉行), “PCIMAsia 2019展”(6月26~28日在中國上海舉行)上展出。

※1 Silicon Carbide:碳化硅

※2 Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管

新產(chǎn)品特點

1、通過采用碳化硅,有利于降低系統(tǒng)損耗和體積

通過使用碳化硅大幅降低開關(guān)損耗,降低約21%的電力損耗※3

實現(xiàn)高速開關(guān),有利于縮小電抗器等配套零部件的體積

※3與內(nèi)置PFC電路的三菱電機產(chǎn)品功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si(硅)二極管相比

2、通過采用JBS結(jié)構(gòu),提高可靠性

采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)

通過JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量,從而提高可靠性

※4Junction Barrier Schottky

3、由5個產(chǎn)品構(gòu)成的產(chǎn)品陣容可對應(yīng)各種各樣的用途

除了通常的TO-247封裝外,還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

除民用品外還可對應(yīng)工業(yè)等各種各樣的用途

產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品(BD20120SJ),也可對應(yīng)車載用途

※5 Automotive Electronics Council:車載電子零部件質(zhì)量規(guī)格

新產(chǎn)品發(fā)售概要

主要規(guī)格

※7 8.3msec, sine wave

SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 低碳
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    12453
  • 三菱電機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    185

    瀏覽量

    20723

原文標(biāo)題:三菱電機全新發(fā)布1200V碳化硅肖特基二極管

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BA
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?126次閱讀
    為什么BASiC基本公司SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復(fù)<b class='flag-5'>二極管</b>

    三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?927次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>1200V</b>級SiC MOSFET技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價值戰(zhàn)略咨詢報告

    根據(jù)Global Info Research項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達到2249百萬美元,2024-2030年期間年復(fù)合增長率CAGR為23.5%。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 16:44 ?338次閱讀

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?549次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?1496次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-05 11:36 ?0次下載

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?7345次閱讀

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第代半導(dǎo)體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37

    Vishay威世新型第1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

    新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計,額定電流?5 A ~ 40 A 正向壓降、電容電荷和
    的頭像 發(fā)表于 07-05 09:36 ?755次閱讀
    Vishay威世新型第<b class='flag-5'>三</b>代<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> SiC <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>,提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?1005次閱讀

    先導(dǎo)中心推出1200V 100A電平全碳化硅模塊新品

    在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實力,推出了全新1200V 100A
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?688次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件

    碳化硅(SiC)肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 10:27 ?868次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的半導(dǎo)體器件

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1503次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧

    安森美發(fā)布了第1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1883次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>發(fā)布</b>了第<b class='flag-5'>二</b>代<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET—M3S

    肖特基二極管常見型號 肖特基二極管是穩(wěn)壓二極管

    肖特基二極管是一種特殊的二極管,它由肖特基結(jié)構(gòu)組成,具有導(dǎo)通電壓、快速開關(guān)特性和高溫穩(wěn)定性。肖特基
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:47 ?2026次閱讀