作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

據(jù)悉，美光的技術(shù)研發(fā)和Fab制造工廠遍布全球，其中核心技術(shù)研發(fā)主要集中在美國的愛達(dá)荷州（Idaho）基地。Fab工廠分布上，日本主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM，新加坡主要生產(chǎn)NAND Flash，3D Xpoint工廠則設(shè)在美國的猶他州（Utah），中國***則負(fù)責(zé)封裝。

此外，為了滿足汽車市場需求，美光還在美國弗吉尼亞州（Virginia）設(shè)立了工廠。

最值得關(guān)注的是，美光在此次投資者大會上公布了DRAM和NAND Flash的最新技術(shù)線路圖。

DRAM方面，美光將持續(xù)推進1Znm DRAM技術(shù)，并且還將基于該先進技術(shù)推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技術(shù)之后，美光還將發(fā)展1α、1β、1γ。

未來美光DRAM產(chǎn)品研發(fā)計劃采用EUV技術(shù)。美光表示，其擁有從1Znm至1ynm的成熟的技術(shù)和成本效益，而多重曝光微影技術(shù)是它的戰(zhàn)略性優(yōu)勢。目前，DRAM的EUV光刻技術(shù)正在進行評估中，準(zhǔn)備在合適的時候?qū)崿F(xiàn)對EUV技術(shù)的應(yīng)用。

NAND Flash方面，繼96層3D NAND之后，美光計劃下一代研發(fā)128層3D NAND，采用64+64層的結(jié)構(gòu)。

另外，為了在芯片尺寸、連續(xù)寫入性能、寫入功耗方面領(lǐng)先，美光研發(fā)128層3D NAND時，將實現(xiàn)從Floating Gate技術(shù)向Replacement Gate技術(shù)過渡的重大進展，以及對CuA（CMOS under Array）技術(shù)的持續(xù)利用。