欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

采用硅工藝的高功率開關(guān)的特點(diǎn)就應(yīng)用

EE techvideo ? 來源:EE techvideo ? 2019-06-06 06:05 ? 次閱讀

采用硅(SOI)工藝的高功率開關(guān)簡(jiǎn)介這些部件非常適用于大規(guī)模MIMO和類似的多通道系統(tǒng),它們采用緊湊的SMT封裝,5 V單電源供電,具有低偏置電流,無需使用外部元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    184

    文章

    17843

    瀏覽量

    251896
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    127

    文章

    8002

    瀏覽量

    143437
  • 功率開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    131

    瀏覽量

    26243
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    APD2220-000PIN二極管可鍵合芯片現(xiàn)貨庫(kù)存Skyworks

    非常有效。這些器件使用Skyworks成熟的技術(shù),使PIN二極管具備嚴(yán)格管理的I區(qū)特性。APD0505至APD1520二極管的低電容和低電阻特別適合需要插入損耗和快速開關(guān)速度的開關(guān)應(yīng)用。針對(duì)需要高
    發(fā)表于 01-20 09:31

    瑞薩電子推出新型 100V 功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:41 ?162次閱讀
    瑞薩電子推出新型 100V <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b> MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    常見電子開關(guān)類型及特點(diǎn)

    電子開關(guān)是電子電路中用于控制電流流動(dòng)的元件,它們可以是機(jī)械式的,也可以是固態(tài)的。以下是一些常見的電子開關(guān)類型及其特點(diǎn): 1. 機(jī)械開關(guān)(如按鈕、撥動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 12-30 14:44 ?201次閱讀

    采用金屬軟管接線工藝的接近開關(guān)有什么優(yōu)缺點(diǎn)

    采用金屬軟管接線工藝的接近開關(guān)在靈活性、保護(hù)性能、美觀整潔和耐用性方面具有顯著優(yōu)點(diǎn),但成本較高、重量增加、安裝與維護(hù)難度以及電磁干擾風(fēng)險(xiǎn)也是其需要考慮的缺點(diǎn)。在選擇是否采用
    的頭像 發(fā)表于 12-19 10:18 ?145次閱讀

    功率模塊封裝工藝

    封與雙面散熱模塊 1 常見功率模塊分類 一、智能功率模塊(IPM)封裝工藝 工藝特點(diǎn): 塑封、多芯片封裝,包括ICBT、FRD及高低壓IC等
    的頭像 發(fā)表于 12-06 10:12 ?674次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>模塊封裝<b class='flag-5'>工藝</b>

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的(Si)器件,特別是在功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 Si
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?475次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>功率</b>器件的<b class='flag-5'>特點(diǎn)</b>和優(yōu)勢(shì)

    功率模塊封裝工藝有哪些

    (IPM)封裝工藝 工藝特點(diǎn): 塑封、多芯片封裝,包括ICBT、FRD及高低壓IC等元器件。 采用引線框架、DBC(直接敷銅板)、焊料裝片、金鋁線混打等
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:38 ?447次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>模塊封裝<b class='flag-5'>工藝</b>有哪些

    SM7075-12 AC/DC PWM 功率開關(guān)芯片 輸出電壓12V

    PWM功率開關(guān)芯片是一種采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)技術(shù)的集成電路,主要用于控制開關(guān)電源的輸出電流和電壓。以下是關(guān)于PWM功率
    的頭像 發(fā)表于 11-23 16:39 ?335次閱讀
    SM7075-12 AC/DC PWM <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>芯片 輸出電壓12V

    功率電阻的特點(diǎn)與應(yīng)用

    功率電阻的特點(diǎn) 高熱耗散能力 :功率電阻設(shè)計(jì)用于承受和耗散大量的熱量,以防止過熱和損壞。 大電流承載能力 :由于其
    的頭像 發(fā)表于 10-31 09:20 ?493次閱讀

    ATG-2161功率信號(hào)源的特點(diǎn)和用途是什么

    功率信號(hào)源是一種電子測(cè)量?jī)x器,它集信號(hào)發(fā)生器與功率放大器為一體,具有電壓、大功率特點(diǎn)。在電子實(shí)驗(yàn)室中,
    的頭像 發(fā)表于 10-28 16:19 ?211次閱讀
    ATG-2161<b class='flag-5'>功率</b>信號(hào)源的<b class='flag-5'>特點(diǎn)</b>和用途是什么

    微型逆變器中常用的功率開關(guān)晶體管類型及特點(diǎn)

    開關(guān)速度等特點(diǎn)。在微型逆變器中,功率MOSFET主要應(yīng)用于高壓側(cè)的功率轉(zhuǎn)換。 1.1 結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 功率
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:31 ?592次閱讀

    功率單模光纖跳線獨(dú)特的特點(diǎn)有哪些

    功率單模光纖跳線是一種特殊類型的光纖連接器材,具有一系列獨(dú)特的性能和特點(diǎn)。 首先,功率單模光纖跳線能夠?qū)崿F(xiàn)更低的衰減,使信號(hào)能夠傳播得更
    的頭像 發(fā)表于 06-11 17:52 ?579次閱讀

    功率MOSFET的主要特點(diǎn)

    、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。與雙極型功率器件相比,功率MOSFET憑借其獨(dú)特的特性,如電壓控制、輸入阻抗、快速開關(guān)速度等,成為了現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件。本文將對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 05-31 17:51 ?836次閱讀

    高效穩(wěn)定之選:200V1A/2A NMOS管PW2202,功率開關(guān)新標(biāo)桿

    。接下來,我們將從描述、特點(diǎn)和應(yīng)用三個(gè)方面,深入剖析PW2202的優(yōu)異表現(xiàn)。 首先,PW2202N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET是一種高性能的功率開關(guān)元件。它
    的頭像 發(fā)表于 04-09 10:44 ?459次閱讀
    高效穩(wěn)定之選:200V1A/2A NMOS管PW2202,<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>新標(biāo)桿

    60V以上的邊驅(qū)動(dòng)方案探討-采用隔離電源方案

    電壓高于60V的時(shí)候的開關(guān),芯片面積會(huì)指數(shù)級(jí)別變大,所以這時(shí)候采用BCD工藝做出來的開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 03-08 14:30 ?1351次閱讀
    60V以上的<b class='flag-5'>高</b>邊驅(qū)動(dòng)方案探討-<b class='flag-5'>采用</b>隔離電源方案