現(xiàn)代科技不斷革新，網(wǎng)路平臺與云端運算背后，仰賴著上千臺電腦伺服器相互連結(jié)；智慧型手機除了能登錄網(wǎng)頁與多樣化的應用程式，未來更能支援擴增實境 (AR)、3D影像、支付等功能；除此之外還有感測元件、智慧家庭、穿戴式裝置、自動車…。

從電子商務、金融到醫(yī)療、法務，所有產(chǎn)業(yè)正面臨著大規(guī)模的劇變?？萍嫉睦顺碧峁└憷纳鐣?，為人類生活帶來了無限的可能；支撐這一切發(fā)展的基石，就是「半導體」。

在全球經(jīng)濟體中，半導體相關產(chǎn)業(yè)每年帶來的經(jīng)濟效益約是 7 兆美元；而在2012年，***半導體總產(chǎn)值突破 2 兆臺幣，躍居世界第 2 位、成為最大的產(chǎn)業(yè)群，就業(yè)人次高達18萬。

時常在報章雜志上聽到半導體、晶圓、IC、納米製程等名詞，卻又不甚了解意思？作為現(xiàn)代人，甚至作為***人，不可不知半導體。

本系列的 IC 產(chǎn)業(yè)地圖，將以半導體相關知識作為系列首篇，介紹「晶圓代工」相關名詞與各國間產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況。并討論各大廠間的競合關系。

什么是半導體？

半導體是導電性介于導體（金屬）與絕緣體（陶瓷、石頭）之間的物質(zhì)，包括硅、鍺。

利用半導體製作電子元件的目的在于：不像導體絕對導電、絕緣體完全不導電；藉由注入雜質(zhì)，可以精準地調(diào)整半導體的導電性。由于硅擁有較大的能隙、可以有較大雜質(zhì)摻雜范圍，所以可以被利用來製作重要的半導體電子元件電晶體 (Transistor)。

由于發(fā)明了電晶體，這個年代成為人類科技文明進步最快的年代，電子技術(shù)與電腦工業(yè)才開始了長足的發(fā)展，堪稱二十世紀最偉大的發(fā)明之一。

發(fā)明電晶體的蕭克利 (Shockley)、巴丁 (Bardeen) 與布拉頓 (Brattain) 三位物理學家在1956年共同榮獲諾貝爾獎。

1956年，蕭克利在舊金山南方成立蕭克利半導體實驗室 (Shockley Semiconductor Lab)，帶動美國硅谷 (Silicon Valley) 的蓬勃發(fā)展，硅谷一名稱系由半導體原料硅而來。

講到硅谷的發(fā)展成因與歷史，絕對不能不提蕭克利半導體實驗室的影響。一個天才的創(chuàng)業(yè)會引來眾多天才的投奔，因此當時一堆優(yōu)秀人才趨之若鶩地跑到蕭克利的實驗室來；但后來因蕭克利暴躁又疑神疑鬼的性格，又紛紛辭職離去，被蕭克利怒稱為「八叛徒」（The Traitorous Eight）。

八位叛徒中，包括了諾伊斯 (Noyce)、摩爾 (Moore，就是摩爾定律的那個摩爾！) 等人，他們隨后成立了快捷半導體 (Fairchild Semiconductor)，成為了第一家將硅電晶體商業(yè)化的公司。

這家公司最重要不是它的產(chǎn)品、而是影響力——快捷可說是硅谷人才的搖籃，創(chuàng)始人和員工出來開的公司和投資的公司在灣區(qū)超過 130家上市企業(yè)，裡面包括了 Intel、AMD 等公司，市值達 21 萬億美元。對硅谷乃至當今時代的科技發(fā)展都有著不可或缺的影響和作用。

好啦此為后話不提，讓我們回來看看硅谷發(fā)展一切的源頭——電晶體到底是什么。

電晶體的主要功能有兩個：「放大信號」與「開關」。

電晶體就像是數(shù)位訊號的「收音機」──收音機的原理是將微弱的訊號放大、用喇叭發(fā)聲出來，電晶體能將訊號的電流放大；而數(shù)位訊號是由0與1組成，1代表著電流「開」、0代表著電流「關」，電晶體以每秒超過 1千億次的開關來運作，讓電流以特定方式通過。

這邊讓我們來簡單談談電晶體的運作原理。

電晶體由硅組成，而硅是 4 顆電子。在硅半導體中加入元素磷，具有 5 顆電子、比硅多一顆電子(-)變成 N 型電晶體 (Negative)。

另外加入元素硼，具有 3 顆電子、 比硅少一顆電子(-)變成 P 型電晶體 (Positive) 。電晶體兩端可以通電，稱為「源極」和「汲極」。

由于P型和N型分別多了電子和少了電子，所以電晶體在 N 型和 P 型接起來的狀態(tài)下電子不會流通，此時電流開關為「關」。

為了達到開關的效果，我們使用第三個電極「閘極」(Gate) 取代機械按鈕開關；閘極間以氧化層和半導體隔絕。若我們在閘極上方施以正電電壓，讓 N 型多出來的電子能夠重新流通、并從源極流到汲極，此時電流開關為「開」。

上述即為半導體元件電晶體如何藉由加入雜質(zhì)(磷、硼)來控制導電性、進而控制電流開關的原理。

但是這數(shù)億個電晶體在哪裡呢？你可能正在心想：「我手機有大到能放進數(shù)億個電晶體？」

答案是：電晶體是納米等級，比人體細胞還要小。三星以及臺積電在先進半導體製程的 14 納米與 16 納米之爭，14 納米指的就是電晶體電流通道的寬度。寬度越窄、耗電量越低；然而原子的大小約為 0.1 納米，14 納米的通道僅能供一百多顆原子通過。故製作過程中只要有一顆原子缺陷、或者出現(xiàn)一絲雜質(zhì)，就會影響產(chǎn)品的良率。

對于半導體大廠而言，製程是技術(shù)，但良率才是其中的關鍵Know-how。一般能將良率維持在八成左右已經(jīng)是非常困難的事情了，臺積電與聯(lián)電的製程良率可以達到九成五以上，可見***晶圓代工的技術(shù)水平。

事實上，這數(shù)億個電晶體，全部都塞在一個長寬約半公分、指甲大小的晶片上。這片晶片包含電晶體等電子元件，就叫做「集成電路」(Integrated Circuit, IC)，俗稱IC。

所謂的大規(guī)模集成電路 (LSI, Large Scale Integration) 代表的不是這個電路板很大，而是上面約一萬個電晶體；超大規(guī)模集成電路 (VLSI, Very Large Scale Integration) 則約有十萬個電晶體。

