全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進(jìn)一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:331678 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001733 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產(chǎn)品應(yīng)用于LED球泡燈驅(qū)動器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 Teledyne e2v是Teledyne Technologies旗下公司，同時也是成像解決方案領(lǐng)域全球創(chuàng)新者，它借助新推出的1100萬像素檢測器，進(jìn)一步擴充了Lince系列圖像傳感器。
2019-04-15 11:37:451247 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布新增博通全新系列微型光譜儀及相關(guān)評估套件，進(jìn)一步擴充其測試與測量產(chǎn)品陣容。新增系列產(chǎn)品讓現(xiàn)場工程師與實驗室工程師只需通過e絡(luò)盟即可便捷地購買到業(yè)內(nèi)一流的光譜儀，均可當(dāng)日發(fā)貨。
2022-01-18 13:51:18600 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
近日，***進(jìn)一步削減其2013年上網(wǎng)電價補貼，削減幅度為9.23%至11.88%，而同時將其太陽能發(fā)電裝機容量目標(biāo)提高30%?！ ?jù)***媒體報道，***經(jīng)濟部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
的電壓應(yīng)力，可以采用更低的電壓MOSFET從而減少成本。5．無需輸出電感，可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。6．采用更低電壓的同步整流MOSFET， 可以進(jìn)一步提升效率。3.LLC 電路的基本結(jié)構(gòu)以及工作原理圖1
2018-12-05 09:56:02
你好E4406A有問題----當(dāng)我啟動時 - 設(shè)備按我的意愿啟動自動對齊，但是當(dāng)它達(dá)到adc對齊時它不會更進(jìn)一步。根本沒有消息。可以用abort終止它，并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
某一個30A單相的設(shè)計實例，進(jìn)一步闡明這些概念。 計算MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分
2023-03-16 15:03:17
進(jìn)一步減小，甚至消除。 結(jié)論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設(shè)計工程師設(shè)計出更高功率密度的產(chǎn)品。開關(guān)性能的優(yōu)化可使許多應(yīng)用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
進(jìn)一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
及設(shè)備用電安全的需要，更進(jìn)一步提高電源的可靠性，及時發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設(shè)備的運行壽命，對電源進(jìn)行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進(jìn)一步理解量子力學(xué)經(jīng)典理論與應(yīng)用 多方面豐富相關(guān)圖表為了進(jìn)一步深入理解量子力學(xué)理論經(jīng)典及其應(yīng)用，從多個方面豐富內(nèi)容，附圖頁碼一致，符合國際標(biāo)準(zhǔn)。聲學(xué)，聲波自然現(xiàn)象，以及經(jīng)典原子理論的應(yīng)用等對理解量子力學(xué)經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
讓我們進(jìn)一步聆聽大師對量子力學(xué)歸屬的現(xiàn)代物理的解說，及其常用圖表iii（待續(xù)3）“現(xiàn)代物理”術(shù)語通常指的是二十世紀(jì)物理學(xué)快速的概念發(fā)展。相對的，在1900年之前艱辛地發(fā)明的所有的物理學(xué)都標(biāo)記
2020-06-28 17:48:16
已經(jīng)在友好的ARM中開發(fā)了android布局，以顯示M24LR內(nèi)存中的溫度和消息。我想知道如何進(jìn)一步開發(fā)工作應(yīng)用程序。 是CR95HF DLL文件有幫助嗎。 我們檢查了PC軟件，NFC＆amp; amp;的可用代碼。數(shù)據(jù)記錄器應(yīng)用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
適合對C語言有一定基礎(chǔ)積累的童鞋 想進(jìn)一步學(xué)習(xí)C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
專家：1、這個指標(biāo)的紋波是否在設(shè)計許可的范圍之內(nèi)？在一般情況下，DC-DC電源轉(zhuǎn)換的紋波在一個什么范圍內(nèi)可以認(rèn)為是正常的？2、從原理圖上，pcb圖上，這個設(shè)計是否還能夠進(jìn)一步優(yōu)化降低紋波？還請指出。
2014-10-28 15:59:25
我有一個設(shè)計，生成一堆以下消息：錯誤：包：1107- 包無法將下面列出的符號組合成單個IOB組件，因為所選的站點類型不兼容。但他們沒有進(jìn)一步的信息說明哪些符號。我還有一堆尚未連接的符號。是否由于斷開
2018-10-15 11:45:18
功率放大器的需求將進(jìn)一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達(dá)百W以上。它同時也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達(dá)系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
SOP位移傳感器防水功能將進(jìn)一步提高位移傳感器應(yīng)用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進(jìn)一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一個小問題。我使用100m時鐘芯片。每個時鐘只有10ns，ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設(shè)置為進(jìn)一步降低到10Hz？我已將配置設(shè)置為相關(guān)寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
借這個機會，申請這塊開發(fā)版，便于日常學(xué)習(xí)，而且我即將大四了，希望用這塊開發(fā)版能更進(jìn)一步的學(xué)習(xí)，一則方便之后的課設(shè)，二則便于找工作，三則嵌入式也是自己敢興趣。衷心希望能獲得這次機會，謝謝。項目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210試用體驗】u-boot篇 -- u-boot進(jìn)一步定制 從u-boot單板的自定義，到SPL的移植，都還沒有完全定制出自己的S5PV210單板信息，還是摻雜著S5PC100
2015-09-07 11:38:52
項目名稱：進(jìn)行進(jìn)一步學(xué)習(xí)和研究試用計劃：此前一直從事單片機開發(fā)，想進(jìn)一步深入學(xué)習(xí)各種MCU，看到有此活動，特來申請。也為下一步項目無人機攝像頭驅(qū)動選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【單片機開發(fā)300問】怎樣進(jìn)一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA）。為進(jìn)一步降低
2011-12-07 13:59:56
/DC開關(guān)電源的設(shè)計開發(fā)。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師，負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹：英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個
2012-07-13 10:50:22
