森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了40V預驅(qū)芯片系列產(chǎn)品，該系列推出了4個型號，適用于有感BLDC、無感BLDC，有感FOC、無感FOC 及永磁同步電機等控制系統(tǒng)，在家電、電動按摩儀、電動工具、低壓風機水泵控制等產(chǎn)品的使用上較為常見。

ESOP-16封裝

TSSOP-20封裝

01預驅(qū)芯片最高耐壓可達40V，內(nèi)置LDO

芯片最高耐壓超過40V，推薦工作電壓范圍7V～36V，可有效覆蓋市場上最常見的12V、24V、36V 電機應用。

芯片內(nèi)置LDO，輸出電壓3.3V/5V可選，LDO的帶載能力可達100mA，無論負載大小，LDO輸出的電壓穩(wěn)定，效率高，隨溫度變化波動小，發(fā)熱量低，有利于與MCU合封。在系統(tǒng)應用的時候，節(jié)省了一顆給MCU供電的LDO，同時還可以節(jié)省PCB布板的面積和貼片費用。

02集成度高，保護功能強大，四大保護機制

G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片內(nèi)部都內(nèi)置了死區(qū)時間和直通保護邏輯、輸入欠壓保護、過流保護、過溫保護。

當G2301B和G2311B芯片溫度達到160℃時觸發(fā)過溫保護，溫度降至140℃時解除輸出保護。

G2302B、G2312B芯片則是在155℃時觸發(fā)過溫保護機制，溫度降至135℃時解除輸出保護。

03上下管驅(qū)動能力基本做到了一致

森國科預驅(qū)芯片在驅(qū)動功率MOS時，G230X上下管驅(qū)動能力較為接近，上下管驅(qū)動電流都可達到200mA左右，有效解決了友商上下管電流不一致的情況。當上下管驅(qū)動電流不一致的時候，實際的驅(qū)動能力經(jīng)常會被驅(qū)動電流小的上管或者下管限制住。

04抗靜電能力優(yōu)越

HBM可達3KV，節(jié)省了外部靜電保護電路，為電機驅(qū)動系統(tǒng)設計減小了PCB布板面積，降低了ESD、EMI的難度。

05G2301B可驅(qū)動3P+3N功率MOS

G2301B內(nèi)部集成了三個半橋，可驅(qū)動3P+3N功率MOS，每一路輸出均可由MCU獨立控制，芯片系統(tǒng)框圖如下：

G2301B 系統(tǒng)框圖

06G2302B內(nèi)嵌電荷泵電路，縮減應用成本

G2302B 內(nèi)嵌電荷泵電路，縮減應用成本，芯片內(nèi)部系統(tǒng)框圖如下：

G2302B 系統(tǒng)框圖

G2302B采用的是3N+3N的驅(qū)動，多應用在大功率產(chǎn)品上。G2302B內(nèi)嵌了ChargePump電荷泵電路，電荷泵由振蕩電路、二極管和電容器組成。如下圖所示芯片內(nèi)置電荷泵的每個級對電容器中存儲的電壓進行升壓，可以產(chǎn)生高于供電電壓的驅(qū)動電壓，從而驅(qū)動上橋臂NMOS開啟。相比自舉電路需要刷新自舉電容，電荷泵電路對輸入PWM的占空比沒有限制。電荷泵電路內(nèi)置之后，相比傳統(tǒng)的外部自舉電路，節(jié)省了3個二極管和3個電容，應用的時候只需2個0.1uF電容就可以實現(xiàn)三個半橋6N MOS穩(wěn)定開關，使得布線更簡潔，節(jié)省PCB布板面積，同時也提高了電磁兼容性，大幅縮減系統(tǒng)成本。

內(nèi)置電荷泵預驅(qū)電路

07G2301B和G2302B的典型應用電路

G2301B典型應用電路

G2302B典型應用電路

森國科預驅(qū)芯片集高可靠、低功耗、高性能于一身，已陸續(xù)為落地扇、筋膜槍、電動工具等下游廠商提供定制化解決方案。G230X預驅(qū)系列產(chǎn)品，提供封裝成品的同時，也提供晶圓（bare die）用于和MCU產(chǎn)品合封。

有關G230X系列的詳細性能指標請登錄公司網(wǎng)站，下載對應的產(chǎn)品規(guī)格書，或點擊文末”閱讀原文“跳轉(zhuǎn)公司網(wǎng)站

名詞釋義

ESD模式：?包括CDM（Charged Device Model，帯電設備模式）、MM（Machine Model，機器模式）和HBM（Human Body Model，人體模式）。

BLDC：?無刷直流電機，全稱為Brushless Direct Current Motor，無刷直流電機的實質(zhì)是直流電源輸入，采用電子逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，有轉(zhuǎn)子位置反饋的三相交流永磁同步電機。

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都、蘇州設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)?；旌稀㈦姍C驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅(qū)動芯片方面，已經(jīng)推出單相BLDC散熱風扇電機系列，即將推出三相BLDC電機驅(qū)動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領先的功率半導體公司！

審核編輯：湯梓紅