集成電路是怎么制作出來的呢？

在集成電路出現(xiàn)之前，工業(yè)界必須各自生產(chǎn)電晶體、二極體、電阻、電容等電子元件，再把所有元件連接起來做成電路，不但複雜又耗時費工。故若能直接依照設計圖做出一整個電路板，將能更加精確、速度更快且成本更低。

德州儀器公司的基爾比 (Jack St. Clair Kilby) 是第一個想到要把元件放到晶片上集體化的發(fā)明人，在1958年他試驗成功，開闢了一個嶄新的電腦技術(shù)時代，甚至很多學者認為由集成電路所帶來的數(shù)位革命是人類歷史中最重要的事件?；鶢柋纫惨虼擞?000年獲得諾貝爾物理獎。

集成電路的制作過程分為以下步驟。

一. 建筑設計: IC設計 (CIRCUIT DESIGN)

如同在蓋房子之前，建筑設計師必須畫出設計圖，規(guī)劃房間分布、使用材料；在制作半導體晶片時，工程師會畫出電路圖 (Circuit Diagram)，規(guī)劃一個晶片上應該要具備的功能 (包括算術(shù)邏輯、記憶功能、 浮點運算、 數(shù)據(jù)傳輸)、各個功能分布在晶片上的區(qū)域，與制作所需的電子元件。

接下來，工程師會使用硬體描述語言 (HDL) 將電路圖描寫出來。

待確認無誤后再將 HDL 程式碼放入電子設計自動化工具 (EDA tool)，讓電腦將程式碼轉(zhuǎn)換成電路圖。

二. 建筑地基: 晶圓制造 (WAFER FOUNDRY)

設計師設計完房子后，就需要將電路設計圖交由建筑工人將房子蓋出來。蓋房子需要地基，制作晶片也要，安置所有電子元件的基板就是「晶圓」(Wafer)。

首先，晶圓制造廠會將硅純化、溶解成液態(tài)，再從中拉出柱狀的硅晶柱，上面有一格一格的硅晶格，后續(xù)可供電晶體安置上去。

也由于硅晶格的排列是安裝電子元件的關鍵，「拉晶」的步驟非常重要──晶柱的制作過程就像是在做棉花糖一樣，一邊旋轉(zhuǎn)一邊成型，旋轉(zhuǎn)拉起的速度以及溫度的控制都會影響到晶柱的品質(zhì)。

接下來，晶圓廠會用鉆石刀像切火腿一般，將一整條的晶柱切成一片片的薄片，再經(jīng)過拋光后，就變成了「晶圓」(Wafer)，也就是晶片的基板；晶圓上面的晶格可供電晶體置入。

晶圓(Wafer)上面的晶格可供電晶體置入。

常聽到的8吋、12吋晶圓廠，代表的就是硅晶柱切成薄片后的晶圓直徑，而整塊晶圓可以再被切成一片片的裸晶 (Die)；裸晶經(jīng)過封裝后，才被稱為晶片 (Chip)、或稱 IC。

晶圓的尺寸，可以決定后續(xù)裁切制作出來的晶片有多少數(shù)量。

附注: AnySillicon網(wǎng)站上提供的計算機(Die Per Wafer Calculator)可供計算一塊晶圓上能切出多少裸晶。

如直徑8吋的晶圓片使用2.0微米的制程，可以切出588顆64M的DRAM (記憶體)；至于12吋的晶圓，可以切出的成品又更多。

然而如先前所述，硅純度、拉晶速度與溫度控制都是晶柱品質(zhì)的關鍵，越粗的硅晶柱越難拉出好品質(zhì)，故尺寸越大、技術(shù)難度就越高，12吋晶圓廠也就比8吋晶圓廠的制程更先進。

另外，雜質(zhì)對這些完美無缺的硅晶格構(gòu)成很大的威脅（想想看：電晶體比人體細胞還小，稍有一絲雜質(zhì)變足以毀壞整個硅晶格了），因此制造人員進入無塵室前，都必須事先清洗身體、穿戴防塵衣、全副武裝采取預防措施。晶圓制造環(huán)境更比手術(shù)室干凈十萬倍。

晶圓會在無塵的狀態(tài)下送到無塵室并分裝到密封的容器中，進行隨后的生產(chǎn)步驟。

三. 建筑成形: 光罩制作 (光蝕刻與微影成像)

我們在先前提到，集成電路 (IC) 跨時代的意義在于，工業(yè)界不用各自生產(chǎn)電子件再組建起來，可以一口氣將電路板依據(jù)電路圖生產(chǎn)出來。這是怎么做到的呢？

答案是：光學攝影技術(shù)。一大張的電路設計圖，要縮小并壓印到硅晶圓（基板），靠的就是光學原理。

首先光罩廠會將IC設計圖形第一次縮小，以電子束刻在石英片上，成為光罩。

光罩

由于電子束的寬度是1微米，所以光罩上依據(jù)設計圖所刻出的半導體迴路也是1微米寬。接下來光罩廠會將完成的光罩送進晶圓廠。

晶片制造，也就是將光罩上刻的設計圖、第二度縮小至晶圓上。與底片洗出相片的原理一樣，「光罩」就是照相底片、「晶圓」就是相片紙。

晶圓上面會事先涂上一層光阻 （相片感光材料），透過紫外光的照射與凸透鏡聚光效果、會將光罩上的電路結(jié)構(gòu)縮小并烙印在晶圓上，最后印在晶圓上的半導體迴路會從光罩的 1 微米、變?yōu)?0.1 微米。陰影以外的部分會被紫外光破壞，隨后能被沖洗液洗掉。

藉由光蝕刻與微影成像，晶圓廠成功將設計圖轉(zhuǎn)印到微小的晶圓基板上。如同底片品質(zhì)會影響照片成像的好壞，光罩上圖形的細緻度是晶片品質(zhì)的關鍵。

光刻制程結(jié)束后，工程師會在晶圓上繼續(xù)加入離子。透過注入雜質(zhì)到硅的結(jié)構(gòu)中控制導電性，與一連串的物理過程，制造出電晶體。其過程相當複雜，甚至需要像兩個足球場大的無塵室。

待晶圓上的電晶體、二極體等電子元件制作完成后，工程師會將銅倒入溝槽中形成精細的接線，將許多電晶體連結(jié)起來。在指甲大的空間裡，數(shù)公里長的導線連接了數(shù)億個電晶體，制作成大型集成電路。至此，偉大的建筑就完成了。