初學(xué)linux，安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面，請教該如何進(jìn)一步快速學(xué)習(xí)，大家有什么好的初學(xué)的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
初學(xué)者除了學(xué)好書本上的基本知識外，如何能進(jìn)一步學(xué)習(xí)Protel
2017-03-03 09:19:29
國內(nèi)第一顆量產(chǎn)超結(jié)MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內(nèi)專業(yè)設(shè)計大功率MOS器件的公司?，F(xiàn)我司已經(jīng)實現(xiàn)了SJ-MOS的量產(chǎn)，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網(wǎng)址
2011-01-05 09:49:53
（使用FPGA引腳和DAC）任何人都可以給出一些答案如何進(jìn)一步使用以上兩個文件查看DSO上的輸出 提前感謝你Counter.v 3 KB以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大俠好，最近公司要求將CC2640R2模塊的功耗進(jìn)一步縮減，我應(yīng)公司要求做了一個最簡電路，目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數(shù)砍掉，現(xiàn)在測量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何進(jìn)一步加強對RFID的安全隱私保護(hù)？
2021-05-26 06:09:27
時間為9:00到11:00），也可以刷卡打開閘機。閘機配有發(fā)卡器和讀卡器。請問附件中的通訊協(xié)議是屬于TCP/IP協(xié)議嗎？如果方便遠(yuǎn)端的計算機控制閘機，是不是要進(jìn)一步封裝附件中的通訊協(xié)議呢？例如，建立一個
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進(jìn)一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負(fù)載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
一、引言內(nèi)存是嵌入式系統(tǒng)中的關(guān)鍵資源，內(nèi)存占用主要是指軟件系統(tǒng)的內(nèi)存使用情況。本篇博客將介紹如何分析內(nèi)存使用以便進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)存占用相關(guān)的基礎(chǔ)概念和相關(guān)工具。二、內(nèi)存占用內(nèi)存占用是應(yīng)用程序運行時
2021-12-15 06:05:33
如何讓計算機視覺更進(jìn)一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動速度傳感器，待提取信號頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現(xiàn)在希望進(jìn)一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網(wǎng)絡(luò)時間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機。這些采用多種RF技 術(shù)的手機在提供便利的同時也使得手機的設(shè)計變得復(fù)雜，如何進(jìn)一步集成射頻元件也變得至關(guān)重要。
2019-08-27 08:33:19
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術(shù)為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導(dǎo)通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
基于“中國制造2025”，業(yè)界已加大投入發(fā)展先進(jìn)制造業(yè)，以實現(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能和實體經(jīng)濟的進(jìn)一步融合，并建立世界級先進(jìn)的制造業(yè)集群，推動國家產(chǎn)業(yè)邁向全球價值鏈的中高端。作為電子元器件與開發(fā)
2018-09-05 10:53:24
級放大再加給AD7714時，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號，該信號相對來說很穩(wěn)定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率?。坎粍俑屑?！
2023-12-25 06:33:32
C6748通過攝像頭采集的圖像如何進(jìn)一步處理，比如如何導(dǎo)入到MATLAB里面處理？？
2018-07-25 06:23:56
如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
%。這非常有望進(jìn)一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
e絡(luò)盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開發(fā)板，進(jìn)一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 Altera增強MAX II系列，進(jìn)一步拓展其CPLD應(yīng)用
Altera公司宣布，提供工業(yè)級溫度范圍以及功耗更低的MAX IIZ器件，從而進(jìn)一步增強了MAX II CPLD系列。MAX IIZ CPLD完美的結(jié)合了邏輯
2009-11-05 09:53:581283 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 （Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進(jìn)一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5
2012-02-17 10:53:56686 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 世強作為中國本土最知名的元件分銷商，進(jìn)芯電子專注數(shù)字信號處理芯片研發(fā)。據(jù)報道，世強宣布與進(jìn)芯電子達(dá)成代理協(xié)議，進(jìn)一步擴充產(chǎn)品線，銷售其全線產(chǎn)品。
2018-02-03 10:57:011262 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成
2018-05-18 09:04:001989 20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入現(xiàn)代電源技術(shù)的新興時代。詳細(xì)介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布收購專注于UWB定位技術(shù)的企業(yè)Decawave，進(jìn)一步擴充公司的產(chǎn)品線。
2020-02-25 11:23:142539 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:15835 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53785 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
提供商適用于各大汽車品牌。此次收購進(jìn)一步增強了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強傳感方面的產(chǎn)品系列。英飛凌現(xiàn)在將UWB添加到其連接范圍中，包括Wi-Fi、Bluetooth?/Bluetooth? 低功耗和NFC解決方案。第一組物聯(lián)網(wǎng)用例包括安全訪問和身份驗證、準(zhǔn)確位置跟蹤和室內(nèi)導(dǎo)航，以及利用
2023-10-12 17:25:42299 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
【 2024 年 2 月 28 日，德國慕尼黑訊】 為實現(xiàn)有雄心的增長目標(biāo)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正進(jìn)一步強化其銷售組織。自3月1日起，英飛凌的銷售
2024-03-01 16:31:3078 
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