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青島佳恩半導體有限公司

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IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理

IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義: 1.對比不同的IGBT的參數(shù); ....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-28 15:44 ?678次閱讀
IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理

IGBT雙脈沖實驗說明

IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅動板及IGBT模塊的主....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-27 18:10 ?135次閱讀
IGBT雙脈沖實驗說明

IGBT模塊三電平電路故障時的關管順序

在1字形二極管鉗位三電平電路中,當發(fā)生短路故障或過流故障時,傳統(tǒng)的關斷IGBT的做法是,檢測到故障的....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-17 11:06 ?970次閱讀
IGBT模塊三電平電路故障時的關管順序

佳恩半導體IGBT項目科技成果達到國際先進水平

日前,中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家,對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-08 14:16 ?190次閱讀

單極性正弦波脈寬調制方式

隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調制(SPWM)技術得到了廣泛的應用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-27 09:20 ?696次閱讀
單極性正弦波脈寬調制方式

單相全橋逆變電路分享

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路,其電路拓樸結構如圖1所示,由兩個半橋 圖1單相....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-22 14:31 ?1970次閱讀
單相全橋逆變電路分享

如何減小IGBT死區(qū)時間

通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測量值來計算所需的死區(qū)時間。使用計算出的死區(qū)時間,需要進行最壞情況下的測量....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-16 09:39 ?578次閱讀
如何減小IGBT死區(qū)時間

IGBT驅動器要考慮什么因素

各種拓撲對IGBT驅動器的要求各不相同,比如: 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 12-09 09:42 ?398次閱讀
IGBT驅動器要考慮什么因素

IGBT絕緣特性

IGBT絕緣特性 電子元器件(半導體模塊)中,隔離帶電部分和底板的材料,被稱作絕緣材料。在大功率半導....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 11-29 09:50 ?447次閱讀
IGBT絕緣特性

如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 11-08 10:23 ?1261次閱讀
如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度:這個基本的方法是基于一個分壓器作為熱敏裝置。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:29 ?815次閱讀
IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

IGBT模塊的驅動電路設計

IGBT模塊在三相電機驅動逆變器中的典型應用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅動保護、P....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:25 ?2302次閱讀
IGBT模塊的驅動電路設計

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設計

IGBT模塊采用吸收電路時,典型的關斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 08-05 14:48 ?1163次閱讀
IGBT模塊吸收電容參數(shù)設計

IGBT關斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

在光伏逆變器等大功率應用場合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-26 10:03 ?3276次閱讀
IGBT關斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-19 11:21 ?916次閱讀
IGBT功率器件功耗

IGBT功率器件的散熱方式

功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風冷、水冷和沸騰冷卻四種。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:31 ?1296次閱讀
IGBT功率器件的散熱方式

逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

以IGBT模塊應用三相逆變電路為例。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:28 ?845次閱讀
逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

IGBT模塊的功率損耗詳解

IGBT模塊關斷截止時,I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導通損耗和開....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-31 09:06 ?15374次閱讀
IGBT模塊的功率損耗詳解

青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學合作簽約儀式圓滿成功!

5月28日,青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-29 14:29 ?704次閱讀
青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學合作簽約儀式圓滿成功!

典型IGBT短路保護電路的工作原理簡析

圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構成的保護電路,該電路采用IGBT專用驅動器EXB....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-24 09:03 ?21557次閱讀
典型IGBT短路保護電路的工作原理簡析

淺析IGBT并聯(lián)技術-并聯(lián)方法分類

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-17 09:02 ?20253次閱讀
淺析IGBT并聯(lián)技術-并聯(lián)方法分類

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側連接點的電阻分量,因此需要盡量對稱;
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 05-10 11:40 ?1476次閱讀
影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

IGBT驅動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術介紹

IGBT驅動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-26 11:21 ?1660次閱讀
IGBT驅動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術介紹

一文詳解IGBT半橋逆變電路

圖1是半橋式逆變電路的原理圖,它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 04-19 10:17 ?11106次閱讀
一文詳解IGBT半橋逆變電路

關于IGBT模塊的散熱設計

由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-22 09:58 ?18218次閱讀
關于IGBT模塊的散熱設計

什么是隔離?電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離?

電化隔離:電荷無法由一個電路移動到另一個電路,雙方信號通過其他方式交換信息。
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-08 10:57 ?18824次閱讀
什么是隔離?電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離?

IGBT驅動電路過流保護的分類及其檢測方法

IGBT的過流保護電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護;另一類是高倍數(shù)(可達8....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 03-01 09:04 ?19738次閱讀
IGBT驅動電路過流保護的分類及其檢測方法

佳恩半導體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉型項目名單!

近日,市民營經(jīng)濟發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉型項目的名單,我司成功入選,同時感謝大家....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 02-26 15:38 ?634次閱讀
佳恩半導體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉型項目名單!

IGBT典型過流保護電路設計分享

所謂集中過電流保護,就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流,當該電流值超過設定的閾值時,封鎖所有橋臂IG....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 02-23 09:03 ?17520次閱讀
IGBT典型過流保護電路設計分享

淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項

由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系,如果在門極驅動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因為....
的頭像 青島佳恩半導體有限公司 發(fā)表于 01-25 09:11 ?818次閱讀
淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項