四. 成品包裝: 封裝與測試

晶圓完成后被送到封裝廠，會切割成一片片的「裸晶」，如先前圖所示。由于裸晶小而薄、非常容易刮傷，故封裝廠會將裸晶安裝在導線架上、在外面封裝上絕緣的塑膠體或陶瓷外殼，剪下來印上委託制造公司的標志。最后進行測試，進行晶片結(jié)構(gòu)及功能的確認、將不良品挑出，一顆晶片就大功告成了！

半導體大廠有哪些？

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1960年代集成電路的發(fā)明，讓許多的半導體元件可以一次放在一塊晶片上。隨著半導體的縮小，IC上可容納的電晶體數(shù)目，約每隔兩年便會增加一倍、性能每18個月能提升一倍 。

從1960年代不到10個，1980年代增加到10萬個、1990年代增加到1000萬個。這個現(xiàn)象由英特爾的名譽董事長摩爾所提出，稱為摩爾定律 (Moore’s Law)。如今，集成電路上的元件高達數(shù)億至數(shù)十億個。

早期，半導體公司多是從IC設計、制造、封裝、測試到銷售都一手包辦的整合元件制造商(Integrated Device Manufacturer, 俗稱IDM)，如英特爾 (Intel)、德州儀器 (TI)、摩托羅拉(Motorola)、三星 (Samsung)、菲利普 (Philips)、東芝 (Toshiba)，以及國內(nèi)的華邦、旺宏。

然而，由于摩爾定律的關系，半導體晶片的設計和制作越來越複雜、花費越來越高，單獨一家半導體公司往往無法負擔從上游到下游的高額研發(fā)與制作費用，因此到了1980年代末期，半導體產(chǎn)業(yè)逐漸走向?qū)I(yè)分工的模式──有些公司專門設計、再交由其他公司做晶圓代工和封裝測試。

其中的重要里程碑莫過于1987年臺積電 (TSMC) 的成立。

由于一家公司只做設計、制程交給其他公司，容易令人擔心機密外洩的問題 （比如若高通和聯(lián)發(fā)科兩家彼此競爭的IC設計廠商若同時請臺積電晶圓代工，等于臺積電知道了兩家的秘密），故一開始臺積電并不被市場看好。

然而，臺積電本身沒有出售晶片、純粹做晶圓代工，更能替各家晶片商設立特殊的生產(chǎn)線，并嚴格保有客戶隱私，成功證明了專做晶圓代工是有利可圖的。

如今臺積電是全球排名第一的晶圓代工公司。知名廠商亦包括全球排名第二的聯(lián)電 (UMC)、格羅方德 (GlobalFoundries)、中芯 (SMIC)。

由于IC設計公司只設計和銷售晶片，但將制造、封裝、測試外包給第三方、以專心投入資金與人力研發(fā)，故被稱為無廠半導體 (Fabless Semiconductor Company)，包括高通 (Qualcomm)、博通 (Broadcom)、聯(lián)發(fā)科 (MediaTek)，與中國紫光集團下的展訊 (SpreadTrum)。

最后，***半導體封裝大廠日月光(ASE)排名全世界第一，全球市占近20%。排名第二為美商艾克爾(Amkor)、第三亦為***廠商硅品(SPIL)。

半導體產(chǎn)業(yè)在近數(shù)十年來的發(fā)展速度不只驚人，許多重大的創(chuàng)新也支持了眾多其他產(chǎn)業(yè)也、產(chǎn)生了極大的影響，可以說是數(shù)位時代之母。毫無疑問地，在未來，半導體的應用與產(chǎn)業(yè)規(guī)模，將會比今日來的更加廣泛且舉足輕重。

最后為大家輕松總結(jié)一下我們這篇已經(jīng)提到的知識，同時看看還有哪些知識雖然在本篇文章中沒有提到、但同樣很重要的，預告一下會在下篇出現(xiàn)：

「 IC」的中文叫「集成電路」，在電子學中是一種把電路（包括半導體裝置、元件）小型化、并制造在半導體晶圓表面上。所以半導體只是制作「IC」的原料。

因為是將電路縮小化，你也可以叫它「微電路 (microcircuit)」、「微晶片 (microchip)」、「晶片 (chip)」。

也就是說，***媒體常稱的半導體產(chǎn)業(yè)鏈，正確一點來說應該叫「IC設計」、「IC制造」、「IC封裝」！

因為在 IC 設計和封裝的環(huán)節(jié)都不會碰到半導體啊啊～半導體只是原料，重點是那顆 IC！IC設計的廠商有發(fā)哥 (MTK) 和高通、封裝則有日月光和硅品。

而我們從頭到尾在介紹的「半導體大廠」只有臺積電 (TSMC) 等晶圓代工廠在做的事，包括如何把電路縮小化、和晶圓代工的制程。

好啦，晶圓代工的制程就總結(jié)到這里。

晶圓代工爭霸戰(zhàn)第二篇：

臺積電 VS 聯(lián)電

2016 年 10 月， 晶圓代工廠臺積電董事長張忠謀談及 Intel 跨足晶圓代工領域，談及此舉是把腳伸到池裡試水溫，并表示：「相信英特爾會發(fā)現(xiàn)，水是很冰冷的?！谷蚓A代工在 2015 年的產(chǎn)值高達488.91 億美元，更是***科技業(yè)與金融業(yè)維生的命脈。

Intel和臺積電之對決將孰贏孰敗? 更別提一旁虎視眈眈地三星，這場戰(zhàn)爭在多年以前早已悄悄開打。今天就讓我們來談談各家巨頭的愛恨糾葛。

霸主—臺積電

臺積電 (TSMC)

特色：砸大錢、高額資本支出，自己建廠自己研發(fā)，拼先進制程。

擁有最高的良率與龐大產(chǎn)能優(yōu)勢，成熟制程達16納米。

全球第一家、也是全球最大的晶圓代工企業(yè)，晶圓代工市佔率高達 54%。2015 年資本額約新臺幣2,593.0 億元，市值約 1,536 億美金 (2016/9)、約五兆新臺幣。

另一方面，臺積電在2016年度的資本支出高達 95 億至 105 億美元(約新臺幣 3,050 億至 3,380 億元)，已超越 Intel。

制程方面采取穩(wěn)進路線，從28 納米、20 納米，到 2015 年 Q2 成熟制程(能大量生產(chǎn)、且在效能與良率上都穩(wěn)定)達 16 納米。

