羅姆的內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC

“BD9G341AEFJ”

“我大概只有這么小。”

而80V耐壓已經(jīng)是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在羅姆的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。

BD9G341AEFJ是作為功率開(kāi)關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，注意是很少，即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高耐壓的情況較多，而B(niǎo)D9G341AEFJ為減少安裝面積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，IC設(shè)計(jì)采用內(nèi)置高耐壓MOSFET結(jié)構(gòu)，這需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。

BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置，而續(xù)流二極管為外置。續(xù)流二極管是肖特基勢(shì)壘二極管，需要能夠容許電路最大輸入電壓的高耐壓品。羅姆擁有適合開(kāi)關(guān)電源的各種二極管，因此還可一并供應(yīng)BD9G341AEFJ所需的肖特基勢(shì)壘二極管。

下面是主要特點(diǎn)和標(biāo)準(zhǔn)電路例。通過(guò)采用電流模式控制，相位補(bǔ)償簡(jiǎn)單，可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開(kāi)關(guān)頻率可在50kHz～750kHz之間設(shè)置，因此可優(yōu)化尺寸與效率。另外還搭載了所需的幾乎所有的保護(hù)功能，這也是該產(chǎn)品的特點(diǎn)之一。

＜特點(diǎn)＞

＜電路例＞

與美隊(duì)盾的生抗不同，BD9G341AEFJ內(nèi)置對(duì)應(yīng)高電壓的功率MOSFET的降壓1ch開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。內(nèi)置80V耐壓3.5A額定、導(dǎo)通電阻150mΩ的功率MOSFET。還通過(guò)電流模式控制方式，實(shí)現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應(yīng)和簡(jiǎn)便的相位補(bǔ)償設(shè)定。頻率在50kHz ～ 750kHz的范圍內(nèi)可變，內(nèi)置低電壓誤動(dòng)作防止電路、過(guò)電流保護(hù)電路等保護(hù)功能。此外，可通過(guò)高精度的EN引腳閾值進(jìn)行低電壓鎖定，及使用外接電阻設(shè)定滯后。