選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?!?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
計算機(jī)等使用的數(shù)字信號中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-07-23 00:07:18
計算機(jī)等使用的數(shù)字信號中,晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合,其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
NPN硅數(shù)字晶體管
2023-03-28 18:20:51
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-24 10:05:04
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
PNP-100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:12:22
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 14:32:33
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
AD-DTA114E系列數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:45
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
PNP數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 12:53:16
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器) PNP
2023-03-28 15:13:04
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:10:18
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
PNP型數(shù)字晶體管
2023-03-28 18:20:51
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:10:17
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:45
-500mA/-50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:40
-500mA/-50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:51
PNP -500mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-21 11:10:16
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 13:03:07
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 13:03:08
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 14:32:33
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 15:06:58
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
數(shù)字晶體管(BRT)
R1=22 KΩ,R2=22 KΩ
具有單片偏置電阻網(wǎng)絡(luò)的PNP晶體管
2023-03-22 19:10:44
數(shù)字晶體管(NPN)
2023-03-28 12:58:10
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-24 16:08:21
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-21 11:10:21
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:39
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:43
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:50
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:49
NPN 500mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 15:11:33
NPN 500mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:48
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 15:12:07
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 14:59:45
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:53
電源管理(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 15:02:09
NPN + PNP復(fù)合數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:45
通用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 14:59:44
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
發(fā)射極共用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:05
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:03
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:02
通用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-25 00:47:23
NPN 100mA 50V復(fù)雜數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:46
NPN 100mA 50V復(fù)雜數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:44
;產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管 &
2010-08-17 09:24:08
這一系列數(shù)字晶體管設(shè)計取代單一設(shè)備及其網(wǎng)絡(luò)外部電阻器的偏見。 偏置電阻晶體管(BRT)包含一個晶體管與單一的偏向網(wǎng)絡(luò)組成的兩個電阻;一系列基礎(chǔ)電阻器和基極發(fā)射極電阻。 BRT消除這些單個組件通過整合成一個單一的設(shè)備。 BRT的使用可以降低系統(tǒng)成本和板空間。
2017-04-05 15:04:46
17 這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個單一的設(shè)備和它的外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個單一的偏置電阻網(wǎng)絡(luò)組成的兩個單晶體管;電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨(dú)的組件,將它們集成到一個單一的設(shè)備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:34
14 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)UMC5相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有UMC5的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,UMC5真值表,UMC5管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-08-03 17:02:22
數(shù)字晶體管(DigitalTransistor)與普通晶體管差別不大,并沒有采用任何數(shù)字技術(shù),僅僅內(nèi)置了一個或兩個偏壓電阻,即所謂的偏壓型晶體管(BiasResistorTransistor)。與普通晶體管相比,數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關(guān)系,而且工作狀況穩(wěn)定。
2020-02-14 12:43:46
15014 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/B4/18/pIYBAF5GJLWAMyIqAABiaSq-5ng574.png)
數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管, 一些僅在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般號稱R1 , 片段在基極與發(fā)射極期間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1有冒尖電阻, 好像標(biāo)準(zhǔn)電阻多如牛毛配制,電阻R2圖景好像R1,電阻
2022-05-11 17:46:51
1190 數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個電阻,一般稱為R1,有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻,類似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1
2022-05-12 18:07:01
1997 2022-12-01 22:48:12
0 數(shù)字晶體管(Digital Transistor)是一種集成了基極電阻的雙極性晶體管,其工作原理類似于常規(guī)的晶體管,但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
2023-05-29 15:58:39
517 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A8/3B/poYBAGR0WuSATFYdAABfm_kLr1E102.png)
為了通過微控制器板(例如Arduinos或Raspberry Pis)打開LED或操作繼電器,需要使用帶有晶體管和電阻的驅(qū)動電路(開關(guān))。驅(qū)動電路很簡單,但是需要一個電阻來限制流過基極的電流。
2023-05-29 16:03:00
849 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A8/B7/pYYBAGR0XA-AKQT6AABA7YanZjs311.png)
由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場效應(yīng)管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實(shí)現(xiàn)電路的轉(zhuǎn)換作用:它可以對丕鳳信號輸入有丕鳳的反饋;進(jìn)而控制或IGBT的開關(guān)。
2023-05-29 16:09:31
496 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A8/B7/pYYBAGR0XaWAMlaEAAAoWDahnQE761.png)
數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個電阻,一般稱為R1,有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻,類似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1和電阻R2可以有多種匹配方式,因此數(shù)字晶體管的種類很多。
2023-05-29 16:18:48
569 數(shù)字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類型。數(shù)字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開關(guān)時連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45
282 結(jié)構(gòu)上,數(shù)字晶體管有的在基極上串聯(lián)一只電阻R1,有的在基極與發(fā)射極之間并聯(lián)了一只電阻R2,大多數(shù)同時連接了R1和R2。隨著電阻R1、R2的組合搭配的變化,數(shù)字晶體管的型號遠(yuǎn)比普通晶體管豐富多彩。
2023-05-29 16:46:57
288 當(dāng)您聽到“數(shù)字晶體管”這個詞時,可能會感覺它比普通晶體管更難,但實(shí)際上它是一種用于開關(guān)工作的簡單電子器件,實(shí)際試用一下就會發(fā)現(xiàn)其實(shí)既簡便又易用。
即便是在面包板上的電子制作中,使用數(shù)字晶體管也可以
2024-03-01 13:07:22
73 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C2/41/wKgZomXhYfaAI5NuAAHiUdR4G54226.png)
數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管,有的在基極上串聯(lián)一只電阻R1,有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2,電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配。
2024-03-08 10:49:47
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