先進制程 10 納米預計在 2017 年第 1 季量產(chǎn)。其更于 2016 年 9 月底透露，除 5 納米制程目前正積極規(guī)劃之外，更先進的 3 納米制程目前也已組織了 300 到 400 人的研發(fā)團隊。

在制程上，若莫爾定律成立，則未來的制程突破將會有限，臺積電預計將采取持續(xù)投入先進制程研發(fā)，但也著力于成熟制程特規(guī)化上的雙重策略，以維持其晶圓代工的龍頭地位。

挑戰(zhàn)者NO.1—臺積電與聯(lián)電的歷史情仇

聯(lián)華電子

撿臺積電剩下的客戶，如：小IC設計公司的單，特點在于量不大、但可客制化。

專注于成熟制程28納米。

僅次于臺積電、全球第二大晶圓代工廠。然 2015 年已被格羅方德以 9.6% 的市占超過、以 9.3% 的市佔率成為老三。事實上代工產(chǎn)業(yè)只有龍頭一枝獨秀，景氣不佳時僅臺積電始終維持獲利，其余 2、3、4名皆是一團混戰(zhàn)。

聯(lián)電創(chuàng)立于 1980 年，也是***第一家上市的半導體公司，早年一直是晶圓代工領域的領導者。

什么原因?qū)е侣?lián)電與臺積電曾并稱晶圓雙雄，到如今無論股價、營收與獲利都拼不過臺積電在晶圓代工的地位呢？這就要說說臺積電董事長張忠謀與聯(lián)電榮譽董事長曹興誠二王相爭的故事了。

張忠謀于 1949 年赴美留學，分別拿到美國麻省理工學院機械工程系學士、碩士，因為申請博士失敗，畢業(yè)后只好先進入德州儀器 (TI) 工作，當時的張忠謀 27 歲。

彼時德儀正替 IBM 生產(chǎn)四個電晶體，IBM提供設計、德儀代工，可以說是晶圓代工的雛形。張忠謀帶領幾個工程師，成功把德儀的良率從 2%-3% 成功提升至 20% 以上、甚至超過 IBM 的自有產(chǎn)線。

張忠謀在德儀待了 25 年，直到 1983 年確定不再有升遷機會，1985 年應經(jīng)濟部長孫運璿之邀、回臺擔任工研院院長，當時的張忠謀已經(jīng)54歲了。

相較于張忠謀的洋學歷與外商經(jīng)歷，曹興誠由臺大電機系學士、交大管科所碩士畢業(yè)后進入工研院。工研院于 1980 年出資成立聯(lián)電后，于 1981 年起轉(zhuǎn)任聯(lián)電副總經(jīng)理、隔年轉(zhuǎn)任總經(jīng)理。

讓我們再看一次──聯(lián)電是創(chuàng)立于 1980 年，曹興誠 1981 年任副總經(jīng)理、張忠謀于 1985 年以工研院院長身分兼任聯(lián)電董事長。

1986 年、張忠謀創(chuàng)辦了臺積電，并身兼工研院、聯(lián)電與臺積電董事長三重身分。相較于以整合元件設計 (IDM) 為主、開發(fā)自家處理器與記憶體產(chǎn)品的聯(lián)電，臺積電專攻晶圓代工。

這在當時完全是一個創(chuàng)舉、更沒人看好，一般認為 IC 設計公司不可能將晶片交由外人生產(chǎn)、有機密外洩之虞，況且晶圓代工所創(chuàng)造的附加價值比起販售晶片還低得多。

然而建立晶圓廠的資本支出非常昂貴，若將晶片的設計和制造分開，使得 IC 設計公司能將精力和成本集中在電路設計和銷售上，而專門從事晶圓代工的公司則可以同時為多家 IC 設計公司提供服務，盡可能提高其生產(chǎn)線的利用率、并將資本與營運投注在昂貴的晶圓廠。

臺積電的成功，也促使無廠半導體 (Fabless) 的興起。

不過這完全惹惱了曹興誠，他宣稱在張忠謀回臺的前一年便已向張?zhí)岢鼍A代工的想法，卻未獲回應，結(jié)果張忠謀在擔任聯(lián)電董事長的情況下，隔年竟手拿政府資源、拉上用自己私人關系談來的荷商飛利浦 (Philips) 合資另創(chuàng)一家晶圓代工公司去了。

當時曹興誠示威性地選在工研院與飛利浦簽約的前夕召開記者會、宣布聯(lián)電將擴建新廠以和臺積電抗衡。

從那之后，曹興誠和張忠謀互斗的局面便無停止過，然而張忠謀亦始終擔任聯(lián)電董事長，直到1991年曹興誠才成功聯(lián)合其他董事以競業(yè)迴避為由，逼張忠謀辭去、并從總經(jīng)理爬到董事長一職。

臺積電隨后在晶圓代工上的成功，也成了聯(lián)電的借鑑。1995 年聯(lián)電放棄經(jīng)營自有品牌，轉(zhuǎn)型為純專業(yè)晶圓代工廠。

曹興誠的想法比張忠謀更為刁鉆──他想，若能與無廠 IC 設計公司合資開設晶圓代工廠，一來不愁沒有資金蓋造價昂貴的晶圓廠，二來了掌握客戶穩(wěn)定的需求、能直接承接這幾家IC設計公司的單。

故曹興誠發(fā)展出所謂的「聯(lián)電模式」，與美國、加拿大等地的 11 家 IC 設計公司合資成立聯(lián)誠、 聯(lián)瑞、聯(lián)嘉晶圓代工公司。

然而此舉伴隨而來的技術(shù)外流風險， 大型IC設計廠開始不愿意將晶片設計圖給予聯(lián)電代工，使得聯(lián)電的客戶群以大量的中小型IC設計廠為主。

1996 年，因為受到客戶質(zhì)疑在晶圓代工廠內(nèi)設立 IC 設計部門，會有懷疑盜用客戶設計的疑慮，聯(lián)電又將旗下的IC設計部門分出去成立公司，包括現(xiàn)在的聯(lián)發(fā)科技、聯(lián)詠科技、聯(lián)陽半導體、智原科技等公司。

再來是設備未統(tǒng)一化的問題──和不同公司合資的工廠設備必有些許差異，當一家工廠訂單爆量時，卻也難以轉(zhuǎn)單到其他工廠、浪費多余產(chǎn)能。

相較之下，臺積電用自己的資金自行建造工廠，不但讓國際大廠愿意將先進制程交由臺積電代工而不用擔心其商業(yè)機密被盜取、更能充分發(fā)揮產(chǎn)線產(chǎn)能。

