當(dāng)兩個(gè)端子連接到另一個(gè)電容器的每個(gè)端子時(shí)，電容器并聯(lián)連接在一起。連接所有電容器的電壓（ Vc ）并聯(lián)連接相同。然后，并聯(lián)的電容器在它們之間有一個(gè)“公共電壓”電源，給出：

V C1 = V C2 = V C3 = V AB = 12V

在下面的電路中，電容 C 1 ， C 2 和 C 3 都在并行分支中連接在一起點(diǎn)之間 A 和 B 如圖所示。

當(dāng)電容器并聯(lián)連接在一起時(shí)，電路中的總電容或等效電容 C T 等于加在一起的所有單個(gè)電容的總和。這是因?yàn)殡娙萜鞯捻敯?C 1 連接到 C 2 的頂板，這是連接到 C 3 的頂板，依此類推。

電容器底板也是如此。然后就像三組板相互接觸并且等于一個(gè)大的單板一樣，從而增加有效板面積m 2 。

由于電容， C 與板面積（ C =ε（A / d））有關(guān)，組合的電容值也會(huì)增加。然后，實(shí)際上通過(guò)將板面積加在一起來(lái)計(jì)算并聯(lián)連接在一起的電容器的總電容值。換句話說(shuō)，總電容等于并聯(lián)的所有單個(gè)電容的總和。您可能已經(jīng)注意到并聯(lián)電容的總電容與串聯(lián)電阻的總電阻相同。

流過(guò)每個(gè)電容的電流和我們?cè)谇耙粋€(gè)教程中看到的相關(guān)電壓。然后通過(guò)應(yīng)用Kirchoff的當(dāng)前定律（ KCL ）到上面的電路，我們有

這可以是重寫(xiě)為：

然后我們可以定義總電容或等效電路電容， C T 為所有單個(gè)電容加在一起的總和，給出了廣義方程：

并聯(lián)電容方程

將電容并聯(lián)時(shí)，它們必須全部轉(zhuǎn)換為相同的電容單位，無(wú)論是μF， nF 還是<跨度> pF的 。此外，我們可以看到流過(guò)總電容值的電流 C T 與總電路電流相同， i T

我們還可以使用 Q = CV 等式計(jì)算電容器極板上的電荷，從總存儲(chǔ)的庫(kù)侖電荷中定義并聯(lián)電路的總電容。存儲(chǔ)在所有板上的總電荷 Q T 等于每個(gè)電容器上各個(gè)存儲(chǔ)電荷的總和，因此，

由于電壓（ V ）對(duì)于并聯(lián)電容是常見(jiàn)的，我們可以將上述等式的兩邊除以電壓，只留下電容，并簡(jiǎn)單地將它們的值加在一起。單個(gè)電容給出總電容， C T 。此外，該公式不依賴于分支中并聯(lián)電容的數(shù)量，因此可以推廣連接在一起的任意數(shù)量的 N 并聯(lián)電容。

并聯(lián)電容器No1

因此，通過(guò)取上述示例中三個(gè)電容器的值，我們可以計(jì)算出總等效電路電容 C T as：

C T = C 1 + C 2 + C 3 = 0.1uF + 0.2uF + 0.3uF = 0.6uF

關(guān)于并聯(lián)電容電路要記住的一個(gè)要點(diǎn)是，并聯(lián)連接在一起的任何兩個(gè)或多個(gè)電容的總電容（ C T ）總是GREATER比組中最大電容的值，因?yàn)槲覀儗⒅导釉谝黄稹Ｒ虼?，在上面的示例中?C T =0.6μF，而最大值電容僅0.3μF。

當(dāng)4 ，5,6或甚至更多電容器連接在一起電路的總電容 C T 仍然是所有單個(gè)電容器加在一起的總和，正如我們現(xiàn)在所知，并聯(lián)電路的總電容總是大于最高值電容器。

這是因?yàn)槲覀冇行У卦黾恿穗娐钒宓目偙砻娣e。如果我們使用兩個(gè)相同的電容器，我們將板的表面積加倍，這又使組合的電容加倍，等等。

并聯(lián)電容器No2

當(dāng)以下電容器以并聯(lián)組合方式連接在一起時(shí)，計(jì)算以下電容器的微法拉（μF）組合電容：

a）兩個(gè)每個(gè)電容為47nF

b）一個(gè)470nF的電容并聯(lián)連接到1μF的電容

a）總電容，

C T = C 1 + C 2 = 47nF + 47nF = 94nF或0.094μF

b）總電容，

C T = C 1 + C 2 = 470nF +1μF

因此，C T = 470nF + 1000nF = 1470nF或1.47μF

因此，包含兩個(gè)或更多并聯(lián)電容的電路的總電容或等效電容 C T是t當(dāng)板的有效面積增加時(shí)，所有單個(gè)電容的總和就會(huì)增加。