一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

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SiC(61351) SiC(61351)
碳化硅(47292) 碳化硅(47292)

評(píng)論

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碳化硅 (SiC)的歷史與應(yīng)用

碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見。然而，自從1893年以來(lái)，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。

2023-09-08 15:24:02

887

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC

2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

　　碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料

2020-09-24 16:22:14

SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析

SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注

2022-03-24 18:03:24

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？

與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？

2021-07-12 08:07:35

了解一下SiC器件的未來(lái)需求

引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前

2021-09-15 07:42:00

了解ST Microelectronics SCT50N120

`電子元器件碳化硅（Sic） MOSFETSCT50N1201200V65AHiP247-3深圳市英特洲電子科技有限公司，專業(yè)供應(yīng)碳化硅功率管（SIC/MOS/DIODES全系列）ST、ROMH.需要和了解更多的產(chǎn)品信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894原廠優(yōu)勢(shì)貨源！！`

2017-08-05 10:58:20

250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！　〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！　∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來(lái)替代硅功率器件。`

2019-01-11 13:42:03

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備

2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能?！　?200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較　　Anup Bhalla說(shuō)，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)

2023-02-27 14:28:47

碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管？

應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料，可以用來(lái)構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>

2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣？

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。

2019-08-02 08:44:07

碳化硅MOS管650V-3300V，電流1A-200A（國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS晶圓裸芯、全碳SiC模塊）

本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯 碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn)，在電子器件領(lǐng)域有著

2022-02-17 14:36:16

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8

2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs

2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些？

　　由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管

2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)

2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的？

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。

2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)

2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低

2021-01-12 11:48:45

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？

　　在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！　≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V

2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一

2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年

2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？

2021-08-19 17:39:39

碳化硅的物理特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都

2018-11-29 14:43:52

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

　　01　　碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)　　碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快

2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來(lái)，直到

2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么

2020-03-05 09:30:32

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用

）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018

2018-07-27 17:20:31

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研

2020-04-21 16:04:04

【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用

我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì) 碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢(shì)，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍

2023-10-07 10:12:26

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？

2021-06-18 08:32:43

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對(duì)于碳化硅功率器件應(yīng)用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先

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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

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2021-09-23 15:02:11

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2022-06-13 11:27:24

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能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合，高頻開關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司

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降低到75%。　　　　表 2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究　　只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價(jià)比，并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì)，使應(yīng)用受益。

2023-02-20 16:29:54

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在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的優(yōu)勢(shì)，但代價(jià)是在某些方面參數(shù)碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設(shè)計(jì)人員需要花時(shí)間充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考慮如何向新拓?fù)浼軜?gòu)過渡。有一

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對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。

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淺析SiC-MOSFET

的門檻變得越來(lái)越低，價(jià)格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國(guó)內(nèi)品牌尚不具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。碳化硅

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2022-11-02 12:02:05

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料

2009-11-17 09:41:49

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碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅

Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅（SiC）：歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自 1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用

2017-05-06 11:32:45

【大神課堂】碳化硅 (SiC)：歷史與應(yīng)用

2018-04-11 11:37:00

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碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)

2021-06-15 17:27:14

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從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用？

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant

2022-08-03 17:07:35

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何謂碳化硅？

碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，了解一下它的物理特性和特征。

2023-01-09 09:03:39

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碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物

2023-02-02 14:50:02

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汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。功率半導(dǎo)體碳化硅

2023-02-02 15:10:00

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什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 16:23:44

20953

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物

2023-02-03 16:11:35

2997

何謂SiC（碳化硅）？

碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。

2023-02-08 13:42:08

3923

碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)與優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。

2023-02-09 09:51:23

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功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率

2023-02-15 16:03:44

sic碳化硅電機(jī)

sic碳化硅電機(jī) 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行，被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國(guó)外車企開發(fā)的SiC電機(jī)

2023-02-17 14:10:17

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碳化硅(SiC)打開新能源車百億市場(chǎng)空間

，將會(huì)通過系列報(bào)告形式對(duì)其進(jìn)行完整梳理。第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐

2023-02-21 09:29:16

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅

2023-02-21 10:04:11

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SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管

2023-02-21 10:16:47

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6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)

2022-01-25 09:18:08

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6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸

2022-01-26 10:08:16

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5.2.3 擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2

2022-01-06 09:25:55

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碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 09:58:09

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碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。

2023-07-21 11:42:14

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碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。

2023-07-28 10:57:45

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碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響

　　碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。

2023-08-16 10:28:21

656

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。

2023-08-19 11:45:22

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碳化硅和硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說(shuō)明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

2023-10-30 14:11:06

975

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢(shì)

　　硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率，并擴(kuò)展了功率密度和工作溫度等領(lǐng)域的功能。

2023-11-10 09:36:59

482

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。

2023-12-08 09:49:23

438

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 09:47:33

456

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要

2023-12-29 09:54:29

186

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)

2024-01-06 14:15:03

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碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 11:06:57

130

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括

2024-01-09 09:26:49

379

碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測(cè)試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 09:41:31

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SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 17:18:29

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一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效

2024-02-21 18:24:15

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碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效率。近年來(lái)，碳化硅（SiC）功率器件因其優(yōu)異

2024-02-25 10:37:01

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一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

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