6月13日消息,據(jù)日經(jīng)新聞引述未具名消息人士稱,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
該消息人士表示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還無法完全消除威脅,其生產(chǎn)中依然會(huì)使用到美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新設(shè)計(jì)能夠降低威脅,避免觸及美國(guó)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明去年10月曾前往歐洲,與歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML商談合作,并訪問了比利時(shí)的IMEC,這是一家專注于納米電子和數(shù)字技術(shù)的開創(chuàng)性研究機(jī)構(gòu)。由此可見,長(zhǎng)鑫正在尋求美國(guó)以外的供應(yīng)商的支持。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是在合肥市政府和兆易創(chuàng)新共同推動(dòng)下成立的,整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過72億美元。消息人士指出,長(zhǎng)鑫最初每月將生產(chǎn)約10,000片晶圓,雖然需要經(jīng)歷某種學(xué)習(xí)曲線,但是按照計(jì)劃,到2019年年底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)能將達(dá)到2萬片/月。
根據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)去年透露的DRAM項(xiàng)目5年規(guī)劃,將在2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月。從2020年開始,開始規(guī)劃二廠,2021年完成17nm研發(fā)。
CINNO分析師Sean Yang指出,與全球130萬片DRAM 硅晶圓的月產(chǎn)量相比,長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能仍然較小,但對(duì)于目前完全無法自制DRAM的中國(guó)大陸來說,卻是一大突破。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM技術(shù)來源于奇夢(mèng)達(dá),之后通過與國(guó)際大廠合作,持續(xù)投入研發(fā)超過25億美元,并不斷完善自身研發(fā)技術(shù),目前已累積有1萬6千個(gè)專利申請(qǐng)。
奇夢(mèng)達(dá)是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠,但在2009年1月,奇夢(mèng)達(dá)向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。奇夢(mèng)達(dá)慕尼黑研發(fā)中心和中國(guó)研發(fā)中心(位于西安高新區(qū))是較大的兩大研發(fā)中心。
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原文標(biāo)題:為避封殺!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,減少美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)!
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