R2110芯片簡(jiǎn)介：

　　美國(guó)IR公司的IR2110芯片是一種雙通道、柵極驅(qū)動(dòng)、高壓高速功率器件的單片式集成驅(qū)動(dòng)模塊。由于它具有體積小、成本低、集成度高、響應(yīng)速度快、偏值電壓高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等特點(diǎn)，自推出以來，這種適于功率MOSFET、IGBT驅(qū)動(dòng)的自舉式集成電路在電機(jī)調(diào)速、電源變換等功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用。IR2110采用先進(jìn)的自舉電路和電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，使得每對(duì)MOSFET（上下管）可以共用一片IR2110，并且所有的IR2110可共用一路獨(dú)立電源。對(duì)于典型的6管構(gòu)成的三相橋式逆變器，可采用3片IR2110驅(qū)動(dòng)3個(gè)橋臂，僅需1路10V~20V電源。這樣，在工程上大大減少了驅(qū)動(dòng)電路的體積和電源數(shù)目，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，提高了系統(tǒng)可靠性。

　　IR2110內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功能特點(diǎn)：

　　IR2110浮置電源采用自舉電路，其高端工作電壓可達(dá)500V，工作頻率可達(dá)到500kHz，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示。它由三個(gè)部分組成：邏輯輸入，電平平移及輸出保護(hù)。IR2110采用CMOS工藝制作，邏輯電源電壓范圍為5V~20V，適應(yīng)TTL或CMOS邏輯信號(hào)輸入，具有獨(dú)立的高端和低端2個(gè)輸出通道，兩路通道均帶有滯后欠壓鎖定功能。由于邏輯信號(hào)均通過電平耦合電路連接到各自的通道上，容許邏輯電路參考地（Vss）與功率電路參考地（COM）之間有5V的偏移量，并且能屏蔽小于50ns的脈沖，有較理想的抗噪聲效果。

　　IR2110的自舉電路特別適合于各種橋式驅(qū)動(dòng)電路，其典型應(yīng)用如圖2所示。引腳3（VCC）和6（VB）分別是低端電源電壓和高端浮置電源電壓，引腳2（COM）是低端電源公共端，引腳5（Vs）是高端浮置電源公共端，引腳9（VDD）是邏輯電路電源電壓，引腳13（Vss）是邏輯電路接地端，引腳11（SD）是輸入信號(hào)關(guān)閉端。VCC為10V~20V功率管門極驅(qū)動(dòng)電源，由于VSS可與COM連接，則VCC與VDD可共用同一個(gè)典型值為+15V的電源。

　　當(dāng)輸入邏輯信號(hào)HIN/LIN=1時(shí)，輸出信號(hào)HO/LO=1，控制MOSFET導(dǎo)通;當(dāng)HIN/LIN=0時(shí)，HO/LO=0，控制MOSFET關(guān)斷，其SD輸入可以用來閉鎖這二路驅(qū)動(dòng)。如果這兩路驅(qū)動(dòng)電壓小于8.3V，輸出信號(hào)會(huì)因欠壓而被片內(nèi)封鎖。輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓的范圍為10V~20V，其電平典型轉(zhuǎn)換時(shí)為：Ton=120ns，Toff=94ns。死區(qū)時(shí)間的典型值為10ns，內(nèi)置的死區(qū)電路可以防止由于MOS器件關(guān)斷延時(shí)造成的直臂導(dǎo)通現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　ir2103典型應(yīng)用電路一：

　　永磁無刷直流電機(jī)是隨著高性能永磁材料、電機(jī)控制技術(shù)和電力電子技術(shù)的發(fā)展而出現(xiàn)的一種新型電機(jī)，它既具有交流電機(jī)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行可靠、維護(hù)方便、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，又具備直流電機(jī)運(yùn)行效率高、無勵(lì)磁損耗及調(diào)速性能好等諸多優(yōu)點(diǎn)，而且還具有功率密度高，低轉(zhuǎn)速，大轉(zhuǎn)矩的特點(diǎn)。它的應(yīng)用已從最初的軍事工業(yè)，向航空航天、醫(yī)療、信息、家電以及工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域迅速發(fā)展。

　　圖3是由IR2110組成的無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理圖（單橋臂）。此驅(qū)動(dòng)電路采用以3片IR2110為中心的6個(gè)N溝道的MOSFET管組成的三相全橋逆變電路，僅對(duì)上橋臂功率MOSFET管進(jìn)行PWM調(diào)制的控制方式。其輸入是以功率地為地的PWM波，送到IR2110的輸入端口，輸出控制N溝道的功率驅(qū)動(dòng)管MOSFET的開關(guān)，由此驅(qū)動(dòng)無刷直流電動(dòng)機(jī)。