動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-04-27 01:07

  10.6.7 密度泛函理論(DFT)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  DesityFunctionalTheory審稿人：香港大學(xué)劉飛審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-26 01:11

  寶礫微:DC-DC升壓轉(zhuǎn)換、降壓轉(zhuǎn)換、升降壓控制器及電池充電管理

  

  深圳寶礫微電子有限公司成立于2014年，是一家專注于為用戶提供具有創(chuàng)新性、高性價(jià)比、高集成度的單芯片電源管理芯片的高新技術(shù)企業(yè)。創(chuàng)始人均來自于世界知名的半導(dǎo)體公司，有多年的電子行業(yè)研發(fā)、運(yùn)營及管理經(jīng)驗(yàn)。深度的系統(tǒng)和應(yīng)用知識(shí)、強(qiáng)大的電源管理芯片創(chuàng)新設(shè)計(jì)、以及受專利保護(hù)的定制工藝是寶礫的核心競爭力。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在機(jī)頂盒、路由器、電視機(jī)、電子煙、電表、車載電子、電

  控制器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-26 01:09

  12.1.2 靜態(tài)感應(yīng)晶體管（SIT）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  12.1.2靜態(tài)感應(yīng)晶體管（SIT）12.1微波器件第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科

  晶體管

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• 發(fā)布了文章 2022-04-26 01:06

  10.6.6 第一性原理∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  FirstPrinciplesMethod審稿人：香港大學(xué)劉飛審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-25 01:11

  拓爾微:1-14串鋰電池保護(hù)IC選型

  

  拓爾微電子成立于2007年，專注于芯片技術(shù)研發(fā)，主營面向行業(yè)應(yīng)用的高性能模擬及數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)和基于自主芯片的精密模組研制，致力于為行業(yè)用戶提供“芯片-模組”的系統(tǒng)解決方案。拓爾微電子擁有頂級的技術(shù)委員會(huì)，目前已在杭州、深圳、成都、無錫、廣州、臺(tái)灣建立分支機(jī)構(gòu)及研發(fā)中心。打造了行業(yè)定制芯片與模組、電源管理芯片、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片、鋰電管理芯片四大系列產(chǎn)品，擁有三百

  鋰電池 IC

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• 發(fā)布了文章 2022-04-25 01:06

  10.6.5 分子動(dòng)力學(xué)模擬∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  Molecular-dynamicsSimulation審稿人：香港大學(xué)劉飛審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-24 01:11

  晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V 4A、7A、11A、15A Super-junction Power MOS

  

  1、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V15A280mΩSuper-junctionPowerMOSFET2、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V11A380mΩSuper-junctionMOSFET3、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V7A650mΩSuper-junctionPowerMOSFET4、晶圓(Wafer-K

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2022-04-24 01:09

  11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2022-04-24 01:07

  10.6.4 非平衡格林函數(shù)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  Non-equilibriumGreenFunction（NEGF）審稿人：北京航空航天大學(xué)曾瑯審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-23 01:11

  晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V 4A 1000mΩ Super-junction Power MOSFET

  

  *AllthedatabasedonTO-220package,unlessotherwisespecified.需要規(guī)格書、樣品及技術(shù)支持，請聯(lián)系：18676796057(微信)代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替

  晶圓

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