不過真正讓曹興誠砸掉整個宏圖霸業(yè)、從此聯(lián)電再也追趕不上臺積電的分水嶺，還在于 1997 年的一場大火，與 2000 年聯(lián)電與IBM的合作失敗。

我們在前述中提到，聯(lián)電的每個晶圓廠都是獨立的公司，「聯(lián)瑞」就是當時聯(lián)電的另一個新的八吋廠。在建廠完后的兩年多后， 1997 年的八月開始試產(chǎn)，第二個月產(chǎn)就衝到了三萬多片。

該年 10 月，聯(lián)電總經(jīng)理方以充滿企圖心的口吻表示：「聯(lián)電在兩年內(nèi)一定干掉臺積電!」

不料兩日后，一把人為疏失的大火燒掉了聯(lián)瑞廠房。

火災不僅毀掉了百億廠房，也讓聯(lián)瑞原本可以為聯(lián)電賺到的二十億元營收泡湯，更錯失半導體景氣高峰期、訂單與客戶大幅流失，是歷史上***企業(yè)火災損失最嚴重的一次，也重創(chuàng)了產(chǎn)險業(yè)者、賠了 100 多億，才讓科技廠房與產(chǎn)險業(yè)者興起風險控制與預防的意識，此為后話不提。

在求新求快的半導體產(chǎn)業(yè)，只要晚別人一步將技術(shù)研發(fā)出來、就是晚一步量產(chǎn)將價格壓低，可以說時間就是競爭力。在聯(lián)瑞被燒掉的那時刻，幾乎了確定聯(lián)電再也無法追上臺積電。

2000年與IBM的合作，對聯(lián)電來說又是一次重擊，卻是臺積電翻身的關鍵

隨著半導體元件越來越小、導線層數(shù)急遽增加，使金屬連線線寬縮小，導體連線系統(tǒng)中的電阻及電容所造成的電阻/電容時間延遲 (RC Time Delay)，嚴重的影響了整體電路的操作速度。

要解決這個問題有二種方法──一是采用低電阻的銅當導線材料；從前的半導體制程采用鋁，銅的電阻比鋁還低三倍。二是選用Low-K Dielectric (低介電質(zhì)絕緣) 作為介電層之材料。在制程上，電容與電阻決定了技術(shù)。

當時的IBM發(fā)表了銅制程與 Low-K 材料的 0.13 微米新技術(shù)，找上臺積電和聯(lián)電兜售。

該時***半導體還沒有用銅制程的經(jīng)驗，臺積電回去考量后，決定回絕 IBM、自行研發(fā)銅制程技術(shù)；聯(lián)電則選擇向 IBM 買下技術(shù)合作開發(fā)。

然而IBM的技術(shù)強項只限于實驗室，在制造上良率過低、達不到量產(chǎn)。

到了 2003 年，臺積電 0.13 微米自主制程技術(shù)驚艷亮相，客戶訂單營業(yè)額將近 55 億元，聯(lián)電則約為 15 億元。再一次，兩者先進制程差異拉大，臺積電一路躍升為晶圓代工的霸主，一家獨秀。

NVIDIA 執(zhí)行長兼總裁黃仁勛說：「0.13 微米改造了臺積電?！?/p>

現(xiàn)在的聯(lián)電在最高端制程并未領先，策略上專注于 12 吋晶圓的 40 以下納米、尤其 28 納米，和 8 吋成熟制程。除了電腦和手機外，如通訊和車用電子晶片，幾乎都采用成熟制程以控制良率、及提供完善的IC 給予客戶。

聯(lián)電積極利用策略性投資布局多樣晶片應用，例如網(wǎng)路通訊、影像顯示、PC 等領域，針對較小型 IC 設計業(yè)者提供多元化的解決方案，可是說是做到臺積電不想做的利基市場。

臺積電的 28 納米制程早在 2011 年第 4 季即導入量產(chǎn)。反觀聯(lián)電 28 納米制程遲至 2014 年第 2 季才量產(chǎn)，足足落后臺積電長達2年半時間。

在28納米的基礎上聯(lián)電仍得和臺積電競爭客戶，故在 28 納米需求疲軟時臺積電仍能受惠于先進制程、而聯(lián)電將面臨不景氣的困境。

近來競爭趨烈， 中芯也已在 2015 年下半量產(chǎn) 28 納米，故聯(lián)電計畫跳過20納米，原因在于20納米制程在半導體上有其物理侷限，可說是下一個節(jié)點的過渡制程，效果在于降低功耗，效能上突破不大，因此下一個決勝節(jié)點會是16/14納米制程。

聯(lián)電預計在 2017 年上半年開始商用生產(chǎn)14納米 FinFET 晶片，以趕上臺積電與三星，然而在隨著制程越趨先進，所需投入的資本及研發(fā)難度越大，聯(lián)電無法累積足夠的自有資本，形成研發(fā)的正向循環(huán)，未來將以共同技術(shù)開發(fā)、授權(quán)及策略聯(lián)盟的方式來彌補技術(shù)上的缺口。

晶圓代工爭霸戰(zhàn) 第三篇 :

臺積電VS三星

臺積電和聯(lián)電拉開分水嶺的關鍵，在于 2000 那年聯(lián)電采信了 IBM… 等等！IBM 支持的 Gate-First 技術(shù)是哪裡不好？

Intel 說：安安，信我者得永生。IBM 的 Gate-First 太爛，我擁護的 Gate-Last 才是真理！也讓后續(xù)臺積電和三星紛紛從 Gate-First 轉(zhuǎn)向Gate-Last 技術(shù)后，彼此在 14 與 16 納米上繼續(xù)互搏。

很多***媒體都說三星的轉(zhuǎn)向，與臺積電叛逃的技術(shù)戰(zhàn)將梁孟松很有關系… 真的是這樣嗎？

挑戰(zhàn)者NO.2 臺積電與三星的廝殺

三星 (SAMSUNG)

晶圓業(yè)務早期以自用為主，然而產(chǎn)能若僅自己用會太小、故也接蘋果的單。

制程飛越，直接從 28 納米跳過 20 納米，飛到現(xiàn)在的 14 納米。

由李秉喆創(chuàng)立的韓國三星集團是世界上最大的一家由家族控制的商業(yè)帝國，早期出口干魚、蔬菜、水果到中國東北去。1970 年代生產(chǎn)洗衣機、冰箱、電視機等家電， 1980 年代開始引進美國先進技術(shù)并和韓國半導體公司完成合併，家電、電信與半導體成為三星電子的核心業(yè)務。

