動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-02-14 01:13

  9.5.7 光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  Photoresist撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗

  集成電路 光刻膠

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• 發(fā)布了文章 2022-02-14 01:12

  7.3.3 “i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——

  二極管

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• 發(fā)布了文章 2022-02-14 01:11

  9.5.8 g線和i線的紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  UVPhotoresistforg-lineandi-line撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-14 01:09

  7.3.4 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  7.3.4電流-電壓關(guān)系7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)

  二極管 電壓

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• 發(fā)布了文章 2022-02-14 01:08

  9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  DUVPhotoresistforKrFandArF撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301

  光刻膠

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• 發(fā)布了文章 2022-02-11 01:08

  7.3.1 大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理

  SiC

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  9.5.6 硬掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  HardPhotomask撰稿人：中芯國(guó)際集成電路制造有限公司郭貴琦審稿人：中芯國(guó)際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-10 01:08

  7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-02-10 01:07

  9.5.5 極紫外光掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  ExtremeUltravioletLithographyPhotomask（EUV）撰稿人：中芯國(guó)際集成電路制造有限公司郭貴琦審稿人：中芯國(guó)際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-09 01:09

  7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第７章單極型和雙極型功率二極管6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理

  SiC

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