IGD系列IGBT驅(qū)動器內(nèi)部框電路
- IGBT(240044)
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變頻驅(qū)動器VFD和 IGBT逆變器浪涌過電壓保護(hù)器件選型
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2023-05-12 17:32:58
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電力電子IGBT柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45
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IGBT的驅(qū)動參數(shù)說明和計(jì)算公式
作為選擇一款合適驅(qū)動器的基本依據(jù)。IGBT廠家的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊中所給出的參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中是可以直接使用的。驅(qū)動器內(nèi)部功率損耗以及其他內(nèi)部參數(shù)不必進(jìn)一步降額或者修正。對于快速預(yù)覽,公式1,4及5是最重要的。
2023-02-22 15:16:44
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igbt的驅(qū)動電路
igbt的驅(qū)動電路 圖2 IGBT驅(qū)動電路 整個電路板的作用相當(dāng)于一個光耦隔離放大電路。它的核心部分是芯片HCPL-316J,其中由控制器(DSP-TMS320F2812)產(chǎn)生
2008-10-21 09:38:53
伺服電機(jī)驅(qū)動器IGBT怎么選擇?
伺服電機(jī)驅(qū)動器在生產(chǎn)應(yīng)用中是廣泛的,而且其系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品研發(fā)就要選用優(yōu)質(zhì)的電子元器件,那么對于的伺服電機(jī)驅(qū)動器的IGBT會有能替代FGH40N60SFD這款型號嗎?
2023-02-19 10:57:06
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IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求
IGBT的驅(qū)動電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能不好,常常會造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:43
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igbt驅(qū)動電路圖
igbt驅(qū)動電路圖 典型的IGBT驅(qū)動電路 如圖為典型的IGBT驅(qū)動電路圖。電路以混合IC?EXB840驅(qū)動模塊和外圍元器件組成。驅(qū)動信號輸入接SPWM控制電路輸出端。過流信號輸出端接SPWM
2023-02-06 10:40:30
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隔離式柵極驅(qū)動器:什么、為什么以及如何
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件,用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極,對于IGBT,它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:12
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FAN7085 高邊柵極驅(qū)動器 - 內(nèi)部充電路徑設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
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2022-11-15 19:59:13
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MOSFET、IGBT驅(qū)動集成電路及應(yīng)用
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對這些具
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汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品簡介
)模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動板。
2022-05-17 11:56:29
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PI推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV
,其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。 SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強(qiáng)型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證,可實(shí)現(xiàn)ASIL C牽引逆變器設(shè)計(jì)。第一個發(fā)布的
2022-05-10 19:30:48
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意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:26
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基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動器內(nèi)部電路
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淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:02
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隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:38
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第7代IGBT電機(jī)驅(qū)動器的新基準(zhǔn)資料說明
第7代IGBT代表了最新的IGBT芯片技術(shù)。新一代產(chǎn)品專為滿足電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的要求而設(shè)計(jì)。該IGBT具有明顯降低的正向電壓降,并提供優(yōu)化的開關(guān)性能。由于芯片體積縮小了約25%,現(xiàn)有功率模塊封裝能夠
2020-12-04 08:00:00
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IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的分類與發(fā)展趨勢及保護(hù)電路的分析與研究
介紹了IGBT門極驅(qū)動保護(hù)電路的分類,分析了IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的發(fā)展趨勢,對常用IGBT驅(qū)動器如光耦隔離型、變壓器隔離型等典型電路進(jìn)行了分析,并將市場上常用廠家生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動器工作參數(shù)和性能
2019-12-26 14:33:05
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三款大功率IGBT驅(qū)動電路應(yīng)用
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT驅(qū)動器也在工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。對于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:00
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安森美半導(dǎo)體推出IGBT門極驅(qū)動器 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性
展示針對強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動器, 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),將于5月7
2019-05-14 11:44:53
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:39
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MOSFET、IGBT驅(qū)動集成電路及應(yīng)用PDF電子教材免費(fèi)下載
MOSFET及IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電。子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應(yīng)用實(shí)例,而且對這些具體實(shí)例的電路工作原理、正常工作波形、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)
2019-01-08 16:21:03
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MOSFETIGBT的工作原理是什么?《MOSFET、IGBT驅(qū)動集成電路及應(yīng)用》免費(fèi)下載
MOSFET及IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應(yīng)用實(shí)例,而且對這些具體實(shí)例的電路工作原理、正常工作波形、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行
2018-09-05 08:00:00
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用于三相逆變器系統(tǒng)的隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器評估平臺參考設(shè)計(jì)
本參考設(shè)計(jì)采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動器 ISO5852S,適用于交流驅(qū)動器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:25
