6月30日晚間，紫光集團發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。根據(jù)通知，紫光集團將委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。

資料顯示，刁石京曾任工信部電子信息司司長，工信部電子信息司是中國集成電路產(chǎn)業(yè)的具體主管司局，刁石京是一位專家型官員，早年畢業(yè)于清華大學(xué)，長期在工信部電子信息司工作，是中國集成電路領(lǐng)域的資深人士。2018年初，刁石京加入紫光集團，協(xié)助紫光集團董事長趙偉國分管集成電路業(yè)務(wù)，目前還擔(dān)任紫光國微（SZ：002049）的董事長和紫光展銳的執(zhí)行董事長，也是紫光集團旗下長江存儲的執(zhí)行董事。

高啟全有“***存儲教父”之稱，曾在Intel工作，還曾在韓國及日本當(dāng)顧問，曾任現(xiàn)代電子（海力士前身）DRAM顧問。他早年追隨張忠謀回***，加入臺積電任一廠廠長，后創(chuàng)辦旺宏電子，還曾任***DRAM公司南亞科總經(jīng)理和華亞科董事長，是華人在全球DRAM界最資深的人士。2015年，高啟全受紫光集團董事長趙偉國之邀，北上加入紫光集團，出任紫光集團全球執(zhí)行副總裁；2016年長江存儲成立后，擔(dān)任長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長。

據(jù)知情人透露，紫光集團早在2015年即開始布局DRAM，延攬高啟全加入紫光集團就是布局的開始，在高啟全加入紫光集團的同時，紫光國微（原名同方國芯）收購了任奇?zhèn)F隊所創(chuàng)辦的公司（現(xiàn)在的西安紫光國芯），任奇?zhèn)F隊的前身是奇夢達公司的西安研發(fā)中心，任奇?zhèn)F隊一直從事DRAM的研發(fā)工作，目前團隊人數(shù)約500人，從紫光國微的年報披露情況看，該團隊的DRAM產(chǎn)品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計，在境外代工。2015年，紫光集團還試圖通過收購美光進入DRAM和3D NAND領(lǐng)域，但收購美光受到美國政府的阻擊，未能如愿以償。

不過，目前全球的存儲芯片三巨頭，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。據(jù)知情人透露，紫光集團在收購美光遇阻后，原計劃通過自行研發(fā)先進入DRAM領(lǐng)域，然后再進入3D NAND，但在國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的協(xié)調(diào)下，紫光和湖北省、武漢市合作，與國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金一起，在武漢新芯的基礎(chǔ)上，組建了長江存儲，制定了先三維閃存，后DRAM的戰(zhàn)略，同時布局DRAM的研發(fā)，積蓄DRAM的工藝人才。

據(jù)知情人透露，紫光集團借助長江存儲和武漢新芯的平臺，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工藝研發(fā)人員，工藝研發(fā)人員人數(shù)近2000人。目前長江存儲和武漢新芯的員工人數(shù)近6000人。

據(jù)了解，目前長江存儲的32層3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，并且即將于今年年底量產(chǎn)的64層Xtacking 3D NAND，其存儲密度僅比競品96層的3D NAND低10~20%。而下一代，長江存儲將直接跳過96層堆疊，直接進入128層堆疊的研發(fā)。

從紫光集團旗下長江存儲的3D NAND閃存的研發(fā)和生產(chǎn)來看，紫光集團走的是公開式的自主研發(fā)路徑，沒有人質(zhì)疑其知識產(chǎn)權(quán)問題，這主要是因為NAND閃存技術(shù)正從2D走向3D這也使得其得以有彎道超車的可能。

相比之下目前DRAM技術(shù)已經(jīng)是相當(dāng)成熟，想要繞過國外DRAM巨頭的技術(shù)并不容易。

所幸的是，2009年破產(chǎn)的德國DRAM廠商奇夢達，其西安研發(fā)中心當(dāng)時已經(jīng)被西安華芯（原浪潮集團旗下公司，今天的紫光國芯）收購。這也為紫光的DRAM的研發(fā)奠定了基礎(chǔ)（此前，長鑫存儲公開其DRAM技術(shù)來源也是奇夢達，因此外界認為是紫光與長鑫存儲共享了該技術(shù)），同時也能夠避免一些專利問題。

但是，需要指出的是，奇夢達此前所采用的是DRAM技術(shù)是深溝槽式（Trench），而目前主流的技術(shù)路線是堆棧式（Stack）。在溝槽式DRAM的制造中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然后在電容器上方再制造出柵極，構(gòu)成完整的DRAM Cell。這種工藝最大的技術(shù)挑戰(zhàn)有二，一是隨著線寬越來越細，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當(dāng)大的技術(shù)挑戰(zhàn)。其次，在進行沉積工藝時，由于溝槽的開口越來越細，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難。相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題。

如果紫光DRAM繼續(xù)沿著奇夢達的技術(shù)路徑向前推進的話，顯然將會非常的艱難，但是如果走堆棧式技術(shù)路徑的話，可能又將遭遇國外DRAM廠商的專利圍堵，那么在奇夢達技術(shù)的基礎(chǔ)上，紫光是否能夠通過自主研發(fā)，走出新的路徑呢？我們拭目以待。