動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-20 17:33

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。驅(qū)動(dòng)IC電流越來越大，如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M

  功率器件 熱設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-17 17:03

  新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

  

  新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個(gè)高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢(shì)，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)

  MOSFET SiC 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 17:02

  2025新年啟航，贏取好禮：IPAC直播首秀聚焦光伏行業(yè)新趨勢(shì)

  

  隨著新年的鐘聲敲響，光伏行業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，據(jù)S&PGlobal最新預(yù)測(cè)，戶用光伏與中小型工商業(yè)光伏市場(chǎng)有望在2025年迎來筑底反彈，未來五年將以穩(wěn)健的6%年復(fù)合增長(zhǎng)率蓬勃發(fā)展。面對(duì)這一趨勢(shì)，行業(yè)對(duì)光伏提出了更高要求：更大電流、更高電壓，更高功率密度，以及更高的可靠性，這已然成為行業(yè)前行的必然趨勢(shì)。如何通過英飛凌最新一代CoolS

  MOSFET 光伏

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 18:05

  英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  

  上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且

  IGBT 芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 17:35

  新品 | 用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件（CoolSiC™版本）

  

  新品用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態(tài)斷路器(SSCB)套件用于快速評(píng)估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應(yīng)用場(chǎng)

  SiC 斷路器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 17:36

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體器件 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-11 09:05

  第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀活動(dòng)表彰

  

  2024年12月27日，中國(guó)科協(xié)辦公廳正式發(fā)布了《關(guān)于表彰2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀組織單位與活動(dòng)的通知》，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)攜手英飛凌科技（中國(guó)）有限公司精心策劃的第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽，斬獲“2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀活動(dòng)”殊榮。第二屆大賽，我們鼓勵(lì)參賽者圍繞自身工作、學(xué)習(xí)及興趣，用文字、視頻、動(dòng)漫等多種形式，展示電力電子技術(shù)在電源管理、電

  電力電子 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-09 17:06

  新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝

  

  670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對(duì)RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進(jìn)行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后續(xù)產(chǎn)品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和堅(jiān)固性，可為大功率和高開關(guān)頻率應(yīng)用提供先進(jìn)的性能和更高的性價(jià)比。產(chǎn)品型號(hào)：■KW30N67PR7■IKW40N

  IGBT 二極管 電氣

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 17:03

  英飛凌一站式方案助力熱泵系統(tǒng)，全新高效功率器件震撼首秀

  

  隨著全球能源轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，建筑節(jié)能成為重要議題，熱泵系統(tǒng)作為一種高效的供暖、制冷和熱水供應(yīng)方式，能夠顯著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在現(xiàn)代社會(huì)中有著廣泛的應(yīng)用需求。然而，人們對(duì)居住環(huán)境舒適度的要求日益提高，熱泵行業(yè)面臨著一個(gè)共同挑戰(zhàn)：如何實(shí)現(xiàn)安靜、高效且可靠的熱泵系統(tǒng)。英飛凌憑借多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，提供MCU控制器，不同封裝的功率器件，以及GateD

  功率器件 功率模塊 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 17:05

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng)，

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì)

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