三星的晶圓代工事業(yè)的發(fā)展之所以能成功，蘋果可以說是一股最主要的助力。三星是動態(tài)隨機存取記憶體 (DRAM) 和快閃記憶體 (NAND) 的領導廠商，全球市占率達 15.5%。

故其始終掌握著 iPhone 的記憶體關鍵零組件，比如 iPhone 4 使用的快閃記憶體晶片來自三星、iPad顯示器也是由三星生產(chǎn)。

再加上三星的電子產(chǎn)品，使用的是自家生產(chǎn)的處理器 (如:Exynos獵戶座)；為了獲得蘋果的資源發(fā)展晶圓產(chǎn)業(yè)、同時不讓自己的產(chǎn)能過剩 (若處理器僅用在三星自身產(chǎn)品上會有多余產(chǎn)能)，其晶圓代工幾乎是用成本價吃掉蘋果單、記憶體打包一起折扣賣，來幫自己的晶圓代工練兵。

從 iPhone 的第一代晶片開始，蘋果一直向三星采購 ARM 架構(gòu)的晶片。

2010年蘋果自主研發(fā)的 A4 晶片被搭載在 iPad 上正式發(fā)表、隨后又搭載在 iPhone 4 中。A4 處理器雖出自蘋果，三星自家發(fā)表的 S5PC100 處理器和 A4 晶片上采用的內(nèi)核一模一樣，兩款晶片的電路設計上可以說是同一批人馬。后續(xù)的 A5、A6、A7 也都是三星生產(chǎn)。

不過蘋果和三星在代工處理上的關系，直到三星在 Android 智慧型手機與蘋果的iOS開始起了摩擦。 2011 年蘋果正式起訴三星 Galaxy 系列產(chǎn)品抄襲 iPhone 和 iPad、三星又反起訴蘋果侵犯其 10 項技術(shù)專利，蘋果與三星的專利訴訟戰(zhàn)幾乎遍及全世界。

臺積電之所以一直沒辦法獲得蘋果訂單，是由于臺積電報價強硬，而蘋果迫使臺積電接受與三星同樣的成本價、另一方面是當時臺積電廠房產(chǎn)能已經(jīng)滿載，無法接下蘋果如此大量的訂單。

后來蘋果因與三星爭訟、力行「去三星化」政策，且三星在 20 納米制程的良率無法突破，最后只用來生產(chǎn)自家 Exynos 5430 (用在 Samsung GALAXY A8 ) 與 Exynos 5433 (用在 Samsung GALAXY Note 4 )。

另一方面，臺積電 20 納米制程領先三星，同時臺積電已經(jīng)將產(chǎn)能擴張完畢，最后才由臺積電首度拿下 iPhone 6 的 A8 處理器全部訂單。

三星原先還在苦惱 20 納米制程的良率問題，忽然間竟直接殺到 14 納米制程了。造成這個轉(zhuǎn)變的因素，可能多少在于臺積電內(nèi)部所發(fā)生的洩密問題。

梁孟松是加州大學柏克萊分校電機博士，畢業(yè)后曾在美商超微 (AMD) 工作幾年，在 1992 年返臺加入臺積電。 臺積電在 2003 年擊敗 IBM、一舉揚名全球的 0.13 微米銅制程一役，其中便有他的功績。

2009 年，梁孟松因研發(fā)副總升遷不上的問題、憤而離開研發(fā)部門，帶走了自己的一組人馬投奔南韓。接下來幾年，三星的制程突然研發(fā)快速進步，從 48、32、28 納米的間隔時間急遽縮短，且三星的電晶體制程與臺積電的差異快速減少。

合理來說，三星的技術(shù)源自于 IBM，其電晶體應是圓盤 U 狀，而非臺積電所獨有的稜形結(jié)構(gòu)特征，但到了 14 納米制程，在結(jié)構(gòu)上幾乎已經(jīng)與臺積電無異，據(jù)臺積電委託外部專家所制作的對比分析報告指出，若單從結(jié)構(gòu)上來看，已經(jīng)無法分辨兩種晶圓是來自于臺積電或是三星所制造。

2014年5月，法院判定梁孟松直至 2015 年 12 月31 日前不得進入南韓三星工作。***法院從未限制企業(yè)高階主管在競業(yè)禁止期限結(jié)束之后，還不能到競爭對手公司工作，可以說是個歷史性的判決。

然而，這很難說是***媒體的過于夸大。

半導體制程的挑戰(zhàn)，在于不斷微縮閘極線寬、在固定的單位面積之下增加電晶體數(shù)目。隨著閘極線寬縮小，氧化層厚度也會跟著縮減、絕緣效果降低，導致漏電嚴重。

半導體制造業(yè)者在 28 納米制程節(jié)點導入的高介電常數(shù)金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG），即是利用高介電常數(shù)材料來增加電容值，以達到降低漏電的目的。

簡單講，HKMG 是由 High-k 絕緣層加上金屬柵極來防漏電用的。然而在工藝上又分成 由IBM 為首支持的 Gate-First 、與 Intel 支持的 Gate-Last 兩大派。

Gate-Last 顧名思義，是指晶圓制程階段，先經(jīng)過離子佈植（將所需的摻雜元素電離成正離子，并施加高偏壓使其獲得一定的動能，以高速射入硅晶圓）、退火（離子佈植之后會嚴重地破壞晶圓內(nèi)硅晶格的完整性，所以隨后晶圓必須利用熱能來消除晶圓內(nèi)晶格缺陷、以恢復硅晶格的完整 性）等工序后，再形成 HKMG 柵極。

Gate-First 就是反過來，先形成柵極、再進行離子佈植和退火等后續(xù)工法。

還記得我們在【晶圓代工爭霸戰(zhàn)：臺積電VS聯(lián)電】一文中曾提過，聯(lián)電和臺積電技術(shù)的分水嶺，在于聯(lián)電采用了 IBM 的技術(shù)嗎？當初聯(lián)電便是采用了 IBM 基于 Gate-first 的制程技術(shù)，才會永遠被臺積電所超越。

為什么 Gate-Last 會比 Gate First 好？很簡單，讀者可以想想，如果先形成 HKMG 柵極、再讓 High-k 絕緣層和金屬等制作柵極的材料經(jīng)過退火工序的高溫，容易影響晶片性能。

