簡(jiǎn)單的過熱保護(hù)電路圖（五）

過熱保護(hù)電路在芯片溫度過高時(shí)將大功率管關(guān)斷，在閾值溫度點(diǎn)需要較高的溫度靈敏度，因此，大多數(shù)是基于比較器設(shè)計(jì)的。圖1是過熱保護(hù)電路原理圖。

圖1所示的過熱保護(hù)電路由溫度探測(cè)電路和比較器電路構(gòu)成，該電路三極管Q的導(dǎo)通電壓VBE具有負(fù)溫度特性，并且工作在亞閾值區(qū)的MOS管產(chǎn)生具有正溫度系數(shù)的電流I1和I2。隨著工作溫度的升高，VBE越來越小，而電阻上的電壓隨著電流的升高越來越大。當(dāng)VBE《VR3時(shí)，比較器輸出發(fā)生翻轉(zhuǎn)，VOUT輸出為低電平，關(guān)斷主要功耗電路，使芯片發(fā)熱量降低，這個(gè)過熱保護(hù)的比較器有較高的分辨率，在高溫下也能穩(wěn)定工作，但無疑增加電路的功耗，而且利用工作在亞閾值區(qū)的MOS管產(chǎn)生的與絕對(duì)溫度成正比的PTAT電流精度不高，易受電源電壓影響，過熱保護(hù)電路不夠穩(wěn)定。

本文的過熱保護(hù)電路是在帶隙基準(zhǔn)電路基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的，使用帶隙基準(zhǔn)電路的偏置電壓作為過熱保護(hù)電路偏置，且在電路中優(yōu)化了比較器電路，使得電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且性能穩(wěn)定，較易在版圖上實(shí)現(xiàn)。過熱保護(hù)電路如圖2所示。