圖1 SG3525A內(nèi)部框圖及引腳功能


IR2110性能和結(jié)構(gòu)

IR2110是美國IR公司生產(chǎn)的高壓、高速PMOSFET和IGBT的理想驅(qū)動器。該芯片采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝，集成DIP、SOIC封裝。其主要特性包括：懸浮通道電源采用自舉電路，其電壓最高可達500V；功率器件柵極驅(qū)動電壓范圍10V~20V；輸出電流峰值為2A; 邏輯電源范圍5V~20V，而且邏輯電源地和功率地之間允許+5V的偏移量；帶有下拉電阻的COMS施密特輸入端，可以方便地與LSTTL和CMOS電平匹配；獨立的低端和高端輸入通道，具有欠電壓同時鎖定兩通道功能; 兩通道的匹配延時為10ns；開關(guān)通斷延時小，分別為120ns和90ns;工作頻率達500kHz。
其內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要包括邏輯輸入，電平轉(zhuǎn)換及輸出保護等，如圖2所示。

圖2 IR2110內(nèi)部框圖及引腳功能

設(shè)計原理

高壓側(cè)懸浮驅(qū)動的自舉原理

IR2110用于驅(qū)動半橋的電路如圖3所示。圖中C1、VD1分別為自舉電容和二極管，C2為VCC的濾波電容。假定在S1關(guān)斷期間，C1已充到足夠的電壓VC1≈VCC。當(dāng)HIN為高電平時，VM1開通，VM2關(guān)斷，VC1加到S1的門極和發(fā)射極之間，C1通過VM1、Rg1和S1門極柵極電容Cgc1放電，Cgc1被充電。此時VC1可等效為一個電壓源。當(dāng)HIN為低電平時，VM2開通，VM1斷開，S1柵極電荷經(jīng)Rg1、VM2迅速釋放，S1關(guān)斷。經(jīng)短暫的死區(qū)時間(td)之后，LIN為高電平，S2開通，VCC經(jīng)VD1、S2給C1充電，迅速為C1補充能量。如此循環(huán)反復(fù)。

圖3 驅(qū)動半橋自舉電路


自舉元件設(shè)計

自舉二極管(VD1)和電容(C1)是IR2110在PWM應(yīng)用時需要嚴(yán)格挑選和設(shè)計的元器件，應(yīng)根據(jù)一定的規(guī)則對其進行調(diào)整，使電路工作在最佳狀態(tài)。

在工程應(yīng)用中，取自舉電容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中，Qg為IGBT門極提供的柵電荷。假定自舉電容充電路徑上有1.5V的壓降(包括VD1的正向壓降)，則在器件開通后，自舉電容兩端電壓比器件充分導(dǎo)通所需要的電壓(10V)要高。

同時，在選擇自舉電容大小時，應(yīng)綜合考慮懸浮驅(qū)動的最寬導(dǎo)通時間ton(max)和最窄導(dǎo)通時間ton(min)。導(dǎo)通時間既不能太大影響窄脈沖的驅(qū)動性能，也不能太小而影響寬脈沖的驅(qū)動要求。根據(jù)功率器件的工作頻率、開關(guān)速度、門極特性對導(dǎo)通時間進行選擇，估算后經(jīng)調(diào)試而定。

VD1主要用于阻斷直流干線上的高壓，其承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應(yīng)選擇反向漏電流小的二極管。

運用SG3525A和IR2110構(gòu)成的高頻逆變主電路圖

高頻逆變主電路如圖4所示，逆變高壓電路由全橋驅(qū)動組成。功率開關(guān)Q1~Q4采用IGBT模塊。逆變主電路把直流電壓V1轉(zhuǎn)換為20kHz的高頻矩形波交流電壓送到高頻高壓變壓器T1，經(jīng)升壓整流濾波后提供給負(fù)載供電。電路通過控制PWM1和PWM2的占空比，來得到脈寬可調(diào)的矩形波交流電壓。VF為高壓采樣端反饋到控制系統(tǒng)的電壓。

圖 4 高壓逆變主電路圖


單片機組成的控制系統(tǒng)

圖5所示為完整的高壓逆變電源系統(tǒng)框圖，它主要包括主電路及控制電路兩部分。主電路主要包括逆變器直流電源、IGBT橋式逆變器、保護電路、高頻高壓變壓器、高頻高壓硅堆(高頻整流器)等。控制電路主要包括電流、電壓采樣及其處理單元，PWM信號產(chǎn)生和驅(qū)動電路，單片機控制器，參數(shù)輸入鍵盤及液晶顯示，通信接口等部分。為了更好的解決系統(tǒng)的干擾、隔離、電磁兼容等問題，在控制部分和主電路采用光耦完全隔離。
此硬件系統(tǒng)配上軟件系統(tǒng)，可使整個系統(tǒng)具有完整的人機界面和自診斷等智能化功能。

圖5 單片機控制的逆變系統(tǒng)

結(jié)語

由PWM控制芯片SG3525A和高壓驅(qū)動器IR2110組成的高頻逆變電源，具有體積小、控制方便、電能利用效率高等優(yōu)點。此系統(tǒng)目前已被用于醫(yī)療設(shè)備的高頻電源。

參考文獻：
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