臺積電原本也是走 IBM 的 Gate-first 技術(shù)，但后來在臺積電第一戰(zhàn)將蔣尚義（號稱技術(shù)大阿哥 XD）的主導下，在 28 納米改走 Intel 的 Gate-last 技術(shù)。

2011 年第四季，臺積電才領先各家代工廠、首先實現(xiàn)了28 納米的量產(chǎn)，從 40 納米進展到 28 納米。

三星原本在 32 納米制程同樣采用 Gate-first 技術(shù)，后來快速發(fā)展出自己的 Gate-Last 28 納米制程，此后的 14納米亦皆基于 Gate-Last。很多人會把三星能快速發(fā)展出自己的 Gate-Last 技術(shù)的大功勞歸功于梁孟松。

然而回推2009年，臺積電連 40 納米也都還沒多少量、同時 28納米 HKMG Gate-First 與 Gate-Last 的戰(zhàn)役都還沒分出勝負，真要說梁孟松對三星的 FinFET 提供關鍵性的助益… ？

科技同業(yè)互相挖角乃為常態(tài)，彼此間都有高階人才跳來跳去；粱孟松當初帶了一組人馬過去，若有人在南韓不適應、再度回歸臺積電的話，不也換三星要擔心？

因此梁孟松雖然對三星的技術(shù)開發(fā)有一些貢獻，但影響也沒那么大；三星的邏輯技術(shù)一直都不輸給臺積電，只是以前很少做代工罷了。事后，聽說兩家公司有個非公開的互不挖角協(xié)議，避免雙方都困擾。

不過三星的急起直追，對于臺積電投入好幾年、幾千億的研發(fā)資金的技術(shù)仍頗有壓力。

由于三星的 14 納米已超越臺積電的 16 納米，加上蘋果 A9 的大部分訂單更轉(zhuǎn)到了三星，對臺積電所造成的損失高達好十幾億美元。張忠謀在 2014 年的法說會上，坦承 16 納米技術(shù)被三星超前，使臺積電一度股價大跌、投資評等遭降。

這個局勢在 iPhone 6s A9 晶片忽然扭轉(zhuǎn)，使得臺積電在蘋果A9處理器一戰(zhàn)成名。

同時采用三星及臺積電制程的 A9 處理器在功耗上發(fā)生的顯著的差異：臺積電的晶片明顯較三星地省電，適才爆發(fā)知名的 iPhone 6s 晶片門爭議。

這顯示著三星雖然在制程上獲得巨大的進步，但在良率及功耗的控制下仍輸給臺積電，使得蘋果 A9 后續(xù)的追加訂單全到了臺積電手裡；到了 A10 處理器，其代工訂單由臺積電全部吃下。

三星雖然挖走了臺積電的技術(shù)戰(zhàn)將、也跟著往 Gate-Last 技術(shù)走，然而 Gate-Last 工藝的防漏電及提高良率的苦功，則還是要仰賴基層生產(chǎn)時的Know-how，這也是臺積電的得意絕活。(所謂十萬青年十萬肝，GG輪班救***便是來于此)

為什么三星的 14 納米會不如臺積電的 16 納米制程的另一個原因，在于FinFET (鰭式場效應電晶體) 先進制程上的命名慣例被三星打破。

當初臺積電剛采用立體設計的 FinFET 工藝時，原本計畫按照與 Intel 一致的測量方法、稱為 20 納米 FinFET，因為該代制程的線寬與前一代傳統(tǒng)半導體 2D 平面工藝 20 納米的線寬差不多。

但三星搶先命名為「14 納米」，為了不在宣傳上吃虧，臺積電改稱為「16 納米」。事實上，三星與臺積電皆可稱為「 20 納米FinFET」。

臺積電于 2015 年第 4 季末開始首批 10 納米送樣認證，當時僅蘋果、聯(lián)發(fā)科及海思等少數(shù)一線客戶，高通并未參與。

2016 年 11 月，高通正式宣布下世代處理器驍龍 (Snapdragon) 830將采用三星的 10 納米制程技術(shù)，原因在于：

1. 驍龍 810 上的發(fā)熱門事件即是采用臺積電制程(雖然是高通自己的晶片設計問題)；

2. 有韓國媒體傳出， 高通以晶圓代工訂單做為交換條件，要求2017年三星旗艦機Galaxy S8須采用驍龍 830 晶片。

但若臺積電能在制程上再度取得優(yōu)勢，則可預期高通7納米制程將重回臺積電懷抱。

晶圓代工爭霸戰(zhàn) 第四篇 :

英特爾VS格羅方德VS中芯

全球第一大半導體公司 Intel 近幾年來，由于在個人電腦市場持續(xù)衰退、又在行動通訊市場表現(xiàn)不佳，勢必要尋找其他成長動能。

以 Intel 的定位來說，本身 x86 平臺已經(jīng)有完善的垂直整合生態(tài)，然而 ARM 市場對 Intel 可說是未開闢的市場，特別是 ARM 的授權(quán)模式讓 Intel 可以直接從代工服務切入，開闢新的營收動能。

為了重整態(tài)勢，4月時intel在公布2016年第一季財報后、宣佈全球?qū)⒉脝T12000人，并宣佈退出行動通訊系統(tǒng)晶片市場。

此舉放棄了Atom晶片 (包括 Sofia 處理器和原預計于 2016 年上市的 Broxton 處理器) 而用于平板的Atom X5也將逐漸淡出市場，但市場上大多人忽略的是intel早在2014年時就入股展訊，間接持有20%的股權(quán)，為未來行動處理器業(yè)務鋪路意味甚深。

2016 年 8 月，Intel 在年度開發(fā)者大會 (Intel Developer Forum, IDF) 宣布開始處理器架構(gòu)供應商 ARM 的 IP 授權(quán)，并首度直接表態(tài)「英特爾專業(yè)晶圓代工正協(xié)助全球各地的客戶」，未來將開始擴大搶食 ARM 架構(gòu)的代工市場。

Intel 選擇 ARM Artisan 平臺，說明未來 ARM 架構(gòu)的晶片廠都可以選擇 Intel 的代工服務。據(jù)Intel 的官方訊息指出： Intel 專業(yè)晶圓代工（Intel Custom Foundry） 將作為提供代工服務的基地，并宣布第一批產(chǎn)品將用于 LG 和展訊上。

LG 將使用 Intel 的 10 納米平臺以制造自家的 64-bit ARMv8 mobile SoCs；而原先就是 Intel 控股的展訊則采用 Intel 的 14 納米制程晶圓代工服務。

