動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-03-29 01:06
10.2.1 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ArtificialNeuralNetwork審稿人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所魯華祥http://www.semi.ac.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選368瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-28 03:01
9.3.3 開通過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.3開通過程9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi35431瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-28 01:06
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發(fā)布了文章 2022-03-27 01:09
9.3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.2正向阻斷模式和觸發(fā)9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300Pt329瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-27 01:07
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發(fā)布了文章 2022-03-26 01:13
9.3.1 正向?qū)J?isin;《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.1正向?qū)J剑?3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi329瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-26 01:11
10.1.9 阻變隨機存儲器(RRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ResistiveSwitchingRandomAccessMemory(RRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCU437瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-25 01:06
9.3 晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300Hi386瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-25 01:04
10.1.8 相變存儲器(PCRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Phase-changeRandomAccessMemory審稿人:北京大學(xué)蔡一茂方亦陳https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、328瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-24 18:31
10.1.7 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機存儲器(STT-MRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FP553瀏覽量