中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
3759 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲，對于碳化硅產業(yè)而言，上游產能擴充是現今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里，海內外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116070 從產業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612186 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）襯底產能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點，隨著電力電子行業(yè)，包括電動汽車、光伏、儲能、風電等新能源應用市場的發(fā)展，碳化硅功率器件因為高效率、高耐壓等優(yōu)勢受到了追捧，導致產能
2022-09-07 07:56:002422 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在碳化硅產業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產能決定了下游器件的產量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產業(yè)鏈的風向標。 ? 本土碳化硅供應商份額增長
2023-12-12 01:35:001178 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在碳化硅產業(yè)鏈中，襯底是價值量最大的部分，在碳化硅器件成本構成中襯底甚至能夠占近50%，相比之下，硅基半導體器件的成本構成中，作為襯底的硅片一般只占不到10
2024-01-21 07:48:001671 ，因此碳化硅功率器件有低的結到環(huán)境的熱阻?！ ?4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
和電容器）的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下，整個冷卻系統本身效率也可以降低，甚至可以節(jié)省更多的成本。特別是在電動汽車牽引逆變器應用中，效率的提高是一個良性循環(huán)，因為基于碳化硅的逆變器中的元件
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規(guī)格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統在高壓應用領域，使用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設備的發(fā)熱量大幅減少，同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
5A、10A和15A對應的反向恢復電流分別是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二極管在5A、10A和15A對應的反向恢復電流分別是2.5A、3.1A和3.6A；從測試數據來看，在5A
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關帶來的優(yōu)勢?！ ?2 從數據的角度去分析共源雜散電感對開關損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術備受矚目。根據日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
設計，不管是車身上的動力總成(Powertrain)系統，還是固定安裝在路邊或車庫里的充電樁，導入碳化硅組件的進度都非?？?。對車載應用而言，設備的大小跟重量非常關鍵。若車上的逆變器(Inverter)、充電
2021-09-23 15:02:11
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
、高功率密度的方向前進。5 結論本文分析和探討了碳化硅器件封裝中的 3 個關鍵技術問題：1）整理歸納了低雜散電感參數的新型封裝結構，從設計原理上概括了其基本思路并列舉了一些典型封裝結構；2）總結了目前
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片?！ 】傊啾扔诠鐸GBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善?！ ?b class="flag-6" style="color: red">從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系統可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1cm-2。
2012-10-16 15:13:211791 碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產能，碳化硅產業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138136 國投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡稱“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實現淶源基地6英寸碳化硅襯底項目快速擴產和現有產品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054 控制技術——Dynamic AGE-ing。該技術可以讓任何尺寸、任意供應商的SiC襯底的BPD（基平面位錯）降低到1以下。 圖1?豐田Dynamic?AGE-ing技術 無獨有偶，2021年3月3日，瀚天天成電子科技(廈門)有限公司發(fā)布消息稱，突破了碳化硅超結深槽外延關鍵制造工藝。 圖2?
2021-05-07 14:43:0012100 
隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發(fā)，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業(yè)紛紛通過加強技術研發(fā)與資本投入布局碳化硅產業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184374 前言 碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405266 作為半導體產業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求
2022-10-11 16:01:043656 雙方同意對Soitec技術進行產前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業(yè)系統能效提升等轉型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創(chuàng)新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現狀，分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理，指出了加工過程中的關鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:551309 ?？瓢雽w（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產。據悉，該產品通過了行業(yè)權威企業(yè)歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質，解決了國外產品的卡脖子問題，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個新紀錄。
2023-01-13 10:54:281005 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅產業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133948 機理出發(fā),結合反應 室設計和材料科學的發(fā)展,介紹了化學氣相沉積(CVD)法碳化硅外延設備反應室、加熱系統和旋轉系統等的技術進 展,最后分析了 CVD 法碳化硅外延設備未來的研究重點和發(fā)展方向。
2023-02-16 10:50:096935 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產品供應鏈。 但記者在采訪中了解到，國內碳化硅功率器件行業(yè)還呈現“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 。
以往關于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學穩(wěn)定性，被認為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:470 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅產業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設計、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應用。
2023-03-22 15:38:521335 全球碳化硅產業(yè)呈現明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 碳化硅襯底產品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產品應用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統。
2023-03-29 14:55:20555 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 薄膜的質量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無缺陷，無損傷，表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154 
碳化硅襯底 產業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483429 
外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
碳化硅產業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據 70%的碳 化硅器件成本。根據中商產業(yè)研究院數據，碳化硅器件的成本構成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
SiC 生產過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:13398 
當前，全球碳化硅產業(yè)格局呈現美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)方面占據領先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 業(yè)內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 在碳化硅產業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業(yè)鏈技術壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 從碳化硅產業(yè)鏈來看，主要包括襯底、外延、器件設計、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結構來看，碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲，其中美國是世界上最大的。
2023-12-04 16:29:32518 
單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53557 
第三代半導體碳化硅材料生產及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團的“12大創(chuàng)新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域，已成為國內實現碳化硅襯底材料供應鏈自主創(chuàng)新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37463 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56306 
國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設備及外延片等產品。
2024-01-12 11:37:03864 
預計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。
2024-02-29 16:24:01217 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到行業(yè)領先水平。
2024-03-22 09:39:2966 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產業(yè)經歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可，簽下
2024-01-08 08:25:342171 
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