值得一提的是，若展訊選擇 Intel 14 納米制程代工服務，則該晶片將可能吸引三星的手機訂單──事實上三星在新興市場、比如印度，早已推出好幾款采用展訊晶片的低階智慧型手機。

未來 14 納米制程晶片可能上到中階手機采取。從一家身為IDM (Integrated Device Manufacturer, 整合元件制造) 公司轉(zhuǎn)型到先進制程晶圓代工，Intel 的每一步都意欲在行動通訊市場上力挽狂瀾。

在制程技術(shù)上，Intel 確實有世界頂尖的技術(shù)工藝。國際半導體評測機構(gòu) Chipworks 指出其 14 納米制程將晶片的電晶體鰭片間距做得最為緊密，真正達到了 14 納米，而非臺積電與三星的宣稱的 16 納米/ 14 納米，事實上僅有 Intel 20 納米的程度。

Chipworks 的測驗結(jié)果也證實了其電晶體效能均領先其他競爭對手。

但晶圓代工著重的不只是制程──產(chǎn)量、良率與背后的一連串支援服務，才是晶圓代工真正的關鍵價值鏈，對此張忠謀也指出英特爾并不是專業(yè)晶圓代工，只是把腳伸到池裡試水溫，并道：「相信英特爾會發(fā)現(xiàn)水是很冰冷的」。

但亦可得知2017年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的競爭將會更為激烈。2017年各家晶圓代工廠的決勝點將是7 納米先進制程。

10納米制程因物理侷限，僅是針對降低功耗做改善，效能上難以突破。到了7納米、才會是突破10納米效能極限的先進制程，因此被各家廠商視為決勝點。

目前市場上的三大陣營臺積電、三星與格羅方德都已經(jīng)積極投入資源研發(fā)該制程，至于結(jié)果會如何，只能靜靜等待市場結(jié)果了。

格羅方德 (GlobalFoundries) 成立于 2009 年 3 月，是從美商超微 (AMD) 公司虧損連連后拆分出來的晶圓廠，加上阿布達比創(chuàng)投基金 (ATIC) 合資成立。

AMD 僅持有 8.8% 股份，余下大部分由 ATIC 持有。借助背后石油金主 ATIC 的資金優(yōu)勢， 四個月后收購了新加坡特許半導體，成為僅次于臺積電和聯(lián)電的世界第三大晶圓代工廠。

畢竟是由 AMD 拆分出來的公司，格羅方德原先主要承接 AMD 處理器和繪圖晶片的生產(chǎn)訂單。

然而2011年，AMD Bulldozer 架構(gòu)的微處理器由格羅方德代工 32 納米制程時，因良率過低，造成原訂 2011 年第 1 季出貨的進度，一路延誤到 2011 年第 4 季，使得后來 AMD 將部分訂單轉(zhuǎn)交給臺積電。

ATIC作為金主，持續(xù)投入高額資本在先進制程的研發(fā)上；然而這條路走得始終不順遂。臺積電在2011 年即量產(chǎn) 28 納米制程，格羅方德卻遲至 2012 下半年才正式量產(chǎn)。

在 14 納米 FinFET 工藝上，格羅方德于 2014 年獲得三星的技術(shù)授權(quán)專利，但自主研發(fā)能力也因此遭人詬病。

從 2009 年創(chuàng)立至今，格羅方德的營利始終是負數(shù)，2014 年的凈虧損高達 15 億美元。連續(xù)的巨額虧損讓石油金主也難以負擔，2015 年甚至傳出阿布達比因油價腰斬手頭緊、打算脫手格羅方德變現(xiàn)的傳言。

2014 年 10 月，IBM 請格羅方德收下其虧損的晶片制造工廠、以避免支付更高額的關閉工廠遣散費與后續(xù)爭訟，并承諾在未來 3 年支付格羅方德現(xiàn)金 15 億美元。近來傳格羅方德將跳過 10 納米制程，直接跳級進軍 7 納米制程，外界推測是藉由買下 IBM 半導體事業(yè)，連同取得重要技術(shù)人才與專利。

從格羅方德取得的三星 14 納米制程技術(shù)、到 IBM 7 納米制程技術(shù)，不像臺積電自主研發(fā)、以自有資金建廠，聯(lián)電與格羅方德的部分制程技術(shù)透過合作聯(lián)盟或授權(quán)而來，在出問題時很難及時調(diào)整、或找到人來收爛攤子。成立以來一路走得跌跌撞撞的格羅方德，前景尚且一片茫茫。

中芯國際成立于 2000 年， 2014 年底獲得中國政府 300 億人民幣產(chǎn)業(yè)基金支持。中芯試圖擠入臺積電，Intel 這幾家所把持的半導體市場，然后由于財力和制程技術(shù)的不足，技術(shù)落后臺積電至少 2 代以上，使其始終難以承擔大型的 IC 設計客戶 (如高通) 的重要訂單。

為了縮短技術(shù)差距，中芯找上了高通尋求技術(shù)升級協(xié)助。高通該時方被中國官方反壟斷調(diào)查、遭重罰 9.75 億美元，為了向中國政府示好便答應了和中芯的合作。

2015 年，中芯與高通、華為成立合資企業(yè)，研發(fā)自有的 14 納米制程技術(shù)，并提出2020年前在中芯廠房投入量產(chǎn)的目標。其中高通的投資金額達 2.8 億美元，簽約時習近平還出席觀禮。

中芯目前已于 2015 下半年開始量產(chǎn) 28 納米制程，這也是中芯的首款產(chǎn)品。該產(chǎn)線也不意外地拿到了高通驍龍 410 處理器的訂單。

關于晶圓代工戰(zhàn)爭的故事就到這邊暫且告一個段落?？赐炅烁骷掖髲S間的競合策略，你認為哪一家最有可能成為下一代的領導廠商呢？

由于摩爾定律逼近極限，讓過去臺積電能仰賴在制程上甩脫對手一個世代、降低成本綁住訂單，藉以維持高毛利的作法將日益困難。

加上晶片越做越小、漏電流發(fā)生的可能越大，良率也勢必跟著下跌；因此未來朝向能管控成本的規(guī)?；?，以及因應少量客制化需求的生產(chǎn)管理 Know-how，將成為未來晶圓代工廠豎立競爭力的方向。

2016 年 7 月，臺積電陸續(xù)出貨整合型扇形封裝 (InFO)、跨足終端封裝技術(shù)，即是臺積電邁向規(guī)?；l(fā)展的其中一步。然而封裝的人力需求比晶圓制造來得高，后續(xù)的自動化進程將會如何，尚待未來分解。

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