德州儀器（TI）無線充電晶片霸主地位正遭受應用處理器廠商（AP）威脅。隨著高通（Qualcomm）先后宣布加入無線充電聯(lián)盟（WPC）與電力事業(yè)聯(lián)盟（PMA）后，該公司將無線充電接收器（Rx）整合至處理器的企圖心已愈來愈明顯，一旦相關(guān)產(chǎn)品推出，勢將對德州儀器在無線充電晶片的市占率造成不小衝擊。

　　致伸技術(shù)平臺資深經(jīng)理丘宏偉表示，未來處理器業(yè)者將接收器整合后，勢必將造成無線充電晶片市占率排名重新洗牌。

　　致伸技術(shù)平臺資深經(jīng)理丘宏偉表示，從高通目前一次跨足三大無線充電標準陣營的動作，即可看出該公司亟欲掌握每一個標準聯(lián)盟的最新動態(tài)，藉此觀察不同標準規(guī)格的市場發(fā)展走向，以利未來該選擇何種標準進行元件整合，并透過此一布局大舉揮軍無線充電市場，同時爭食德州儀器無線充電接收器市場。

　　據(jù)了解，現(xiàn)階段由于德州儀器的無線充電解決方案整合度較高，因此有近六成的市占率，其余四成則由飛思卡爾、IDT與日系晶片商分食，但未來若高通將接收器整合至應用處理器后，則無線充電接收器市占率勢必將重新洗牌，而德州儀器的市場領(lǐng)先地位也將面臨極大的挑戰(zhàn)。

　　事實上，無線充電接收器是由微控制器（MCU）、電源控制演算法與金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）所組成，從技術(shù)角度而言，應用處理器業(yè)者將接收器整合為系統(tǒng)單晶片（SoC）是可行方案，但仍有一些技術(shù)挑戰(zhàn)與風險存在。

　　富達通無線充電事業(yè)部經(jīng)理詹其哲指出，無線充電晶片的峰值電壓最高為20V，遠超過處理器可承受的范圍，因此處理器業(yè)者若沒有做好防護措施，當突發(fā)性峰值出現(xiàn)時，很可能會燒壞昂貴的應用處理器，且MOSFET現(xiàn)階段也難以整合至全數(shù)位化的主晶片中，因此仍有其技術(shù)瓶頸存在。

　　不過，丘宏偉認為，盡管無線充電電壓峰值過高對應用處理器是潛在風險，但隨著電源管理晶片（PMIC）的效能日益精進，將足以應付低功率接收器的電壓防護需求，而MOSFET亦可外掛至主板上，所以相關(guān)技術(shù)問題相信不久后即可迎刃而解。

　　丘宏偉分析，未來接收器整合至應用處理器將是必然趨勢，而高通挾行動裝置處理器高市占率的優(yōu)勢，不僅可大幅降低接收器成本，且能加速無線充電市場滲透率擴大，為一舉數(shù)得的市場策略。

　　值得注意的是，不光是高通打算將無線充電接收器整合至應用處理器，聯(lián)發(fā)科目前也正加緊研發(fā)相關(guān)解決方案，并積極參與三大標準組織的會議，期盼能搶先布局此一元件整合策略，讓中低價智慧型手機與平板電腦使用者也能以最低的成本擁有無線充電功能。