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關于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析

羅姆半導體集團 ? 來源:djl ? 2019-08-22 09:29 ? 次閱讀

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。

該系列產(chǎn)品非常適用于電動壓縮機※2)的逆變器電路和PTC加熱器※3)的開關電路,而且傳導損耗更低※4),達到業(yè)界領先水平,非常有助于應用的小型化與高效化。

另外,加上已經(jīng)在量產(chǎn)中的650V產(chǎn)品,該系列共擁有11種機型,產(chǎn)品陣容豐富,可滿足客戶多樣化需求。

該系列產(chǎn)品已于2019年1月份開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格750日元~/個,不含稅)。

前期工序的生產(chǎn)基地為LAPIS Semiconductor Miyazaki Co., Ltd.(日本宮崎縣),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰國)。

近年來

隨著環(huán)保意識的提高和燃油價格的飆升,電動汽車的市場需求不斷增長。搭載引擎的傳統(tǒng)車輛,壓縮機的動力源為引擎,而隨著電動車輛的增加,壓縮機日益電動化,而且其市場規(guī)模也在不斷擴大。

另外,以往汽車空調(diào)制熱,是利用引擎運行的廢熱;如今以PTC加熱器為熱源使溫水循環(huán)制熱的系統(tǒng)等的需求也在日益增加。由于驅(qū)動頻率較低,這些應用的逆變器電路和開關電路中所使用的半導體主要是IGBT。尤其是在電動汽車中,壓縮機和加熱器的功耗會影響續(xù)航距離,因此需要更高的效率。

另一方面,為了延長電動汽車(EV)的續(xù)航距離,所配置電池的容量也呈日益增加趨勢。特別是在歐洲,采用高電壓(800V)電池的汽車越來越多,這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。因此,除650V耐壓的IGBT產(chǎn)品外,對1200V耐壓IGBT的需求也日益高漲。

在這種背景下,ROHM開發(fā)出滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓產(chǎn)品,與650V耐壓產(chǎn)品共同構(gòu)成了豐富的產(chǎn)品陣容。RGS系列實現(xiàn)了業(yè)界領先的低傳導損耗(Vce(sat.)),非常有助于應用的小型化和高效化。

此外,1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受※5)時間為10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的車載領域也可放心使用。

關于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析

產(chǎn)品特點

1. 業(yè)界領先的低傳導損耗

通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),在1200V耐壓級別將傳導損耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),與其他公司同等產(chǎn)品(1200V、40A產(chǎn)品)相比,傳導損耗改善了約10~15%。

尤其是在電動壓縮機和PTC加熱器中,由于驅(qū)動頻率較低,故對傳導損耗的重視程度高于開關特性,RGS系列的出色表現(xiàn)已經(jīng)獲得客戶的高度好評。

2. 產(chǎn)品陣容豐富,滿足客戶多樣化需求

此次推出的四款1200V耐壓產(chǎn)品,加上量產(chǎn)中的650V耐壓產(chǎn)品,共11種機型。產(chǎn)品陣容中包括IGBT單品和續(xù)流二極管※6)內(nèi)置型兩種類型的產(chǎn)品,客戶可根據(jù)需求自由選用。

關于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析

目標電路示例

★電動壓縮機

關于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析

★PTC加熱器

關于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析

術(shù)語

解說

※1)汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是專門針對分立半導體元器件晶體管、二極管等)制定的標準。

※2)電動壓縮機

內(nèi)置電機的壓縮機。主要用于混合動力汽車和電動汽車等的空調(diào)中。

※3)PTC(Positive Temperature Coefficient:正溫度系數(shù))加熱器

電流流過PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時會流過大電流,產(chǎn)生大量熱量,隨著發(fā)熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環(huán),從而成為制熱用的熱源。

※4)傳導損耗

MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,在電流流動時會發(fā)生電壓下降。傳導損耗是因這種元器件的電壓下降而產(chǎn)生的損耗。

※5)短路耐受能力

對于引起元器件損壞的短路(用低阻值的電阻器連接電子電路的兩點)的耐受能力。

※6)續(xù)流二極管

當電流在線圈中流動時,能量被存儲為磁場,因此即使在開關關斷時也會產(chǎn)生電壓以保持磁場,為了防止這種情況,與開關元件并聯(lián)插入的二極管。

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