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各種IGBT驅(qū)動電路和IGBT保護(hù)方法解析
【導(dǎo)讀】保證 IGBT 的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用,本文討論IGBT驅(qū)動電路和IGBT的保護(hù),包括驅(qū)動電路 EXB841 /840、 M57959L /M57962L厚膜驅(qū)動電路
2017-12-11 10:05:09
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IGBT柵極驅(qū)動的驅(qū)動條件和柵極電阻Rg的作用
igbt驅(qū)動器是驅(qū)動igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置,它不僅影響了igbt 的動態(tài)性能,同時也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動器損壞。
2017-11-23 08:38:17
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使用MOSFET柵極驅(qū)動器的IGBT驅(qū)動器
的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
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IGBT驅(qū)動電路原理與設(shè)計(jì)技巧詳解
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用
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IGBT驅(qū)動電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)詳解
隔離驅(qū)動產(chǎn)品大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅(qū)動信號和被驅(qū)動的絕緣柵,采用厚膜或PCB工藝支撐,部分阻容元件由引腳接入。這種產(chǎn)品主要用于IGBT的驅(qū)動,因IGBT具有電流拖尾效應(yīng),所以光耦驅(qū)動器無一例外都是負(fù)壓關(guān)斷。
2017-06-05 14:34:55
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IGBT驅(qū)動電路作用與設(shè)計(jì)詳解,如何選擇IGBT驅(qū)動器
IGBT驅(qū)動電路的作用是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動電路的作用對整個IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要
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數(shù)字型IGBT驅(qū)動器方案
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個IGBT模塊都需要一個專門的驅(qū)動器,IGBT驅(qū)動器對IGBT的運(yùn)行性能有著重大影響
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UCC2752x系列5-A高速低側(cè)柵極驅(qū)動器
UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,此器件能夠高效地驅(qū)動MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
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德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
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內(nèi)置隔離電源的混合集成IGBT驅(qū)動器
本文詳細(xì)介紹了一種自帶隔離電源的igbt集成混合型驅(qū)動器qp12w05s-37的原理與性能,并給出了應(yīng)用要點(diǎn)。
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高速保護(hù)驅(qū)動器/線路驅(qū)動器電路
電子發(fā)燒友網(wǎng)為大家提供了高速保護(hù)驅(qū)動器/線路驅(qū)動器電路,本站還有其他相關(guān)資源,希望對您有所幫助!
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IGBT驅(qū)動器驅(qū)動能力計(jì)算方法
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要,本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法,經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
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SKHI系列驅(qū)動器將RG分成RG(on)和RG(off),如圖所示.這兩個參數(shù)可以分別控制,并可根據(jù)IGBT容量的不同,分別調(diào)整RG(on)和RG(off),獲得最佳驅(qū)動效果.
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QA03 IGBT驅(qū)動器專用DC-DC模塊電源
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QA02 IGBT驅(qū)動器專用DC-DC模塊電源
QA02是專為需要兩組隔離電源的IGBT驅(qū)動器而設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源。其內(nèi)部采用了兩路獨(dú)立輸出后共接模式,可以更好的為IGBT的開通與關(guān)斷提供能量。同時具有輸出短路保護(hù)及自恢復(fù)
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IGBT/MOSFET驅(qū)動器VO3120
lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動器:這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V~32V,工作溫度范圍為+40℃~+110℃。
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單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
摘要:IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制,同時剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,最后給出了
2010-05-05 09:03:46
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適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動電路IGD515E
適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動電路IGD515EI
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide sem
2010-04-13 16:24:56
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SCALE系列集成驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
SCALE系列集成驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
2010-02-18 22:30:56
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GA系列IGBT半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
GA系列IGBT半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
2010-02-18 22:20:08
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IR2117 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:00
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IGBT驅(qū)動電路性能分析
闡述了對IGBT 驅(qū)動器的基本要求,介紹了IGBT 驅(qū)動器的各種電路形式及特點(diǎn),指出了使用時應(yīng)注意的問題。
2009-11-25 14:00:45
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IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與測試
本文在分析IGBT的動態(tài)開關(guān)特性和過流狀態(tài)下的電氣特性的基礎(chǔ)上,通過對常規(guī)的IGBT推挽驅(qū)動電路進(jìn)行改進(jìn),得到了具有良好過流保護(hù)特性的IGBT驅(qū)動電路。該電路簡單,可靠,易用
2009-10-15 11:12:39
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IGBT的驅(qū)動與保護(hù)電路
由綜合放大電路板(ZHFD)產(chǎn)生的輸出信號被送入SG3526,產(chǎn)生PWM脈沖,此信號與反饋信號進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動器,當(dāng)IGBT產(chǎn)生過流、短路故障時,借助于IGBT內(nèi)部的短路、
2009-07-27 08:35:08
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IGBT的驅(qū)動與保護(hù)電路研究
IGBT的驅(qū)動與保護(hù)電路研究:對電力電子功率器件IGBT的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護(hù)方法進(jìn)行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動電路和一種典
2009-05-31 12:33:15
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