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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>確保SiC驗證測試準(zhǔn)確度,有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

確保SiC驗證測試準(zhǔn)確度,有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

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【直播邀請】羅姆 SiC碳化硅功率器件的活用

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【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究

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2009-11-17 09:41:491240

電子系統(tǒng)熱管理設(shè)計與驗證中的結(jié)溫估算與測量

針對電子系統(tǒng)容易出現(xiàn)的熱失效問題,論述在電子系統(tǒng)的熱管理設(shè)計與驗證中,對半導(dǎo)體器件結(jié)溫的估算和測量方法。通過測量半導(dǎo)體器件內(nèi)部二極管參數(shù),來繪制二極管正向壓降與其
2012-04-20 11:18:2232

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅SiC):歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅SiC),俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不過,自 1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史,主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:4554

【大神課堂】碳化硅 (SiC):歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由自身較高的碳化硅帶隙能量產(chǎn)生的。4這就
2022-08-04 14:38:091497

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物,是一種具有同素異形變體的半導(dǎo)體
2022-08-08 08:09:591331

碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

) 半導(dǎo)體材料顯示出卓越的性能,與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比,允許功率器件在高壓下運(yùn)行,尤其是在高溫和開關(guān)頻率下。電力電子系統(tǒng)的設(shè)計人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。 碳化硅正被用于多種應(yīng)用,尤其是電動汽車,以應(yīng)對開發(fā)高效和大功率設(shè)備時面臨的能源
2022-08-08 09:52:41256

碳化硅電驅(qū)動總成設(shè)計與測試

驗證碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的性能,對電驅(qū)動總成系統(tǒng)制作樣機(jī)并搭建臺架進(jìn)行測試驗證,測試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器
2022-12-21 14:02:33836

碳化硅電驅(qū)動總成設(shè)計與測試

。為了進(jìn)一步驗證碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的性能,對電驅(qū)動總成系統(tǒng)制作樣機(jī)并搭建臺架進(jìn)行測試驗證,測試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器,采用碳化硅模塊設(shè)計
2022-12-21 14:05:031414

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實現(xiàn)碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

什么是碳化硅SiC)?

碳化硅SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420953

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā) 電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254

閃光法測量高導(dǎo)熱碳化硅圓晶中存在的問題

摘要:對于高導(dǎo)熱碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圓晶的導(dǎo)熱系數(shù)測試,目前普遍都采用閃光法,但都存在測試結(jié)果偏低的現(xiàn)象。本文基于這種高導(dǎo)熱碳化硅特性和閃光法,解釋了這種測試誤差較大的原因,并通過
2023-02-20 15:55:040

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹

碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當(dāng)今最嚴(yán)格的能效法規(guī)(Energy
2023-02-21 10:06:42898

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝?

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)
2022-04-14 11:22:07277

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢

碳化硅SiC功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317

瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285

碳化硅SiC功率器件,全球市場總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅SiC功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅SiC功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

的優(yōu)勢高頻率:碳化硅材料的電子遷移率比硅高,使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸,提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗:碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低,使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求,提高設(shè)備的能效。高效率:碳化硅
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

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